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红外研究(A辑) 1988年第1期7 A卷 47-50页

作者：王民李世纯房昌水山东大学

分析并测量了斜切对ATGSP热释电晶体响应率优值和探测率优值的影响,指出斜切可以增加热释电电压响应率,但不能改善其探测率。

关键词：优值热释电晶体热释电电压响应率 ATGSP 探测率热释电探测器

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铁电移相器优值研究

低温物理学报 2010年第3期32卷 213-217页

作者：张晓玲孟庆端李娜张雪强何豫生河南科技大学电子信息工程学院中国科学院物理研究所

基于双周期性电容加载共面波导传输线的移相器结构,系统研究了温度变化对铁电薄膜移相器移相能力、传输损耗的影响.调整温度可以在一定的范围内实现对移相器性能指标的微调.给出了加载因子对移相能力的示意曲线图,并在实验上,借助氩离... 详细信息

基于双周期性电容加载共面波导传输线的移相器结构,系统研究了温度变化对铁电薄膜移相器移相能力、传输损耗的影响.调整温度可以在一定的范围内实现对移相器性能指标的微调.给出了加载因子对移相能力的示意曲线图,并在实验上,借助氩离子刻蚀技术,改变加载因子的大小,使得移相器的优值从原来的13degree/dB提升到23degree/dB.

关键词：钛酸锶钡薄膜共面移相器优值

采用可调谐高Q有源电感的高优值VCO的研究

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电子器件 2021年第2期44卷 272-277页

作者：张正张延华温晓伟那伟聪北京工业大学信息学部北京100124

对采用新型可调谐、高Q的有源电感(THQAI)的高优值(FOM)压控振荡器(VCO)进行了研究。在LC振荡回路模块中,利用THQAI具有高Q值、较宽调谐范围的特性,分别实现了VCO的低相位噪声和宽的频率调谐范围;在负阻电路模块中,将电流进行复用,使其... 详细信息

对采用新型可调谐、高Q的有源电感(THQAI)的高优值(FOM)压控振荡器(VCO)进行了研究。在LC振荡回路模块中,利用THQAI具有高Q值、较宽调谐范围的特性,分别实现了VCO的低相位噪声和宽的频率调谐范围;在负阻电路模块中,将电流进行复用,使其只有一条直流工作支路,降低了VCO的功耗,又由于电路中的MOS晶体管始终工作在饱和区,进一步降低了VCO的相位噪声;在输出缓冲级,采用共源NMOS晶体管,放大了该VCO的输出波形。最终,这些技术手段使得VCO的调谐范围、相位噪声和功耗均得到了改善,因此获得了高的FOM值。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺库,利用射频集成电路设计工具ADS对该VCO进行性能验证。结果表明,该VCO的振荡频率调谐范围高达73%,最低相位噪声仅为-123 dBc/Hz,且功耗仅为13.4 mW,FOM值为-195.1 dBc/Hz,具有较好的综合性能。

关键词：压控振荡器可调谐有源电感优值

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采用全差分有源电感的高优值VCO

微电子学 2020年第1期50卷 27-31页

作者：杨鑫张万荣谢红云金冬月张崟徐曙那伟聪北京工业大学信息学部微电子学院北京100124

提出了一种高集成度高优值压控振荡器(VCO)。采用全差分有源电感,克服了传统螺旋电感面积大、不可调谐的缺点。采用可变电容阵列和开关电容阵列,既扩大了振荡频率的可调范围,又降低了相位噪声。采用改进型电流复用型负阻单元,降低了直... 详细信息

提出了一种高集成度高优值压控振荡器(VCO)。采用全差分有源电感,克服了传统螺旋电感面积大、不可调谐的缺点。采用可变电容阵列和开关电容阵列,既扩大了振荡频率的可调范围,又降低了相位噪声。采用改进型电流复用型负阻单元,降低了直流功耗和相位噪声。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,利用ADS工具对该VCO进行了验证。结果表明,VCO的振荡频率范围为0.31~5.13 GHz,调节率高达177.7%。在1 MHz偏频处,相位噪声最低值为-125.3 dBc/Hz,直流功耗为63 mW,优值为-201.3 dBc/Hz,综合性能较好。

关键词：压控振荡器全差分有源电感调谐范围相位噪声优值

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屏蔽栅VDMOS优值模型与器件结构研究

屏蔽栅VDMOS优值模型与器件结构研究

作者：叶力电子科技大学

学位级别：硕士

功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Filed-effect Transistor)具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等优良性能,在电源管理等智能功率集成电路方面备受关注。现今新能源汽车、工业自动化、物联网设备等终端市场对功率MOSFET器件... 详细信息

功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Filed-effect Transistor)具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等优良性能,在电源管理等智能功率集成电路方面备受关注。现今新能源汽车、工业自动化、物联网设备等终端市场对功率MOSFET器件的性能要求也越来越高。屏蔽栅SG VDMOS(Shield-gate Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)器件中的分离栅电极有以下两个作用,一方面作为体内多晶场板辅助耗尽漂移区从而优化器件漂移区电场分布,另一方面减小栅电极和漏电极之间的交叠面积以降低栅漏电容,因此该类器件兼具低比导通电阻和低栅电荷的优点。国内外研究人员在该类器件的工作特点、实现工艺、新结构等多方面进行了深入研究,但迄今为止仍然没有完善的模型能够将击穿电压、比导通电阻和栅电荷这三个最重要的参数相结合,也没有完整的理论用于指导如何对该类器件进行设计。本课题主要创新点、主要工作内容和主要结论如下:其一,本课题建立了屏蔽栅VDMOS器件的最低优值FOM(Figure of Merit)模型,此模型可用于指导该类器件在给定工艺条件下的最低优值设计。具体包括以下三点:第一,将屏蔽栅SG VDMOS抽象为具有体内场板的小尺寸纵向器件,针对该类器件的关态电场分布进行研究,在新的边界条件下得到该类器件的漂移区电场表达式,表达式能够与仿真结果很好的拟合;第二,基于所得到的漂移区电场分布表达式,结合实际工艺制造过程所存在的容差问题提出新的体内场优化判据,并借助数学工具得到器件的漂移区优化浓度表达式;第三,提出本征栅电荷Q(the Intrinsic Gate Charge)概念,可将复杂的SG VDMOS器件电容转化为对器件尺寸的研究,在无需关注器件栅电荷具体值的前提下研究器件的优值FOM变化规律,基于所提出的本征栅电荷Q,可以得到器件优值FOM的表达式以及与器件FOM变化规律完全一致的优化函数f表达式,利用优化函数f和数学软件即获得最低FOM的漂移区硅层宽度W设计公式;其二,基于所建立的最低优值FOM模型,本课题还提出了两种方法对器件进行优化,包括设置多层外延层优化漂移区电场分布来提高击穿电压和在沟道与漂移区交界处设置Nbuffer层来降低比导通电阻,仿真结果显示两种方法效果良好。其三,本课题基于所提出的最低优值FOM模型实现了SG VDMOS器件的最低优值FOM设计,利用最低优值FOM模型所提出的硅层宽度和漂移区浓度的两个设计公式在给定的工艺条件下获得最优硅层宽度和及对应的最优漂移区浓度。所制得的击穿电压35 V的SG VDMOS器件比导通电阻为4.4 mΩ?mm,低于传统一维“硅极限”28.6%,其栅漏电荷仅为11.2 nC。

关键词：屏蔽栅纵向器件击穿电压比导通电阻栅电荷优值

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相容器件技术与优值型集成电路

微电子学 1982年第1期 1-8页

作者：蒋建飞赖宗声华东师大物理系

相容器件技术的出现是固体集成电子学发展的必然结果,随着集成电路向超大规模集成、超高速、微功耗和多功能化的发展,人们越来越感到使用单一有源器件难以达到预期的目的。在向超大规模集成电路的发展过程中,“系统集成”的概念正在兴... 详细信息

相容器件技术的出现是固体集成电子学发展的必然结果,随着集成电路向超大规模集成、超高速、微功耗和多功能化的发展,人们越来越感到使用单一有源器件难以达到预期的目的。在向超大规模集成电路的发展过程中,“系统集成”的概念正在兴起,“系

关键词：优值 BJT FET 半导体材料电工材料器件技术

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GaAsMESFET 的低频优值

微纳电子技术 1981年第3期 1-9页

作者：梁春广陈孝泽

本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种栅长下的低频优值,以及它们与栅偏压的函数关系,确定出低频优值与沟道参数的关系,明确了提高低频优值的途... 详细信息

本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种栅长下的低频优值,以及它们与栅偏压的函数关系,确定出低频优值与沟道参数的关系,明确了提高低频优值的途径,最后论证了低频优值与微波特性(特别是噪声系数)的相关性。

关键词：优值栅长 GaAsMESFET 噪声系数夹断电压漏电流

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合金扩散参量二极管的优值

物理学报 1964年第4期 311-326页

作者：卓济苍续競存

具有较高电容-电压非线性的合金扩散参量二极管,自1958年提出后已受到重视,但迄今缺乏认真的分析。本文在全面考虑优值的基础上,作了仔细的普遍探讨,与合金结进行对比,给出了有关特性的估价。

关键词：杂质浓度电压电容竞存优值杂质分布

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激振子转轴的优值设计

建筑机械 1981年第6期 7-10页

作者：宋铭奇西北建筑工程学院

建筑机械中,各种振动机械在沉桩、地基密实、制品成型、粒状物料的分级与输送等各方面得到了广泛地应用.其振动的振源,都是由电磁式或机械式的激振子产生.机械式激振子应用得最为普遍,它主要由单根或者双根装有偏心块的转轴组成.前者产... 详细信息

建筑机械中,各种振动机械在沉桩、地基密实、制品成型、粒状物料的分级与输送等各方面得到了广泛地应用.其振动的振源,都是由电磁式或机械式的激振子产生.机械式激振子应用得最为普遍,它主要由单根或者双根装有偏心块的转轴组成.前者产生圆周振动;后者因偏心块在轴上的原始安装

关键词：弹簧刚度弹簧常数动挠度转轴优值振子检流计

红外探测系统中信息处理系统的优值函数——δ*函数

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激光与红外 1986年第3期 17-20页

作者：赤强重庆光电所

本文旨在对红外探测系统中的信息处理系统在设计时有一个可以作为比较系统优劣的函数——信息处理系统的优值函数δ的研究。δ函数量值与系统中之目标辐射、大气传输、光学接收系统、探测器D等参数无关,而只是评价了信息处理系统的参数... 详细信息

本文旨在对红外探测系统中的信息处理系统在设计时有一个可以作为比较系统优劣的函数——信息处理系统的优值函数δ的研究。δ函数量值与系统中之目标辐射、大气传输、光学接收系统、探测器D等参数无关,而只是评价了信息处理系统的参数设计的优劣程度。文中还对几类典型的信息处理系统的δ函数作了计算比较,并指出了δ函数的物理意义。

关键词：信息处理系统优值光探测红外探测红外跟踪系统值函数光学接收系统探测系统搜索系统距离公式脉冲调制探测器