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4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究

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功能材料与器件学报 2006年第2期12卷 130-134页

作者：郜锦侠张义门张玉明汤晓燕宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院西安710071

在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在ND+/NA-≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压... 详细信息

在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在ND+/NA-≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响。该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取。

关键词：等效沟道厚度 SiC 隐埋沟道 MOSFET 亚阈特性

MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

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电子学报 1995年第11期23卷 26-30页

作者：吴金魏同立于宗光南京东南大学微电子中心

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工... 详细信息

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器件的优化设计，从而更大程度地提高电路与系统性能具有重要的指导意义。

关键词： MOSFET 亚阈特性低温按比例缩小场效应器件

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按比例缩小技术在微纳米中的挑战和对策

固体电子学研究与进展 2003年第4期23卷 464-469页

作者：马群刚李跃进杨银堂西安电子科技大学微电子研究所西安710071

按比例缩小技术是驱动集成电路发展的一项关键技术 ,在进入微纳米后出现了一系列的挑战。文中分析了按比例缩小在光刻技术、器件的亚阈特性、互连延迟以及功耗等方面面临的一些问题 ,同时从工艺、器件、电路。

关键词：集成电路比例缩小光刻技术互连延迟亚阈特性功耗平台集成

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PMOS FINFET关键技术研究

PMOS FINFET关键技术研究

作者：史旭佳西安电子科技大学

学位级别：硕士

随着微电子技术的迅速发展，器件的尺寸越来越接近物理极限，为了延续摩尔定律，人们不断探索新工艺、新方法、新材料、新结构，其中FINFET结构能够有效地抑止短沟道效应、具有更高的电流驱动能力和良好的亚阈值斜率，具有准平面结构、... 详细信息

随着微电子技术的迅速发展，器件的尺寸越来越接近物理极限，为了延续摩尔定律，人们不断探索新工艺、新方法、新材料、新结构，其中FINFET结构能够有效地抑止短沟道效应、具有更高的电流驱动能力和良好的亚阈值斜率，具有准平面结构、与现有Si工艺兼容、制备方法简单等优势，因此，对于FINFET结构的研究成为了国内外的热点。论文中分析了硅锗材料的物理属性和应力引入机制以及硅锗沟道器件的结构，阐述了选择性外延常用的工艺方法和选择性硅锗外延的反应原理以及工艺影响因素，研究了FINFET器件的结构特点以及结构对其性能的影响，提出了体硅结隔离FINFET器件结构。分析了体硅FINFET结构和物理参数对器件性能的影响，采用器件工艺仿真工具Sentaurus，通过模拟研究了体硅FINFET结构中FIN角度、FIN高度和FIN厚度与器件电学性能的相关性，模拟结果显示，为了得到良好的亚阈特性，FIN的高度要比较高，从而达到一定的高度来抑止短沟道效应，同时FIN的厚度要比较薄，FIN body的刻蚀角度应接近90度，以改善短沟道效应（SCE）。在此基础上，获得了优化的体硅FINFET器件结构，最终获得了优化的器件工艺流程。研究分析了应变硅锗沟道PMOS FINFET结构中硅锗层锗浓度、硅锗层厚度、硅帽层对器件性能的影响，获得了器件亚阈特性随锗浓度、硅锗层厚度、硅帽层厚度等参数的演化规律，模拟结果表明,随着硅锗沟道掺杂浓度的增加，器件的亚阈特性变得更好;随着硅锗层厚度的增加，器件的亚阈特性变好;硅帽层能够有效地改善栅极电介质和硅锗沟道之间的界面陷阱态;此外，硅锗层厚度过大或者锗浓度过高时，更易产生双沟道。在此基础上，提出了优化的应变硅锗沟道PMOS FINFET结构，优化了其制备工艺流程，为体硅FINFET器件结构的设计、性能的提升奠定了理论依据和实践基础。

关键词： PMOS FINFET 硅锗亚阈特性

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器件与电路技术

微电子学 1994年第5期 77-78页

器件与电路技术ＷＤ９４５０１大晶粒多晶硅薄膜晶体管的伪亚阈特性＝Ｏｎｔｈｅｐｓｅｕｄｏ－ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｈａｒａｃｔｅｒｌｓｔｉｃｓｏｆｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ－ｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｔｒａ... 详细信息

器件与电路技术ＷＤ９４５０１大晶粒多晶硅薄膜晶体管的伪亚阈特性＝Ｏｎｔｈｅｐｓｅｕｄｏ－ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｈａｒａｃｔｅｒｌｓｔｉｃｓｏｆｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ－ｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎ－ｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｗｉｔｈｌａｒｇｅ...

关键词：多晶硅薄膜晶体管器件衬底电流亚阈特性栅极电路技术栅电流多晶硅栅