检索结果-南通市图书馆

0.18m CMOS工艺3.1~5.2GHz低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 41-45页

作者：王贵华明清王志功唐万春南京理工大学电子工程与光电技术学院南京210094 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1... 详细信息

基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1～5.2GHz频段内,S1112dB,S22<-12dB,噪声系数NF<3.1dB。电源电压为1.8V,功耗为14mW。

关键词：低噪声放大器输入回波损耗噪声系数互补金属氧化物半导体

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1.8GHzCMOS有源负载低噪声放大器

电子器件 2005年第3期28卷 494-496页

作者：王良江冯全源西南交通大学微电子研究所成都610031

提出了一种新的变压器型有源电感负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压器型有源电感... 详细信息

提出了一种新的变压器型有源电感负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压器型有源电感负载低噪声放大器可以得到更低的噪声系数。

关键词：互补金属氧化物半导体低噪声放大器有源电感噪声系数

基于FPGA的实时CMOS视频图像预处理系统

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深圳大学学报（理工版） 2013年第4期30卷 416-422页

作者：徐渊周清海张智朱明程深圳大学信息工程学院EDA技术中心深圳518060

架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界... 详细信息

架构一种实时互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)视频图像预处理系统的FPGA实现,该系统实现了图像传感器预处理的关键部分即色彩插值与色彩校正两大模块.在色彩插值处理中,引入一种简捷且有效的边界处理方法;色彩校正中,针对CMOS传感器的特点提出一种RGB空间校正矩阵的便捷生成方法,并在该预处理系统实现了包括自动白平衡、色差校正和伽马校正的功能.设计实现在Xilinx spartan6 LX45T FPGA上,处理速度达120.758 MHz,能实时处理标准高清720P@60fps和1080P@30fps视频图像.

关键词：集成电路技术数据收集和处理系统互补金属氧化物半导体大规模集成电路芯片现场可编程门阵列实时图像预处理伽马校正白平衡

一种用于车载以太网PHY的高速D/A转换器设计

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固体电子学研究与进展 2018年第6期38卷 439-445页

作者：赵玉彬祝永新田犁汪辉封松林李海华中国科学院上海高等研究院上海201210 中国科学院大学北京100049 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210 上海交通大学电子信息与电气工程学院上海200240

为了解决传统电流源的无杂散动态范围(SFDR)在高频时随输出阻抗迅速降低而降低的问题,采用旁支小电流的共源共栅结构电流源,提高了整体数模转换器(DAC)电路的动态性能。电流源阵列的版图设计中考虑到电流源相互的匹配性,采用了"W形"电... 详细信息

为了解决传统电流源的无杂散动态范围(SFDR)在高频时随输出阻抗迅速降低而降低的问题,采用旁支小电流的共源共栅结构电流源,提高了整体数模转换器(DAC)电路的动态性能。电流源阵列的版图设计中考虑到电流源相互的匹配性,采用了"W形"电流源阵列布局方式,有效降低了由梯度误差引起的不匹配。该DAC采用全6bit温度计译码的电流舵结构,输出满摆幅电流是40mA。该DAC基于SMIC 0.13μm CMOS工艺实现,DAC部分电路的面积为0.35mm×0.36mm,模拟电路采用3.3V电源,数字电路采用1.2V电源。电路流片测试结果表明:在信号频率为30MHz、采样频率为1GHz的情况下,无杂散动态范围(SFDR)测试结果为46.60dB。

关键词：物理层数模转换器互补金属氧化物半导体电流舵无杂散动态范围

基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路

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传感技术学报 2006年第6期19卷 2391-2394,2398页

作者：郭清朱大中浙江大学信息学院微电子技术与系统设计研究所杭州310027

研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁... 详细信息

研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T.

关键词：扇形分裂漏磁敏晶体管同步取样互补金属氧化物半导体磁敏传感器

CMOS APS光电器件单粒子效应电荷收集特性仿真分析

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核技术 2017年第7期40卷 40-44页

作者：安恒杨生胜苗育君薛玉雄曹洲王俊张晨光兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室兰州730000

卫星在轨飞行期间,星载电子器件将不可避免地遭受空间带电粒子的辐射,随着半导体技术的不断进步,电子器件的单粒子效应敏感性越来越高,已经成为一个影响其可靠性的重要因素。互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconduc... 详细信息

卫星在轨飞行期间,星载电子器件将不可避免地遭受空间带电粒子的辐射,随着半导体技术的不断进步,电子器件的单粒子效应敏感性越来越高,已经成为一个影响其可靠性的重要因素。互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor,CMOS APS)光电器件因其低功耗、小体积和微重量的优点已成为遥感卫星成像的重要发展方向。为获取CMOS APS光电器件在遭受带电粒子辐射后性能变化的特征,在分析SOI MOSFET(Silicon on Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)结构和特性的基础上,通过理论分析和数值模拟,分析了重离子在CMOS APS光电器件中引起的辐射损伤,分析晶体管和光电二极管的电荷收集机理。通过TCAD(Technology Computer Aided Design)模拟了电荷收集过程,分析了影响漏电流变化的直接因素,获得了重离子LET(Linear Energy Transition)值、入射位置以及器件偏置电压与漏电流的相互关系,为后续CMOS APS的重离子模拟试验以及抗辐射加固设计提供了理论支撑。

关键词：互补金属氧化物半导体单粒子效应电荷收集 TCAD仿真

一种具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 254-259页

作者：黄杏丽秦希秦亚杰黄煜梅洪志良复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行... 详细信息

设计实现了一个具有温度补偿的宽带CMOS可变增益放大器,该可变增益放大器的核心电路由三级基于改进型Cherry-Hooper结构的可变增益单元级联而成,并通过一种温度系数增强的且可编程的偏置电路和增益控制电路对可变增益放大器的增益进行温度补偿。采用中芯国际0.13μm CMOS工艺流片,测试结果表明可变增益放大器的可变增益范围为-13～27dB,经过温度补偿后,在相同增益控制电压下其增益在0～75°C温度范围内的变化范围不超过3dB。可变增益放大器的3dB带宽为0.8～3GHz,输入1dB压缩点为-50～-21dBm,在1.2V电压下,功耗为21.6mW。

关键词：宽带互补金属氧化物半导体可变增益放大器温度补偿

一种采用新的相频检测技术的CMOS数字锁相环

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固体电子学研究与进展 2004年第4期24卷 476-481页

作者：刘素娟周安宇陈建新蔡黎明徐东升北京工业大学光电子实验室北京100022 中国华大集成电路设计中心北京100015

提出了一种新型的数字锁相环 (DPLL) ,它的相频检测器采用全新的设计方法 ,与传统电荷泵锁相环相比 ,具有快速锁定、低抖动、低功耗、频率范围宽、且能消除相位“死区”的优点。锁相环在 1.8V外加电源电压时 ,工作在 6 0～ 6 0 0MHz宽... 详细信息

提出了一种新型的数字锁相环 (DPLL) ,它的相频检测器采用全新的设计方法 ,与传统电荷泵锁相环相比 ,具有快速锁定、低抖动、低功耗、频率范围宽、且能消除相位“死区”的优点。锁相环在 1.8V外加电源电压时 ,工作在 6 0～ 6 0 0MHz宽的频率范围内 ,最大功耗为 3.5mW。采用分数分频技术 ,具有较小的输出频率间隔 ,并利用Σ Δ调制改善相位噪声性能。设计采用 0 .18μm ,5层金属布线工艺。峰峰相位抖动小于输出信号周期(Tout)的 0 .5 % ,锁相环的锁定时间小于参考频率预分频后信号周期 (Tpre)的 15 0倍。

关键词：数字锁相环相频检测压控振荡器分数分频互补金属氧化物半导体

一种基于非线性补偿技术的混合模式65nmCMOS带隙基准源

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电路与系统学报 2010年第3期15卷 13-18页

作者：佟星元杨银堂朱樟明西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

通过对当前已有的两种低温漂带隙电压源进行分析和总结，提出了一种新型温度补偿技术。采用双端分段非线性补偿、对数项消除技术以及混合模式拓扑输出方式，设计了一种具有高温度稳定性的带隙电压基准源。整个电路基于65rimCMOS工艺实... 详细信息

通过对当前已有的两种低温漂带隙电压源进行分析和总结，提出了一种新型温度补偿技术。采用双端分段非线性补偿、对数项消除技术以及混合模式拓扑输出方式，设计了一种具有高温度稳定性的带隙电压基准源。整个电路基于65rimCMOS工艺实现，并成功应用于一种65nmCMOS触摸屏控制器中。当电源电压为2．5V时，带隙电压源的输出为949mV。当温度在-40℃-125℃范围变化时，输出电压仅变化0．44mV，温度系数约为2．87ppm／℃，非常符合高精度SoC的应用。

关键词：带隙基准分段非线性补偿混合模式互补金属氧化物半导体低温度系数