咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 4 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 4 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 光学工程
  • 2 篇 理学
    • 2 篇 物理学

主题

  • 4 篇 ⅲ-ⅴ化合物
  • 1 篇 半导体
  • 1 篇 石墨烯
  • 1 篇 半导体材料
  • 1 篇 穿透位错
  • 1 篇 温度反常现象
  • 1 篇 pl谱
  • 1 篇 半导体电子材料
  • 1 篇 干法刻蚀
  • 1 篇 黄色发光带
  • 1 篇 ⅲ氮化物
  • 1 篇 范德华外延
  • 1 篇 纳米管
  • 1 篇 缺陷

机构

  • 2 篇 厦门大学
  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 北京第三代半导体...

作者

  • 1 篇 任芳
  • 1 篇 吕毅军
  • 1 篇 高玉琳
  • 1 篇 康俊勇
  • 1 篇 尹越
  • 1 篇 朱洪亮
  • 1 篇 梁萌
  • 1 篇 郑健生
  • 1 篇 刘志强
  • 1 篇 黄启圣
  • 1 篇 陈琪
  • 1 篇 伊晓燕
  • 1 篇 魏同波

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=Ⅲ-Ⅴ化合物"
共 4 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
ⅲ-ⅴ化合物的范德华外延生长与应用
收藏
分享
引用
发光学报 2020年 第8期41卷 899-912页
作者： 陈琪 尹越 任芳 梁萌 魏同波 伊晓燕 刘志强 中国科学院半导体研究所照明研发中心 北京100083 中国科学院大学 北京100049 北京第三代半导体材料与应用工程技术研究中心 北京100083
ⅲ-ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行ⅲ-ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
干法刻蚀Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展
收藏
分享
引用
科学通报 1989年 第22期34卷 1681-1684页
作者： 朱洪亮 中国科学院半导体研究所
一、前言 干法刻蚀技术在硅器件材料及其集成电路的制作工艺中早已得到了深入的研究和广泛的应用。Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的干法刻蚀工作则是在80年代初才开始得到重视。近年来,光纤通信技术的迅速发展,对以Ⅲ—Ⅴ族化合物为基材制... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
半导体光电子材料中的缺陷
收藏
分享
引用
厦门大学学报（自然科学版） 2001年 第2期40卷 267-276页
作者： 康俊勇 黄启圣 厦门大学物理学系 福建厦门361005
介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)PL谱的温度反常现象
收藏
分享
引用
发光学报 2000年 第2期21卷 125-128页
作者： 吕毅军 高玉琳 郑健生 厦门大学物理系 福建厦门361005
对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了变温和变激发功率密度的ＰＬ谱研究，发现了ＰＬ谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动，但是出现了随温度变化的反常行为。从１９Ｋ... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件