(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)PL谱的温度反常现象

作     者：吕毅军 高玉琳 郑健生 LU Yi-jun;GAO Yu-lin;ZHENG Jian-sheng

作者机构：厦门大学物理系福建厦门361005 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2000年第21卷第2期

页      面：125-128页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目!(69776011) 福建省自然科学基金 红外物理国家重点实验室资助项目 

主　　题：半导体 温度反常现象 PL谱 Ⅲ-Ⅴ化合物 

摘      要：对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了变温和变激发功率密度的ＰＬ谱研究，发现了ＰＬ谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动，但是出现了随温度变化的反常行为。从１９Ｋ开始升温，ＰＬ谱峰先向红端移动，到５５Ｋ左右开始出现蓝移，在８４Ｋ左右蓝移达到最大，而后随着温度的继续升高，ＰＬ谱峰再次向红端移动。整个过程与温度呈Ｚ－型关系，而不是通常半导体样品所表现的线性红移的热猝灭规律。这是首次对四元合金（ＡｌｘＧａ１＿ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ中ＰＬ谱的温度反常现象的报道，从另一方面证实了有序结构在（ＡＩｘＧａ１－Ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ中的存在。初步推测，这种温度反常现象是由于有序结构导致的超晶格效应所引起的。