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共振隧穿二极管ⅰ-ⅴ特性的一致性测试与研究

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仪器仪表学报 2006年第z2期27卷 1189-1191页

作者：毛海央张文栋熊继军薛晨阳中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室&电子测试技术国防重点实验室太原030051

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其ⅰ-ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的ⅰ-ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同... 详细信息

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其ⅰ-ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的ⅰ-ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3％。随后测试仪器的测量误差,发现其中1％的相对漂移量由测试仪器造成。

关键词：共振隧穿二极管 ⅰ-ⅴ特性一致性压阻特性

n-ZnO/p-CuO同轴纳米线异质结的制备及其ⅰ-ⅴ特性

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武汉大学学报（理学版） 2013年第3期59卷 212-216页

作者：彭伟李金钗武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072

采用热蒸发气相沉积法在Si(100)衬底上生长直径约为60～70nm的氧化锌(ZnO)纳米线,进一步运用离子束溅射技术和热氧化工艺在ZnO纳米线表面形成含有均匀密集分布的超细氧化铜(CuO)纳米颗粒的CuO壳层,构成n-ZnO(核芯)/p-CuO(壳层)同轴纳米... 详细信息

采用热蒸发气相沉积法在Si(100)衬底上生长直径约为60～70nm的氧化锌(ZnO)纳米线,进一步运用离子束溅射技术和热氧化工艺在ZnO纳米线表面形成含有均匀密集分布的超细氧化铜(CuO)纳米颗粒的CuO壳层,构成n-ZnO(核芯)/p-CuO(壳层)同轴纳米线异质结.扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)用于研究样品的形貌、成分和晶体结构.实验结果表明,生长的ZnO纳米线呈纤锌矿单晶结构,CuO壳层为多晶结构.Ⅰ-Ⅴ曲线表明该同轴纳米线异质结构具有优良的二极管整流特性.这种具有大的异质结面积和高的比表面受光面积及强的表面化学活性的n-ZnO/p-CuO同轴纳米线异质结构在大电流密度的纳米整流器件、太阳能电池、光敏器件和气敏传感器等领域有很好的应用前景.

关键词：氧化锌(ZnO) 氧化铜(CuO) 同轴纳米线异质结 ⅰ-ⅴ特性

利用多层感知机和ⅰ-ⅴ特性的光伏组件建模方法

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福州大学学报（自然科学版） 2021年第3期49卷 336-342页

作者：余辉陈志聪郑巧吴丽君程树英林培杰福州大学物理与信息工程学院微纳器件与太阳能电池研究所福建福州350108

为了提高光伏组件模型的准确度和可靠性,提出一种利用多层感知机和不同工况下实测的ⅰ-ⅴ特性曲线数据集的建模新方法.首先,使用双线性插值法对实测Ⅰ-Ⅴ曲线进行重采样,以提高Ⅰ-Ⅴ曲线上数据点分布的均匀性;然后使用基于温度-辐照度... 详细信息

为了提高光伏组件模型的准确度和可靠性,提出一种利用多层感知机和不同工况下实测的ⅰ-ⅴ特性曲线数据集的建模新方法.首先,使用双线性插值法对实测Ⅰ-Ⅴ曲线进行重采样,以提高Ⅰ-Ⅴ曲线上数据点分布的均匀性;然后使用基于温度-辐照度的网格采样法对数据集进行下采样,降低数据冗余度.其次,提出一种基于多层感知机神经网络的光伏组件模型,并基于预处理的Ⅰ-Ⅴ曲线数据集,使用Adam算法训练该模型.最后,采用实测ⅰ-ⅴ特性曲线数据集,验证和测试了所提出的建模方法,并与支持向量机、梯度提升决策树等机器学习算法进行对比.实验结果证明,所提出的建模方法具有更高的精度和泛化性能.

关键词：光伏建模 ⅰ-ⅴ特性多层感知机神经网络

4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

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半导体技术 2008年第2期33卷 129-132页

作者：任学峰杨银堂贾护军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长... 详细信息

提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果。与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的I-V特性更加吻合。

关键词： 4H-碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管 ⅰ-ⅴ特性解析模型

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超导Nb膜的ⅰ-ⅴ特性和近藤效应研究

超导Nb膜的Ⅰ-Ⅴ特性和近藤效应研究

作者：曾寒松苏州大学

学位级别：硕士

铌（Nb）是第二类低温超导体。Nb薄膜和纳米结构中存在着丰富的物理现象,如连续的涡旋玻璃化转变和费米液体金属中的多体关联现象。实验证明低温超导体与高温超导体在涡旋相变性质存在很多相似之处,但是也存在许多不同的地方。同时,钉... 详细信息

铌（Nb）是第二类低温超导体。Nb薄膜和纳米结构中存在着丰富的物理现象,如连续的涡旋玻璃化转变和费米液体金属中的多体关联现象。实验证明低温超导体与高温超导体在涡旋相变性质存在很多相似之处,但是也存在许多不同的地方。同时,钉扎缺陷会破坏磁通晶格,Nb膜的涡旋相变性质因此可能会受到低维尺寸效应的影响,但这方面的研究仍然不多。另外,Nb膜中的杂质缺陷,特别是磁性杂质的存在会在金属Nb膜中产生近藤效应。研究超导体中超导特性和近藤效应的竞争过程有利于进一步理解费米液体金属中的多体关联现象。但是Nb的熔点高达2468摄氏度,用常规合金熔炼的方法很难在Nb中精确掺杂磁性杂质,这导致Nb相关的近藤效应研究报道极少,研究结论不具有普遍性。针对以上两个问题,本文首先研究了不同尺寸Nb膜的ⅰ-ⅴ特性,以揭示低维尺寸效应对Nb膜超导特性的影响。然后本文设计了接触扩散合金化的方法,在Nb膜中可控地掺入了不同浓度的Fe杂质,系统地研究了其超导特性和近藤效应的竞争过程。具体研究结果如下:（1）在不同外加磁场下（B=1 T,0.6 T,0.2 T）,研究了尺寸分别为10μm和5 μm Nb膜的ⅰ-ⅴ特性。10 μm和5 μm样品的实验结果表明,在某一个温度附近会出现反向的Ⅰ-Ⅴ曲率,这证明Nb膜发生了从涡旋液态到涡旋玻璃态的相变过程。通过对不同温度下Nb膜的Ⅰ-Ⅴ曲线进行涡旋玻璃标度理论分析,发现10 μm和5 μm样品的涡旋玻璃化转变特征具有普适性。进一步对比10 μm和5 μm样品的结果,发现尺寸效应会影响涡旋相变出现的临界温度和磁场。但是300nm样品的超导特性出现异常,进一步分析可能是样品在聚焦离子束（FIB）过程中样品氮化和Nb+Ga合金化带来了影响。（2）通过接触扩散合金化的方法,将Nb膜与Fe接触后在氮气或氩气中退火,在Nb膜中掺入Fe杂质,研究了其电学输运反常现象。结果表明,纯Nb膜样品在8.9 K附近表现出单一的超导转变。将样品在氮气或氩气中经过不同温度退火后,发现样品在经过300℃和400℃温度下退火60分钟后,超导转变温度被抑制在8.9 K以下。此外,在500℃和600℃温度下退火60分钟样品的超导转变温度被抑制在2 K以下。从400℃退火的样品中发现,超导电性和近藤效应共存。我们发现变化退火时间同样会出现这样的现象,并且它们的R-T曲线在高磁场下都出现了电阻最小值。这样的电阻最小值现象一直持续到高磁场8.5 T,并且R-T曲线都可以用Kondo模型和数值重整化群（NRG）理论很好的拟合。我们把这种反常的电学输运性质归因于近藤效应。这证明了在退火的过程中有大约单个的铁原子扩散到了 Nb膜中。本文的结果还为高熔点金属中近藤效应的研究提供了一种新的方法。

关键词： Nb膜超导 ⅰ-ⅴ特性涡旋玻璃相变 Fe掺杂近藤效应

基于应变工程二维MoS2和CsPbBr3器件电输运特性研究

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基于应变工程二维MoS2和CsPbBr3器件电输运特性研究

作者：魏耀铖湘潭大学

学位级别：硕士

二维材料凭借其优异的物理和化学性质得到了广大科学研究者的青睐。二维二硫化钼（MoS）和溴化铯铅（CsPbBr）是两种典型的半导体且具有带隙可调的特点,这使得它们在电子器件领域中具有较大的应用前景。然而,二维材料的性能受到材料层... 详细信息

二维材料凭借其优异的物理和化学性质得到了广大科学研究者的青睐。二维二硫化钼（MoS）和溴化铯铅（CsPbBr）是两种典型的半导体且具有带隙可调的特点,这使得它们在电子器件领域中具有较大的应用前景。然而,二维材料的性能受到材料层数和缺陷等因素的巨大影响,本征的二维材料光电性能却有待改善。研究表明,应变工程是一种增强二维材料器件性能的有效手段。因此本文基于应变工程研究了少层二维MoS和不同厚度二维CsPbBr纳米片器件的电流-电压性能,进一步探索它们在未来电子器件中的应用。本论文的主要研究内容如下:1.分别使用化学气相沉积法和低温液相法制备了二维MoS和二维CsPbBr纳米片。通过光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜表征形貌,利用拉曼光谱和X射线衍射表征它们的物相。利用导电原子力显微镜构建了基于二维MoS和CsPbBr的器件。2.通过湿法辅助转移将MoS转移至图案化基底上,形成约束应变。然后基于开尔文探针模块测试了其表面电势的变化,发现槽边缘处的接触电势相对于槽中心处降低了约94 m V。因此,进一步使用导电原子力显微镜测试了长方形槽上MoS七个不同点的局部ⅰ-ⅴ特性,结果显示越靠近槽边缘MoS的电导率越大。使用拉曼面扫和有限元模拟确定了MoS应变的分布。最后基于第一性原理计算得到七层MoS能带随应变的变化率约为-103me V/%。实验得到不同应变下的MoS电导率与理论值能较好匹配,证明了应变减小了MoS的能带从而增强了其导电性。3.基于Hertzian模型计算了CsPbBr在不同针尖载荷下的应变大小。通过原子力显微镜针尖向样品施加应变,基于导电原子力显微镜测试了12 nm、17.5 nm和22 nm厚的CsPbBr在载荷为10 n N、20 n N和30 n N时的ⅰ-ⅴ特性曲线,并且随着载荷的增大ⅰ-ⅴ特性增强。根据热电子发射模型计算了它们在不同载荷下的肖特基势垒。结果表明随着载荷的增加所有样品的肖特基势垒均减小,并且越薄的样品相应的肖特基势垒越低,从而表现为更好的电学响应。然后基于压电力显微镜测试了三种样品的压电性能,得到了12 nm、17.5 nm和22 nm厚的CsPbBr的垂直方向压电系数分别为12 pm/V、9 pm/V和3 pm/V。最后基于压电光电子学理论,解释了载荷增大肖特基势垒减小的原因是压电效应导致的电荷极化。

关键词：二维MoS2 二维CsPbBr3 导电原子力显微镜应变工程 ⅰ-ⅴ特性

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光伏组件户外ⅰ-ⅴ特性测试问题及分析

质量技术监督研究 2017年第6期 2-6页

作者：王仁书杨爱军游宏亮福建省计量科学研究院福建福州350003 国家光伏产业计量测试中心福建福州350003

光伏组件户外Ⅰ-Ⅴ测试受到环境因素的影响,测试结果存在较大的偏差。为提高光伏组件户外ⅰ-ⅴ特性测试的准确度,分析测试过程中存在问题,并提出相应的解决方法,同时分析IEC 60891-2009中的修正程序,以确保更准确地进行修正,得到组件在... 详细信息

光伏组件户外Ⅰ-Ⅴ测试受到环境因素的影响,测试结果存在较大的偏差。为提高光伏组件户外ⅰ-ⅴ特性测试的准确度,分析测试过程中存在问题,并提出相应的解决方法,同时分析IEC 60891-2009中的修正程序,以确保更准确地进行修正,得到组件在标准测试条件(STC)下的特性参数。最后,通过测试实验,验证了方法的有效性。

关键词：光伏组件 ⅰ-ⅴ特性标准测试条件(STC) 修正程序