共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究
Measurement and research onⅠ-Ⅴcoherence of resonant tunneling diode作者机构：中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室&电子测试技术国防重点实验室太原030051
出 版 物：《仪器仪表学报》 (Chinese Journal of Scientific Instrument)
年 卷 期：2006年第27卷第z2期
页 面：1189-1191页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 081102[工学-检测技术与自动化装置] 0811[工学-控制科学与工程]
基 金：国家自然科学基金资助项目(50405025 50375050)
摘 要：共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3％。随后测试仪器的测量误差,发现其中1％的相对漂移量由测试仪器造成。
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