检索结果-南通市图书馆

^(60)coγ射线辐照对大蒜农艺性状与叶片特征的影响

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中国农学通报 2018年第1期34卷 56-60页

作者：何梅高杰贾凯朱君芳许建新疆农业职业技术学院园林科技分院新疆昌吉831100 新疆农业大学林学与园艺学院乌鲁木齐830052

为探索辐照剂量对大蒜辐照诱变效应,以休眠期白皮蒜与萌发期紫皮蒜为试材,采用0~40 Gy ^(60)coγ射线辐照处理,研究辐照剂量对大蒜农艺性状、叶片上表皮气孔、细胞形态的影响。结果表明,20 Gy剂量能够完全抑制大蒜萌发,休眠期白皮蒜较... 详细信息

为探索辐照剂量对大蒜辐照诱变效应,以休眠期白皮蒜与萌发期紫皮蒜为试材,采用0~40 Gy ^(60)coγ射线辐照处理,研究辐照剂量对大蒜农艺性状、叶片上表皮气孔、细胞形态的影响。结果表明,20 Gy剂量能够完全抑制大蒜萌发,休眠期白皮蒜较萌发期紫皮蒜辐射耐受性强,且相同辐射剂量下农艺性状表现均较好。随辐射剂量增加2个品种均出现植株矮化、假茎缩短、叶片数降低、叶面积减少等现象,叶片气孔长度、宽度以及上表皮细胞长度呈变小趋势。综合可见,萌发期的紫皮蒜对辐射更具敏感性,而小于10 Gy为大蒜辐照诱变育种适宜剂量范围。

关键词：大蒜 ^60coγ辐照农艺性状气孔形态

^(60)co γ辐照对抽真空复合包装材料性能影响初探

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核农学报 2007年第4期21卷 383-386页

作者：丘苑新叶盛英余恺仲恺农业技术学院科研处广东广州510225 华南农业大学食品学院广东广州510642

对经0～10kGy剂量60coγ射线照射的两种抽真空复合包装袋(CPP/nylon/PE和PP/Al/PE)的力学、阻隔性能进行了测试,并利用环境扫描电镜对包装膜的断面结构进行了观察。结果显示,辐照后CPP/nylon/PE膜透氧系数变化显著,伸长率及透湿率变化... 详细信息

对经0～10kGy剂量60coγ射线照射的两种抽真空复合包装袋(CPP/nylon/PE和PP/Al/PE)的力学、阻隔性能进行了测试,并利用环境扫描电镜对包装膜的断面结构进行了观察。结果显示,辐照后CPP/nylon/PE膜透氧系数变化显著,伸长率及透湿率变化极显著;PP/Al/PE膜透湿率及透氧系数变化显著,抗拉强度及伸长率变化极显著。

关键词： ^60coγ辐照抽真空复合包装袋力学性能阻隔性能

^(60)co γ射线对续随子干种子的生理损伤

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核农学报 2009年第1期23卷 95-97,122页

作者：金梦阳危文亮中国农业科学院油料作物研究所/湖北省能源油料与生物柴油研究中心湖北武汉430062

以1Gy/min的剂量率,用不同剂量(0~800Gy)的60coγ射线辐照续随子干种子,对M1种子萌发情况及苗期性状进行调查。分析结果显示,在供试剂量范围内,辐照对续随子发芽率无明显影响,对发芽势、发芽指数、活力指数及幼苗生长量有显著或极显著... 详细信息

以1Gy/min的剂量率,用不同剂量(0~800Gy)的60coγ射线辐照续随子干种子,对M1种子萌发情况及苗期性状进行调查。分析结果显示,在供试剂量范围内,辐照对续随子发芽率无明显影响,对发芽势、发芽指数、活力指数及幼苗生长量有显著或极显著的抑制效应;且抑制效应随剂量的增加和幼苗的生长而增大。在以上数据分析基础上,以活力指数下降一半时的剂量VID50及幼苗半致矮剂量GR50为标准,通过回归分析初步预测,供试续随子适宜辐照诱变剂量约为400~600Gy。

关键词：续随子 ^60coγ辐照诱变效应辐照剂量

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^(60)coγ辐射对金鱼胚胎发育的影响

核农学报 2005年第5期19卷 386-389页

作者：戴桂馥吴健张凤秋徐文举霍建磊霍裕平郑州大学生物工程系河南郑州450052 郑州大学离子束生物工程省重点实验室河南郑州450052 郑州大学物理工程学院河南郑州450052

本文以金鱼幼胚为材料研究了不同剂量和不同剂量率的60coγ辐射对其胚胎发育的影响。结果表明,0.5~1.0Gy的辐射能加快胚胎发育的进程,但最终孵化率却很低,即超敏(HRS)现象,而2.0~4.0Gy为引起增强的辐射抗性(IRR)阶段。在相同剂量和剂量... 详细信息

本文以金鱼幼胚为材料研究了不同剂量和不同剂量率的60coγ辐射对其胚胎发育的影响。结果表明,0.5~1.0Gy的辐射能加快胚胎发育的进程,但最终孵化率却很低,即超敏(HRS)现象,而2.0~4.0Gy为引起增强的辐射抗性(IRR)阶段。在相同剂量和剂量率下,处于4~8细胞期的胚胎存活率比多细胞期和囊胚早期高,而畸形率低。当以5.0Gy的剂量辐射时,剂量率小于1.0Gy/min的慢辐射对胚胎的危害大于较高剂量率(1.0~2.0Gy/min)的快辐射。

关键词： ^60coγ辐照金鱼胚胎 ^60co 胚胎发育 γ辐射剂量率胚胎存活率材料研究辐射抗性

65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

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物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60coγ辐照辐射损伤数值仿真

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12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应

核技术 2011年第9期34卷 669-674页

作者：吴雪陆妩王义元胥佳灵张乐情卢健于新胡天乐中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049 新疆大学乌鲁木齐830046

对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)... 详细信息

对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。

关键词： BiCMOS 模数转换器剂量率 ^60coγ辐照

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双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究

固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 471-476页

作者：任迪远陆妩余学锋郭旗艾尔肯中科院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运... 详细信息

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。

关键词：双极晶体管双极运算放大器 ^60coγ辐照剂量率效应

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80C31单片机电路总剂量效应研究

微电子学 2005年第6期35卷 584-586,590页

作者：匡治兵郭旗任迪远李爱武汪东中国科学院新疆理化技术研究所

研究了80C31单片机电路在60coγ辐照环境中的响应特性及参数变化规律,通过对辐照后其电离辐照敏感参数在室温和100℃高温条件下随时间变化关系的分析,讨论了电路总剂量辐射损伤的机理。

关键词：单片机 ^60coγ辐照辐射损伤退火

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运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应

Journal of Semiconductors 2005年第7期26卷 1464-1468页

作者：陆妩任迪远郭旗余学峰艾尔肯中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET Bi,MOS Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小... 详细信息

对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET Bi,MOS Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的“后损伤”现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别.

关键词：运算放大器 ^60coγ辐照退火剂量率效应