12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应

作     者：吴雪 陆妩 王义元 胥佳灵 张乐情 卢健 于新 胡天乐 

作者机构：中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049 新疆大学乌鲁木齐830046 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2011年第34卷第9期

页      面：669-674页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 1009[医学-特种医学] 0702[理学-物理学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

主　　题：BiCMOS 模数转换器 剂量率 ^60Coγ辐照 

摘      要：对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别较大,微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)和失码(Misscode)在低剂量率下电离损伤更严重,表现出明显的低剂量率损伤增强效应(Enhanced-Low-Dose-Rate-Sensitivity,ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型对ADC的损伤机理进行了讨论。