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高能重离子辐照诱发合成发射特定光波的Si基发光材料

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高能重离子辐照诱发合成发射特定光波的Si基发光材料

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究

第十一届全国核物理大会

作者：王志光金运范谢二庆陈晓曦朱智勇侯明东刘昌龙中国科学院近代物理研究所中国科学院近代物理研究所兰州大学物理系中国科学院近代物理研究所中国科学院近代物理研究所中国科学院近代物理研究所中国科学院近代物理研究所

自 Canham 发现多孔硅在室温下受光激发发射可见光现象以来,发光材料的研制引起了世界科学界和企业界的重视。实验研究和理论分析表明,晶粒尺寸在6nm 左右的材料,具有明显的量子限域效应,能发出较强的光。由于硅基纳米发光材料

关键词：高能重离子辐照注碳 SiO2簿膜 Si 基发光材料光致发光

来源： cnki会议评论

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新疆大学学报（自然科学版） 2003年第2期20卷 130-132页

作者：黄龙新疆大学物理系新疆乌鲁木齐830046

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的... 详细信息

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.

关键词： III-V族化合物半导体高能重离子辐照正电子湮没寿命谱 N型GaP P型InP 辐照缺陷磷化镓磷化铟

高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究

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高能物理与核物理 2005年第8期29卷 824-829页

作者：赵志明王志光 A.Benyagoub M.Toulemonde F.Levesque 宋银金运范孙友梅中国科学院近代物理研究所 CIRIL BP513314070 Caen Cedex05France

室温下,先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017,5.0×1017或8.6×1017ions/cm2,再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011,1.0×1012或3.8×1012ions/cm2,然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱.通过分析测量得到的傅里叶变换红外谱,发现Pb离子辐照在注碳SiO2样品中可引起大量的Si—C和Si(C)—O—C等化学键的形成,大剂量Pb离子辐照可在大剂量注碳的SiO2中产生分子CO2.大量的Si—C键的存在和分子CO2的形成,预示着高能Pb离子辐照在注碳SiO2样品中有可能形成了纳米Si团簇和/或SiC晶粒.

关键词：低能离子注入高能重离子辐照原子混合 FTIR谱红外光谱

New Chemical Bonds Formation in N-doped Diamond Induced by High Energy Heavy Ion Irradiations

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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2002年第1期 47-48页

作者： Wang Zhiguang, Liu Jie, Sun Youmei, Jin Yunfan, Zhao Zhiming and Song Yin

In the present work, "low energy ion implantation+swift heavy ion irradiation" technique was used for studying new chemical bonds formation in N-doped diamond samples under high-energy heavy ion irradiations. The N-do... 详细信息

关键词：高能重离子辐照化学键掺氮金刚石低能离子植入技术拉曼光谱分析材料结构定性分析重离子核物理

Focusing High Energy Heavy Ions to Micrometers

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IMP & HIRFL Annual Report 2011年第1期 110-111页

作者： Du Guanghua Sheng Lina Guo Jinlong Wu Ruqun Mao Ruishi Yang Weiqing Zhang Xiaoqi Yuan Youjin Song Mingtao

XRD Investigation of Phase Change in N-doped Diamond after High Energy Heavy Ion Irradiations

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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2002年第1期 48-49页

作者： Wang Zhiguang, Zhao Zhiming, Song Yin, Jin Yunfan, Liu Jie, Sun Youmei Zhang Chonghong and Duan Jinglai

We have proposed a novel technique, 'low energy ion implantation+swift heavy ion irradiation', for synthesizing new structures in atom mixed materials. The schematic procedure of this technique is shown in Fig.1. In detail, the original samples were prepared at first (1), and then they were implanted at room temperature (RT) with keV ions (2) after that irradiated at RT with high-energy heavy ions (3). After high-energy

关键词：高能重离子辐照掺氮金刚石相变 X射线分析重离子核物理低能离子植入技术金刚石薄膜化学气相沉积法

RBS Analysis of N-profile in N-doped Diamond after High Energy Heavy Ion Irradiations

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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2002年第1期 51-51页

作者： Wang Zhiguang, Zhang Chonghong, Zhao Zhiming, Liu Jie and Jin Yunfan

We have proposed a novel technique, 'low energy ion implantation + swift heavy ion irradiation', for synthesizing new structures in atom mixed materials. Recently, we used this technique to synthesize carbon-nitrides such as a and β-C3N4. As we know, the ratio of nitrogen (N-) to carbon (C-) atoms is one of the key parameters for synthesizing the phase a or β-C3N4. The ideal ratio of N- to C-atoms, N/C, is 4/3. However, this value could not be easily achieved on account of the solubility, diffusion and release of the nitrogen atoms

关键词：高能重离子辐照掺氮金刚石氮剖面 RBS分析重离子核物理低能离子植入技术化学气相沉积技术