检索结果-南通市图书馆

15～17GHz高精度单片数控移相器的研制

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 54-58页

作者：潘晓枫沈亚洪伟南京电子器件研究所南京210016 东南大学信息科学与工程学院南京210096

采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15～17GHz设计频带内,该移相器具有优良的电性能,插入损耗小于9dB,移相精度(RMS)小于1°,输入输... 详细信息

采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15～17GHz设计频带内,该移相器具有优良的电性能,插入损耗小于9dB,移相精度(RMS)小于1°,输入输出电压驻波比小于1.4。

关键词：砷化镓移相器高电子迁移率场效应晶体管微波单片集成电路

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GaN组合开关电路及其驱动技术研究

西安科技大学学报 2016年第6期36卷 882-887页

作者：王树奇吉才刘树林西安科技大学通信与信息工程学院陕西西安710054 中国移动通信集团山西有限公司山西吕梁033000 西安科技大学电气与控制工程学院陕西西安710054

基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的... 详细信息

基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。

关键词：氮化镓高电子迁移率场效应晶体管耗尽型驱动电路开关变换器

AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计

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半导体技术 2006年第1期31卷 52-55页

作者：林锡贵郝跃冯倩张进城西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反... 详细信息

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz～8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小。

关键词：高电子迁移率场效应晶体管功率放大器 ADS负载牵引共轭匹配

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气相沉积聚酰亚胺在微型电子器件中的应用

电子元件与材料 2014年第3期33卷 27-30页

作者：褚夫同王乔升戴丽萍刘兴钊电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增加,PI/Cr薄膜介电常数逐渐增大;当将PI薄膜应用于压电微机械超声换能器(pMUTs)中时,pMUTs机电耦合系数显... 详细信息

采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增加,PI/Cr薄膜介电常数逐渐增大;当将PI薄膜应用于压电微机械超声换能器(pMUTs)中时,pMUTs机电耦合系数显著提高,所研制pMUTs在光声成像演示中探测到了较强的光声信号;当将PI/Cr薄膜应用于AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)中时,HEMTs的击穿电压由156 V提高到248 V,HEMTs器件的耐压能力显著改善。

关键词：气相沉积聚合聚酰亚胺薄膜高介电常数介质压电微机械超声换能器高电子迁移率场效应晶体管

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射频用硅基氮化镓的外延生长研究

射频用硅基氮化镓的外延生长研究

作者：马金榜西安电子科技大学

学位级别：硕士

GaN作为第三代宽禁带半导体的典型代表,由于其禁带宽度大、极化强度高、有大的击穿场强等优点,被广泛应用于大功率器件、发光二极管以及射频器件中。Si基GaN材料凭借着优于蓝宝石衬底的热导率、尺寸大、成本低以及可以与Si工艺相兼容等... 详细信息

GaN作为第三代宽禁带半导体的典型代表,由于其禁带宽度大、极化强度高、有大的击穿场强等优点,被广泛应用于大功率器件、发光二极管以及射频器件中。Si基GaN材料凭借着优于蓝宝石衬底的热导率、尺寸大、成本低以及可以与Si工艺相兼容等优点,在5G通信、手机前端等领域有着非常好的应用前景,得到了研究人员的广泛关注。但是相比与蓝宝石、Si C衬底上外延得到的GaN HEMT,Si衬底和GaN之间的晶格失配和热失配更大,得到的Si基GaN会受到较大的张应力,产生较大的翘曲,使得最终得到的Si基GaN的晶体质量和均匀性受到影响。此外,采用Si基GaN进行射频器件的制备时,其射频损耗比蓝宝石衬底、Si C衬底上的更加严重,限制了Si基GaN在微波毫米波器件以及射频方面的应用。本文就低缺陷、高均匀性、低射频损耗的Si基GaN材料生长优化以及高性能的Si基GaN HEMT器件制备表征等方面展开研究工作。研究成果如下:1、本文在常规的Si基GaN材料生长的基础上创新性的对Si衬底进行了预处理,最终实现了21%的Si基GaN的位错密度降低,得到了低缺陷密度的Si基GaN样品,为进一步提高Si基GaN的晶体质量指出了一种新的可能。2、在Si衬底预处理这一方法的基础上,进一步研究了Si基AlGaN/GaN异质结的均匀性的影响因素。实验表明Si基AlGaN/GaN异质结的方阻均匀性与Si基AlGaN/GaN异质结的翘曲密切相关,Si基AlGaN/GaN异质结较大的翘曲会导致GaN中心、二分之一半径和边缘处的位错密度存在差异,影响了载流子迁移率,最终导致方阻均匀性变差。对于这一现象建立了模型加以说明并通过优化翘曲将方阻不均匀性由13.25%降低到6.66%。3、基于翘曲实验的优化条件,研究了预铺铝气流量对Si基AlGaN/GaN异质结的方阻均匀性的影响。通过优化预铺铝气流量将外延生长得到的Si基AlGaN/GaN异质结方阻不均匀性由6.66%降低到2.84%。4、对Si基AlGaN/GaN异质结中螺位错、刃位错的不同湮灭机制进行了研究。TEM等测试结果表明刃位错的湮灭与Al组分的有无存在密切联系,而相比之下螺位错在各层均可以得到较好的湮灭。5、针对Si基AlGaN/GaN异质结射频损耗严重这一问题,本文首次采用原位补偿的方式来对衬底中寄生P型导电沟道进行补偿。在实现较好原位补偿的基础上使得最终Si基GaN的质量得到改善。对基于优化后的预铺磷条件制备的CPW结构进行表征后发现,相比于未采用原位补偿磷的Si基AlN基板,原位补偿磷之后其射频损耗降低了60%以上,表明原位补偿这一方式在降低Si基AlGaN/GaN异质结射频损耗方面具有极大的应用潜力。6、成功制备了高性能的Si基GaN HEMT器件,完成了相关测试与表征。未掺杂的Si基GaN HEMT器件直流饱和输出电流密度为600 m A/mm,最大跨导为140m S/mm,并且器件具有很低的漏电,关态漏极漏电流和关态栅极漏电流分别为0.11μA/mm和0.03μA/mm。在小栅漏间距下,该Si基GaN HEMT器件展现出了优异的三端击穿特性,在栅-漏间距为2.5μm时,其击穿电压为240 V,单位击穿场强高达96 V/μm,位居世界前列,展现出了优异的耐压能力,非常适用于小栅漏间距下的Si基GaN射频器件领域。

关键词： Si基GaN 预处理翘曲射频损耗原位补偿高电子迁移率场效应晶体管

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基于经验模型的GaN HEMT建模研究

基于经验模型的GaN HEMT建模研究

作者：黄昌洋杭州电子科技大学

学位级别：硕士

GaN HEMT良好的功率和开关特性使其在微波射频和电力电子领域具有巨大的应用潜力。当前,基于高性能GaN HEMT器件的电路模块及其相关模拟仿真日益增多,在对基于GaN HEMT器件的电路模块进行仿真设计时,需用到GaN HEMT模型,因而有关GaN HEM... 详细信息

GaN HEMT良好的功率和开关特性使其在微波射频和电力电子领域具有巨大的应用潜力。当前,基于高性能GaN HEMT器件的电路模块及其相关模拟仿真日益增多,在对基于GaN HEMT器件的电路模块进行仿真设计时,需用到GaN HEMT模型,因而有关GaN HEMT模型相关研究越发重要。其中,GaN HEMT经验模型因其适中的复杂度和精度、开发周期短以及可通过灵活调整参数就不同器件特性提高模拟精度等的优势而受到关注。因此,本文在已有的GaN HEMT经验模型基础上,重点对改进和优化GaN HEMT经验模型相关的问题进行了研究和讨论。具体包括以下内容:本文针对已有的Hong I-V模型所存在的宽电压下精度低、部分参数意义不明确以及Angelov I-V模型无法精确地表征夹断电压附近和膝点电压区的I-V特性问题,从模型的参数意义出发,考虑GaN HEMT的源漏接入区电阻的非线性行为和陷阱效应带来的影响建立了适用于高功率场景下参数易于提取的高精度GaN HEMT直流I-V经验模型。然后结合提出的基于双曲正切函数的GaN HEMT C-V经验模型及其在PSpice中的实现方式从而建立了可靠的EPC2010(200V/12A)GaN HEMT功率开关器件的PSpice经验模型。最终建立的模型在双脉冲动态仿真中的结果与使用EPC官方所提供的模型进行仿真的结果基本一致,从而验证了模型的准确性。另外,为了解决GaN HEMT温度相关的直流I-V经验模型精度与复杂度之间的平衡问题,提出了温度相关的全局敏感参数并以此为基础提出了建立高精度GaN HEMT直流I-V温度模型的一种新的通用方法。通过温度相关的全局敏感参数和提出的模型参数提取流程,结合基于沟道调制效应和陷阱效应等器件物理特性改进所得的高精度GaN HEMT常温直流I-V经验模型,建立了一个与温度相关的新的GaN HEMT直流I-V经验模型。将其应用到三款以4-H Si C为衬底的不同源漏间距不同温度下(主要涉及300 K、350 K、400 K和450K)的GaN HEMT器件的直流I-V模拟中,结果显示模拟结果与实际测试结果符合的很好,且模拟结果和实际测试结果之间的RMSE最大仅为%0.00911,而R均在0.999以上。总之,本文对GaN HEMT经验模型的建立进行了研究,提出了新的GaN HEMT直流I-V经验模型和C-V经验模型的优化和改进方法,并验证了所提模型的有效性和精度,同时在最后总结与展望部分基于本研究展望了今后GaN HEMT经验模型方面研究努力的方向。

关键词：氮化镓高电子迁移率场效应晶体管经验模型参数提取

蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究

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红外与激光工程 2019年第9期48卷 132-138页

作者：李金伦崔少辉(指导) 张静张振伟张博文倪海桥牛智川中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系河北石家庄050003 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室陕西西安710071 首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室北京100048 中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心北京100083 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电... 详细信息

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。

关键词：太赫兹探测器高电子迁移率场效应晶体管磷化铟蝶形天线分子束外延

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PHEMT器件界面态分析方法综述

电子产品可靠性与环境试验 2008年第3期26卷 20-23页

作者：张鹏黄云李斌华南理工大学物理科学与技术学院广东广州510641 信息产业部电子第五研究所广东广州510610

介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;... 详细信息

介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;根据跨导随频率变化的规律来测量界面态的密度。

关键词：高电子迁移率场效应晶体管砷化镓器件界面态