15～17GHz高精度单片数控移相器的研制
15～17 GHz High Precision Digital Phase Shifter MMIC作者机构：南京电子器件研究所南京210016 东南大学信息科学与工程学院南京210096
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2010年第30卷第1期
页 面：54-58页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
主 题：砷化镓 移相器 高电子迁移率场效应晶体管 微波单片集成电路
摘 要：采用南京电子器件研究所4英吋0.25μmGa AsPHEMT工艺技术,设计、制作Ku波段Ga AsMMIC六位数控移相器芯片,芯片尺寸为3mm×1.1mm×0.1mm。在15～17GHz设计频带内,该移相器具有优良的电性能,插入损耗小于9dB,移相精度(RMS)小于1°,输入输出电压驻波比小于1.4。
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