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碳酸氢铵高温氨化稻草试验

现代化农业 2000年第6期 21-21页

作者：张凤珍黑龙江农垦机械化学校北安164021

利用碳酸氢铵作氨源 ,在电热恒温水浴锅里对稻草进行正交氨化试验 ,结果表明高温氨化可以显著提高稻草的粗蛋白质含量 ,并且找出了温度和时间这两个主要因素对氨化效果的影响规律以及二者间的相互关系。

关键词：高温氨化碳酸氢铵稻草

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微波水热及氨化法制备GaN纳米棒

功能材料与器件学报 2011年第2期17卷 218-222页

作者：李栋王芬朱建锋薛小霜陕西科技大学材料科学与工程学院西安710021

以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒。采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征。研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成。XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌... 详细信息

以Ga2O3为原料,用微波水热法和高温氨化两步法合成GaN纳米棒。采用XRD及SEM对其结晶形貌进行表征。研究得出,GaN纳米粉呈长径比约为5:1的棒状,该纳米棒是由沿(002)方向高度取向一致的GaN晶粒结晶而成。XRD分析显示,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构且结晶良好。光致发光(PL)分析显示,合成纳米棒在367nm处存在GaN本征发光峰。中心位于468nm、493nm及534nm附近出现了宽而弱的发射带,这有助于GaN在光电领域的应用。

关键词：微波水热高温氨化 GaN 纳米棒

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Mn掺杂GaN粉末的制备和性质研究

半导体技术 2008年第6期33卷 483-487页

作者：郭俊梅刘清华赵瑞斌李秀玲周鸿娟侯登录河北师范大学物理科学与信息工程学院石家庄050016 河北邢台学院物理系河北邢台054001

利用溶胶-凝胶法制备了不同Mn质量分数（0%-7%）的GaMnN粉体样品。经XRD检测所有样品均为六角纤锌矿结构，没有发现第二相，而且晶格常数随Mn质量分数的增加而增加。光致发光谱（PL）结果显示，紫外发光峰P1为GaN来源于带间发射的本征... 详细信息

利用溶胶-凝胶法制备了不同Mn质量分数（0%-7%）的GaMnN粉体样品。经XRD检测所有样品均为六角纤锌矿结构，没有发现第二相，而且晶格常数随Mn质量分数的增加而增加。光致发光谱（PL）结果显示，紫外发光峰P1为GaN来源于带间发射的本征发光峰，且随着Mn质量分数增加略有红移，说明GaN的带隙变窄。XPS谱证明Mn离子处于＋2价。磁性测量显示，所有掺Mn的样品在5 K温度下均为顺磁性，居里-外斯温度为负值，表明样品中最近邻Mn离子之间存在着很强的反铁磁相互作用。

关键词：溶胶-凝胶氮化镓高温氨化顺磁性光致发光

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GaN基稀磁半导体的制备与性质研究

GaN基稀磁半导体的制备与性质研究

作者：郭俊梅河北师范大学

学位级别：硕士

稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors,DMSs)是一种由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分替代非磁性半导体中的阳离子所形成的新的一类半导体材料。它集电子的电荷和自旋于一体,使之具有了半导体的电荷输运特性和磁性材料的... 详细信息

稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors,DMSs)是一种由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分替代非磁性半导体中的阳离子所形成的新的一类半导体材料。它集电子的电荷和自旋于一体,使之具有了半导体的电荷输运特性和磁性材料的信息存储特性,从而使DMS具有了一些奇异的性质。目前,稀磁半导体已经成为了国内外研究的热门课题,而GaN作为宽带隙的半导体材料也受到了人们的关注,并且在理论和实验上都取得了一些成果。但仍存在一个难题——铁磁性的起源问题,一直还存在着争议,没有得到一致的结果。为了对这一问题进一步研究,本文在GaN基DMS材料方面做了一些研究工作。本文采用的是两步法,第一步是制备镓锰(镓铁)氧化物,第二步为高温氨化。1. GaMnN系列样品:溶胶凝胶方法制备一系列改变Mn浓度的样品和利用固相反应法及磁控溅射法制备的Ga0.95Mn0.05N粉体及薄膜样品。所有样品经XRD检测均为六角的纤锌矿结构,并未发现任何杂质相。磁性检测表明:当温度为5K时,两种方法制备的粉体样品仍表现为顺磁特性,且根据居里-外斯定律拟合,得到样品的居里外斯温度均为负值,这表明近邻的Mn离子之间存在着很强的反铁磁相互作用;而Ga0.95Mn0.05N薄膜样品在室温下显示为顺磁性质,要对其磁性有深入的了解还需进一步实验研究。2. GaFeN系列样品:(1)利用磁控溅射方法制备了一系列薄膜样品,经XRD、PL、FTIR等检测手段证实了样品的纤锌矿结构,并未发现任何杂质相;利用XPS谱检测,样品中的Fe处于+2价态;电学性质测量显示所有薄膜样品均为n型导电,室温下的电阻率高达108Ωcm,而且样品的电阻率随Fe浓度的增加而增加。磁性测量显示所有的样品在室温下都具有铁磁性,其铁磁性并非来源于样品中的杂质相,而是样品的内禀性质,可以利用束缚磁极化子的模型来解释;而样品的磁性随Fe浓度的增加单调减小,由于Fe浓度的增加,缩短了Fe离子之间的距离,使得在近邻Fe离子之间铁磁相互作用和反铁磁相互作用的竞争中,反铁磁相互作用逐渐增强,导致了样品的磁性减弱。(2)利用固相反应方法制备了一系列粉体样品, XRD、PL测量显示样品中并未发现任何杂质相,样品均保持了GaN的纤锌矿结构;而磁性测量显示,样品具有室温铁磁性,其铁磁性是属于样品的内禀性质,而非杂质相的贡献,但具体的铁磁性的产生机制还尚不清楚,有待进一步实验探究。

关键词：稀磁半导体 GaMnN GaFeN 溶胶凝胶固相反应磁控溅射高温氨化磁学性质

Fe掺杂的GaN薄膜的结构和铁磁性（英文）

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低温物理学报 2023年第1期45卷 59-63页

作者：郭俊梅王锦仁刘科敏孙琳张玉宾徐胜楠石家庄铁道大学四方学院

本文通过高温氨化由磁控溅射方法制备的Ga2O3:Fe薄膜，成功地在单晶硅(100)基底上制备了Fe掺杂的GaN薄膜.X射线衍射结果显示Fe掺杂浓度为0%～7%的GaN薄膜均未发现第二相.磁性测量表明所有Fe掺杂的样品均显示出室温铁磁性，而且每个Fe原... 详细信息

本文通过高温氨化由磁控溅射方法制备的Ga2O3:Fe薄膜，成功地在单晶硅(100)基底上制备了Fe掺杂的GaN薄膜.X射线衍射结果显示Fe掺杂浓度为0%～7%的GaN薄膜均未发现第二相.磁性测量表明所有Fe掺杂的样品均显示出室温铁磁性，而且每个Fe原子的磁矩随Fe浓度的增加而减小，Fe的浓度为1%时每个Fe的磁矩最大，最大值为1.92μB/Fe.

关键词：铁磁性结构 GaN 磁控溅射高温氨化