Mn掺杂GaN粉末的制备和性质研究

作     者：郭俊梅 刘清华 赵瑞斌 李秀玲 周鸿娟 侯登录 Guo Junmei;Liu Qinghua;Zhao Ruibin;Li Xiuling;Zhou Hongjuan;Hou Denglu

作者机构：河北师范大学物理科学与信息工程学院石家庄050016 河北邢台学院物理系河北邢台054001 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第6期

页      面：483-487页

学科分类：07[理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(10774037) 河北省自然科学基金项目(E2007000280) 

主　　题：溶胶-凝胶 氮化镓 高温氨化 顺磁性 光致发光 

摘      要：利用溶胶-凝胶法制备了不同Mn质量分数（0%-7%）的GaMnN粉体样品。经XRD检测所有样品均为六角纤锌矿结构，没有发现第二相，而且晶格常数随Mn质量分数的增加而增加。光致发光谱（PL）结果显示，紫外发光峰P1为GaN来源于带间发射的本征发光峰，且随着Mn质量分数增加略有红移，说明GaN的带隙变窄。XPS谱证明Mn离子处于＋2价。磁性测量显示，所有掺Mn的样品在5 K温度下均为顺磁性，居里-外斯温度为负值，表明样品中最近邻Mn离子之间存在着很强的反铁磁相互作用。