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顶部籽晶法生长Li掺杂非线性光学晶体SrB_4O_7

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人工晶体学报 2015年第2期44卷 301-305页

作者：焦志伟李京洋沈光球北方工业大学机电学院北京100144 清华大学化学系北京100084

通过顶部籽晶法获得了大块Li掺杂的Sr B4O7(Li∶SBO)单晶,晶体尺寸为80 mm×11 mm×40 mm。元素分析和X射线衍射结果证明锂离子成功掺入SBO晶格中,并使掺入后的SBO晶胞有所增大。深紫外和紫外透过光谱显示Li掺杂后的SBO晶体紫外截止边... 详细信息

通过顶部籽晶法获得了大块Li掺杂的Sr B4O7(Li∶SBO)单晶,晶体尺寸为80 mm×11 mm×40 mm。元素分析和X射线衍射结果证明锂离子成功掺入SBO晶格中,并使掺入后的SBO晶胞有所增大。深紫外和紫外透过光谱显示Li掺杂后的SBO晶体紫外截止边相对于SBO的120 nm红移到了140 nm左右,倍频结果显示Li∶SBO晶体可实现较强的1064 nm的倍频光输出。晶体的缺陷研究结果显示,Li∶SBO晶体生长时容易在c轴方向上形成线状包裹体,腐蚀后的晶体表面发现了两种不同形貌的位错蚀坑,对应于晶体内部不同的位错形态。

关键词： SrB_4O_7 顶部籽晶法倍频效应晶体缺陷

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弛豫铁电单晶的顶部籽晶法生长

中国科学：技术科学 2017年第11期47卷 1126-1138页

作者：何超杨晓明王祖建龙西法中国科学院福建物质结构研究所光电材料化学与物理重点实验室福州350002

相比较于传统的Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3(PZT)多晶压电陶瓷,弛豫铁电单晶具有超高的机电耦合系数和压电系数.例如,典型的Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PZN-PT)和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3(PMN-PT)弛豫铁电单晶,其机电耦合系数k_(33)>0.9,压电系数d_(33)>2000 pC/N,使其有潜力应用于下一代压电器件,如传感器、声呐、执行器等.但是弛豫铁电单晶应用的关键在于单晶的制备问题.弛豫铁电单晶的制备技术包括高温溶液法(助溶剂法)、垂直坩埚下降法和顶部籽晶法.顶部籽晶法在制备弛豫铁电单晶时具有很多优势.因此,本文将阐述顶部籽晶法制备弛豫铁电单晶的最新进展.

关键词：压电性弛豫铁电单晶单晶生长顶部籽晶法

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顶部籽晶法生长大尺寸CLBO晶体

顶部籽晶法生长大尺寸CLBO晶体

第14届全国晶体生长与材料学术会议

作者：余雪松胡章贵中国科学院理化技术研究所

以高纯硼酸、碳酸锂和碳酸铯为原料,按照摩尔比硼酸:碳酸锂:碳酸铯=11:1:1,采用顶部籽晶法,生长出65mm×22mm×12mm和55mm×25mm×18mmCsLiB6O10(CLBO)单晶,并探讨了CLBO晶体的生长条件。检测了生长出的CLBO晶体的性质。热分析曲线显示C... 详细信息

以高纯硼酸、碳酸锂和碳酸铯为原料,按照摩尔比硼酸:碳酸锂:碳酸铯=11:1:1,采用顶部籽晶法,生长出65mm×22mm×12mm和55mm×25mm×18mmCsLiB6O10(CLBO)单晶,并探讨了CLBO晶体的生长条件。检测了生长出的CLBO晶体的性质。热分析曲线显示CLBO晶体的熔点为844.5°C;透过光谱表明该晶体的透光范围为185nm到2790nm,其紫外吸收边低于185nm;用Maker干涉条纹测定了CLBO晶体的非线性光学系数为:d36(CLBO)=1.8d36(KDP)。

关键词： CLBO 非线性光学晶体晶体生长顶部籽晶法

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铌铟酸铅-钛酸铅铁电单晶的顶部籽晶法生长

铌铟酸铅-钛酸铅铁电单晶的顶部籽晶法生长

第十六届全国晶体生长与材料学术会议

作者：何超龙西法中国科学院福建物质结构研究所

首次采用顶部籽晶法成功生长了铌铟酸铅-钛酸铅(Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3)铁电单晶,得到的(1-x)Pb(In1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3(x=34.5%)单晶的尺寸达21×21×8mm3。测试了0.655PIN-0.345PT铁电单晶的介电、铁电、压电性能。研究表明0.655PIN-0.345PT铁电单晶居里温度TC为290oC,三方-四方相变温度TRT为150oC,室温下的压电系数d33为1720pC/N,机电耦合系数k33为88%,矫顽场Ec为9.0kV/cm,剩余极化Pr为30μC/cm2。因此,0.655PIN-0.345PT铁电单晶表现出了比较优异的综合性能。另外,对压电性能的热稳定性做了测试,当温度达到120oC时仍没有一点退极化,表明具有较好的性能稳定性。以上结果表明0.655PIN-0.345PT铁电单晶有望应用于高温大功率压电器件上。

关键词：顶部籽晶法铁电单晶钛酸铅

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顶部籽晶法Y3Fe5O12单晶的生长

人工晶体学报 1991年第Z1期 306-306页

作者：赵宗源吴星姜彦岛 100080 中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所北京

本文介绍用FeO作熔剂,电阻加热顶部籽晶法生长YIG单晶。我们使用FeO(99.99％)和YO(99.995％)作原料,选择配料组分为FeO18mol％,YO18mol％。按上述克分子百分比称量后,在AlO碾体中混磨,装入φ50×h48mm~3的铂金坩埚中,使用电阻加热炉,升... 详细信息

本文介绍用FeO作熔剂,电阻加热顶部籽晶法生长YIG单晶。我们使用FeO(99.99％)和YO(99.995％)作原料,选择配料组分为FeO18mol％,YO18mol％。按上述克分子百分比称量后,在AlO碾体中混磨,装入φ50×h48mm~3的铂金坩埚中,使用电阻加热炉,升温到熔点附近时,缓慢升温熔化原料,然后过热15—20℃数小时后,开始下籽晶生长。使用用WK-702控温仪与一台WZT-861贮存程序毫伏设定器连接,用以生长过程中的自动升降

关键词：顶部籽晶法熔剂焊接材料 Y3Fe5O 晶形单晶 Fe

非线性光学晶体BaBPO_5的生长、结构研究

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人工晶体学报 2003年第4期32卷 281-285页

作者：潘世烈吴以成傅佩珍张国春杜晨霞陈创天中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心北京100080 郑州大学化学系郑州450052

本文采用顶部籽晶高温溶液法 ,以Li4P2 O7为助熔剂 ,生长了大尺寸BaBPO5单晶。进行了BaBPO5晶体的结构测定 ,结果表明该晶体属三方晶系 ,空间群 :P32 2 1,晶胞参数为a =b =0 .7132 9(10 )nm ,c =0 .70 36 8(14 )nm ,α =β =90° ,γ =1... 详细信息

本文采用顶部籽晶高温溶液法 ,以Li4P2 O7为助熔剂 ,生长了大尺寸BaBPO5单晶。进行了BaBPO5晶体的结构测定 ,结果表明该晶体属三方晶系 ,空间群 :P32 2 1,晶胞参数为a =b =0 .7132 9(10 )nm ,c =0 .70 36 8(14 )nm ,α =β =90° ,γ =12 0°,Z =3。该晶体结构中沿 [0 0 1]方向存在BO4四面体链 ,每一个硼氧四面体用它的两个顶点分别与两个PO4四面体相连组成螺旋状的链。硼氧四面体、磷氧四面体和钡氧多面体结合在一起形成一个三维网络结构。同时 ,对BaBPO5的粉末倍频效应进行了研究。

关键词： BaBP05晶体晶体结构顶部籽晶法倍频效应线性光学晶体晶体生长

Ho^(3+)∶La_2CaB_(10)O_(19)晶体生长和光谱性能(英文)

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人工晶体学报 2010年第5期39卷 1099-1103页

作者：祖延雷张建秀傅佩珍吴以成中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室北京100190 中国科学院研究生院北京100049

采用顶部籽晶法生长Ho3+∶La2CaB10O19晶体。测试了晶体的X射线衍射谱图以及晶体器件的摇摆曲线,半峰宽为21.6 arcsec,晶体结晶质量良好。在室温下测试了吸收光谱、发射光谱和荧光寿命。应用Judd-Ofelt理论评价了Ho3+∶La2CaB10O19晶体... 详细信息

采用顶部籽晶法生长Ho3+∶La2CaB10O19晶体。测试了晶体的X射线衍射谱图以及晶体器件的摇摆曲线,半峰宽为21.6 arcsec,晶体结晶质量良好。在室温下测试了吸收光谱、发射光谱和荧光寿命。应用Judd-Ofelt理论评价了Ho3+∶La2CaB10O19晶体的光谱性能。分别计算了Ho3+的唯象强度、谱线强度、辐射寿命、荧光分支比等参数。

关键词： Ho^3+∶La2CaB10O19晶体晶体生长光谱性能顶部籽晶法

一种生长Ga_3PO_7晶体的新助熔剂体系

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人工晶体学报 2010年第4期39卷 842-845页

作者：郭永解李静王继扬尹鑫韩树娟王永政山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100

在MoO3-K2CO3体系中,借助于自发成核法,与MoO3-Li2CO3体系进行对照,找到一个新的适合Ga3PO7晶体生长的助熔剂体系;在新助熔剂体系下,采用顶部籽晶法生长出厘米级Ga3PO7晶体,晶体尺寸为30mm×21mm×9mm;对其基本性质进行表征,在测试范围... 详细信息

在MoO3-K2CO3体系中,借助于自发成核法,与MoO3-Li2CO3体系进行对照,找到一个新的适合Ga3PO7晶体生长的助熔剂体系;在新助熔剂体系下,采用顶部籽晶法生长出厘米级Ga3PO7晶体,晶体尺寸为30mm×21mm×9mm;对其基本性质进行表征,在测试范围内所生长的Ga3PO7晶体透过率均在80%以上,具有高的透过率和宽的透过范围。

关键词： Ga3PO7晶体新助熔剂体系顶部籽晶法

La_2CaB_(10)O_(19)晶体的生长和缺陷研究

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人工晶体学报 2003年第4期32卷 329-333页

作者：郑峰傅佩珍景芳丽郭锐万松明吴以成中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究与发展中心北京100080

本文报道了采用顶部籽晶法 (TSSG)沿、和方向生长的La2 CaB10 O19(LCB)晶体的形貌。研究了晶体生长中易出现的平行连生和解理现象 ,分析表明包裹体和晶体结构因素分别是造成这两种缺陷的主要原因。利用光学显微镜观察了LCB晶体的生长... 详细信息

本文报道了采用顶部籽晶法 (TSSG)沿、和方向生长的La2 CaB10 O19(LCB)晶体的形貌。研究了晶体生长中易出现的平行连生和解理现象 ,分析表明包裹体和晶体结构因素分别是造成这两种缺陷的主要原因。利用光学显微镜观察了LCB晶体的生长台阶、包裹体 ,发现液、固相包裹体一般分布在晶体的解理面和自然面上 ,而少量的气相包裹则常分散在液相包裹中构成“眼状”结构。借助光学显微镜结合化学腐蚀法 ,对不同晶面的腐蚀形貌进行了研究。结果表明 (10 0 )面蚀象为顶角扭曲的圆锥状 ,(0 0 1)为梯形或三角形 ,并且它们的排列严格一致。在晶体的b方向切片的正反两面观察到的蚀象完全不同 ,可以认为是晶体在此方向的强烈各向异性引起的。

关键词： La2CaB10O19 晶体生长晶体缺陷包裹体位错顶部籽晶法光学晶体