一种生长Ga_3PO_7晶体的新助熔剂体系

作     者：郭永解 李静 王继扬 尹鑫 韩树娟 王永政 GUO Yong-jie;LI Jing;WANG Ji-yang;YIN Xin;HAN Shu-juan;WANG Yong-zheng

作者机构：山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2010年第39卷第4期

页      面：842-845页

核心收录：

学科分类：07[理学] 0817[工学-化学工程与技术] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.50872066) 国家重点研究发展计划(2010CB833103) 

主　　题：Ga3PO7晶体 新助熔剂体系 顶部籽晶法 

摘      要：在MoO3-K2CO3体系中,借助于自发成核法,与MoO3-Li2CO3体系进行对照,找到一个新的适合Ga3PO7晶体生长的助熔剂体系;在新助熔剂体系下,采用顶部籽晶法生长出厘米级Ga3PO7晶体,晶体尺寸为30mm×21mm×9mm;对其基本性质进行表征,在测试范围内所生长的Ga3PO7晶体透过率均在80%以上,具有高的透过率和宽的透过范围。