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Characterization of CuInS_2 thin films prepared by sulfurization of Cu-In precursor

中国有色金属学会会刊：英文版 2008年第5期18卷 1083-1088页

作者：阎有花刘迎春方玲朱景森赵海花李德仁卢志超周少雄 China Iron & Steel Research Institute Group Advanced Technology & Materials Co.Ltd.

CuInS2 thin films were prepared by sulfurization of Cu-In *** influences of the deposition sequence of Cu and In layers,such as Cu/In,Cu/In/In,and In/Cu/In,on structure,topography,and optical properties of CuInS2 thin films were investigated.X-ray diffraction results show that the deposition sequence of Cu and In layers affects the crystalline quality of CuInS2 *** force microstructure images reveal that the grain size and surface roughness are related to the deposition sequence *** the deposition sequence of precursor is In/Cu/In,the CuInS2 thin films show a single-phase chalcopyrite structure with (112) preferred *** surface morphology of CIS films is uniform and *** absorption coefficient is larger than 104 cm-1 with optical band gap Eg close to 1.4 eV.

关键词：铜铟薄膜前体沉积层序金属学

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