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有机铁电P(VDF-TrFE)膜的铁电开关特性

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材料研究学报 2006年第6期20卷 597-601页

作者：朱国栋徐敬曾志刚张莉复旦大学材料科学系上海200433 同济大学物理系上海200092

借助原子力显微镜优异的空间分辨能力和微观压电铁电测定技术,研究了有机铁电P(VDF-TrFE)膜的微观铁电开关特性．结果表明,当激励电压的峰值高于材料矫顽电压时,观测到双峰振动现象,双峰振动的出现源自于铁电开关过程；当激励电压幅值... 详细信息

借助原子力显微镜优异的空间分辨能力和微观压电铁电测定技术,研究了有机铁电P(VDF-TrFE)膜的微观铁电开关特性．结果表明,当激励电压的峰值高于材料矫顽电压时,观测到双峰振动现象,双峰振动的出现源自于铁电开关过程；当激励电压幅值略高于材料矫顽电压时,探测到振动双峰的发展过程和局域蝴蝶洄线的不对称生长,蝴蝶洄线左翼的生长速度明显滞后于右翼．当极化时间足够长时,两翼的生长达到饱和,呈现出对称结构．电极结构的不对称性(金、铝电极)导致陷阱电荷注入铁电膜内部的速率不同,从而产生不对称的蝴蝶洄线生长过程．空间电荷在有机聚合物铁电性形成过程中有重要的贡献．

关键词：有机高分子材料 P(VDF-TrFE) 铁电原子力显微镜电极效应

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锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性

红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 169-171,184页

作者：胡古今商景林张婷谢婧孙璟兰褚君浩戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫... 详细信息

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫顽场为43kV/cm.大的极化强度值归因于大的膜厚和多孔结构有效释放膜内张应力的结果.室温低频限下,PZT多层膜的表观相对介电常数超过2000.极为有趣的是,在所研究的频率范围,PZT多层膜具有两种截然不同的介电驰豫.低频介电损耗峰源自空间电荷极化;而遵从Arrhen ius律的高频介电响应可能同与氧空位VO¨相关的极性缺陷复合体有关.

关键词： PZT多层膜铁电介电极性缺陷复合体

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一类铁电模型的参变量变分原理及其应用

计算力学学报 2006年第3期23卷 270-274,279页

作者：黄若煜吴长春上海交通大学建工学院上海200240

将参变量变分原理引入铁电问题。对一类借用了经典弹塑性理论中的概念和方法的多轴铁电模型建立基于Helmholtz自由能的参变量变分原理,可以有效处理传统变分原理中由非关联流动法则或屈服面不考虑材料系数变化所引起的切线模量非对称困... 详细信息

将参变量变分原理引入铁电问题。对一类借用了经典弹塑性理论中的概念和方法的多轴铁电模型建立基于Helmholtz自由能的参变量变分原理,可以有效处理传统变分原理中由非关联流动法则或屈服面不考虑材料系数变化所引起的切线模量非对称困难。相应于参变量变分原理,引入参数二次规划算法,可获得具有可靠数值稳定性的一套铁电算法。将该算法应用于一个具体的铁电模型,数值计算结果表明本文方法的有效性。

关键词：铁电参变量变分原理二次规划有限元

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硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究

中国机械工程 2005年第14期16卷 1289-1291页

作者：杨轶张宁欣任天令刘理天清华大学北京100084

采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况,通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度,优化了微声学器件中复合膜的残余应力,得到平整的振膜结构,提高了器件的可靠性和成品率。

关键词：残余应力基底曲率法微声学器件铁电

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非制冷铁电混合式焦平面探测器新研究

光子学报 2005年第11期34卷 1685-1687页

作者：胡旭黄承彩太云见蔡毅重庆大学通信工程学院重庆400044 昆明物理研究所昆明650223

本文报道一种128×128元铁电非制冷混合式焦平面探测器,涉及该器件的混合式结构.分析了影响器件性能的关键因素,给出器件所采用的铁电材料的基本物理和电学特性参数,器件的热隔离技术和相应参数,读出电路的基本结构和性能.对实验数据所... 详细信息

本文报道一种128×128元铁电非制冷混合式焦平面探测器,涉及该器件的混合式结构.分析了影响器件性能的关键因素,给出器件所采用的铁电材料的基本物理和电学特性参数,器件的热隔离技术和相应参数,读出电路的基本结构和性能.对实验数据所涉及的原理进行了讨论,最后给出了利用该器件得到的清晰红外热像.

关键词：红外焦平面探测器非制冷铁电

磁控溅射法制备PZFNT铁电薄膜的实验研究

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压电与声光 2005年第4期27卷 408-411页

作者：彭家根钟朝位张树人张万里电子科技大学微电子与固体电子学院

采用RF磁控溅射法在12.7 cm的PZT/P t/T i/S iO2/S i基片上制备了PZFNT薄膜,后处理采用快速退火工艺,对不同退火温度的薄膜进行了分析。实验结果表明,采用PZT缓冲层对PZFNT薄膜的性能有显著的影响,可明显降低PZFNT薄膜的晶化温度,提高... 详细信息

采用RF磁控溅射法在12.7 cm的PZT/P t/T i/S iO2/S i基片上制备了PZFNT薄膜,后处理采用快速退火工艺,对不同退火温度的薄膜进行了分析。实验结果表明,采用PZT缓冲层对PZFNT薄膜的性能有显著的影响,可明显降低PZFNT薄膜的晶化温度,提高其介电和铁电性能。在优化工艺条件下,可获得介电常数和损耗分别为1 328和3.1%,剩余极化和矫顽场分别为29.8μC/cm2和46 kV/cm的铁电薄膜,该薄膜可望在铁电存储器和热释电红外探测器中得到应用。

关键词： RF磁控溅射退火铁电热释电

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铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究

功能材料 2013年第5期44卷 614-617页

作者：朱斌文忠高扬杨涛电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054

采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响。研究结果表明,随着In2O3掺杂量的增加,PZT材料在准同型相界处三方相增加四方... 详细信息

采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响。研究结果表明,随着In2O3掺杂量的增加,PZT材料在准同型相界处三方相增加四方相减少,适量掺入In2O3有利于晶粒均匀生长。在不同的铟掺杂剂量下,PZT陶瓷材料分别具有最佳的铁电及压电性能。当铟掺杂量为0.1%(质量分数)时,PZT材料具有最佳的铁电性能,其剩余极化强度为23.43μC/cm2,矫顽场为9.783kV/cm。当铟掺杂量为0.3%(质量分数)时,PZT材料具有最好的压电性能,其tanδ=0.023,d33=540pC/N,εr=1513,Kp=0.764,Qm=1819。

关键词： PZT 陶瓷 In2O3掺杂压电铁电

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高性能铁电吸波材料（英文）

表面技术 2020年第2期49卷 41-55页

作者：李雍杨会静郝喜红曹茂盛内蒙古科技大学内蒙古自治区铁电新能源材料与器件重点实验室内蒙古包头014010 唐山师范学院物理学院河北唐山063000 北京理工大学材料科学与工程学院北京100081

铁电材料由于具有高极化以及良好的化学、热稳定性等性质,在微波吸收领域得到了广泛关注。过去二十年,开展了大量关于铁电吸波材料的研究。系统地综述了铁电材料微波吸收的损耗机制与几类典型铁电材料的微波吸收性能。在损耗机制方面,... 详细信息

铁电材料由于具有高极化以及良好的化学、热稳定性等性质,在微波吸收领域得到了广泛关注。过去二十年,开展了大量关于铁电吸波材料的研究。系统地综述了铁电材料微波吸收的损耗机制与几类典型铁电材料的微波吸收性能。在损耗机制方面,详细论述了铁电材料的电损耗机制,包括介电损耗、电导损耗及界面损耗机制,同时对于多铁材料与铁电-磁杂化复合材料,分析了磁损耗机制以及磁-介电损耗协同机制,并对各类损耗的形成原因及作用机理进行了总结。在微波吸收性能方面,重点阐述了近些年BiFeO3基与BaTiO3基等铁电材料的微波吸收表现,包括单相材料、掺杂材料及复合材料,并对其在室温及高温下的微波吸收性能进行了比较,同时基于材料的结构、微结构与微波吸收强度及有效吸收带宽等参数的演变联系,对其微波响应机制进行了归纳。最后详细分析了影响铁电微波吸收材料发展所面临的关键问题,并对其未来的研究方向进行了展望。

关键词：铁电微波吸收介电损耗电导弛豫

Hf_(0.2)Zr_(0.8)O_2铁电薄膜的制备与电性能研究

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功能材料 2014年第17期45卷 17062-17065页

作者：吴诗捷朱俊罗文博吴智鹏林亚丽刘兴鹏电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Hf0.2Zr0.8O2(HZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用Radiant RT66A进行铁电性能参数的测量,... 详细信息

采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Hf0.2Zr0.8O2(HZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用Radiant RT66A进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律。分析结果表明,HZO铁电极化的原因主要是来自于HfO2-ZrO2(111)正交相和ZrO2(002)四方相的影响。通过上述实验结果得到,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Hf0.2Zr0.8O2薄膜的优化条件为氧分压18 Pa、衬底温度500℃。在优化条件下制备的Hf0.2Zr0.8O2薄膜,剩余极化(2Pr)达到4μC/cm2。

关键词： HZO薄膜铁电脉冲激光沉积相变 XRD