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SOA注入电流及载流子寿命对UNI开关窗口的影响

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光电子．激光 2004年第12期15卷 1435-1439页

作者：王卓然于晋龙王新兵杨恩泽天津大学电信学院光纤通信实验室光电信息技术科学教育部重点实验室天津300072

对影响超快非线性干涉仪(UNI)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流及载流子寿命进行了数值模拟实验研究。由于SOA的增益与其注入电流I成正比,与载流子寿命τc成反比。基于此分析了这两种因素对UNI开关窗口的影响,加大注入电流可以... 详细信息

对影响超快非线性干涉仪(UNI)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流及载流子寿命进行了数值模拟实验研究。由于SOA的增益与其注入电流I成正比,与载流子寿命τc成反比。基于此分析了这两种因素对UNI开关窗口的影响,加大注入电流可以提高SOA的增益,使得UNI开关窗口的高度增加;减小载流子寿命使SOA的恢复速度加快,有利于开关窗口的形成。进行了10Gb/s的UNI全光开关实验,实验中用连续光代替数据脉冲以观察窗口形状,通过改变SOA注入电流进行验证。实验表明,在窗口形状不变的条件下,应选用尽量大的SOA注入电流,可使窗口高度增加,与模拟结构基本吻合。

关键词： SOA 开关窗口载流子寿命 UNI 注入电流增益半导体光放大器影响实验吻合

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载流子寿命对半导体激光器调制特性的影响

半导体光电 1996年第1期17卷 29-31页

作者：夏光琼吴正茂陈建国西南师范大学四川联合大学

针对通常用来研究半导体激光器调制特性的速率方程中所采用的载流子寿命不变近似所存在的问题，重新对小信号调制下半导体激光器的速率方程组进行了线性化处理。解析推导的结果表明，考虑载流子寿命的变化，弛豫过程的阻尼（ｄａｍｐｒ... 详细信息

针对通常用来研究半导体激光器调制特性的速率方程中所采用的载流子寿命不变近似所存在的问题，重新对小信号调制下半导体激光器的速率方程组进行了线性化处理。解析推导的结果表明，考虑载流子寿命的变化，弛豫过程的阻尼（ｄａｍｐｒａｔｅ）明显增大，共振频率有所改变。

关键词：半导体激光器载流子寿命调制

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载流子寿命对Si基光电子器件性能的影响

微纳电子技术 2009年第6期46卷 335-339,345页

作者：孙阳徐学俊陈少武中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们... 详细信息

研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响,分析了制约载流子寿命减小的若干因素,综述了采用合理设计减小波导截面尺寸参数、脊区内植入He离子、加入pin结构施加反向偏压等几种有效减少载流子寿命的方法,并给出了它们各自的理论基础和文献报道的理论模拟与实验结果。经过对各种方法的利弊进行分析比较,作者认为在提高光电子器件性能的研究中,采用减小波导截面尺寸参数的方法要同时兼顾传输损耗的变化;采用离子植入法可以在不改变波导尺寸的情况下减小载流子的寿命,但引入了附加损耗且与CMOS工艺不相兼容;而外加pin结构的方法不适用于已经存在电学结构的器件。

关键词：载流子寿命双光子吸收自由载流子吸收 Si基光波导离子植入 pin结构

电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命

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固体电子学研究与进展 1991年第2期11卷 160-162页

作者：戴培英王国梁刘锦成姚天光郑州大学物理系洛阳单晶硅厂

近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p^+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得... 详细信息

近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p^+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得相应的缺陷能级、俘获截面和浓度等参数,并用二极管反向恢复时间法,测量了这些样品的少子寿命.对所得结果作出初步的分析讨论.

关键词：硅电子辐照缺陷载流子寿命

常数载流子寿命近似对分析半导体光混沌系统工作特性的影响

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激光杂志 2005年第1期26卷 13-15页

作者：张毅夏光琼吴正茂钟东洲西南师范大学物理学院重庆400715

人们在分析半导体光混沌系统的工作特性时 ,通常假定激光器中的载流子寿命为一常数 (本文称为常数载流子寿命近似 (CCLA) )。本文从激光器中载流子的实际复合机制出发 ,得到了处于混沌态时激光器载流子寿命随时间的变化曲线 ;数值研究... 详细信息

人们在分析半导体光混沌系统的工作特性时 ,通常假定激光器中的载流子寿命为一常数 (本文称为常数载流子寿命近似 (CCLA) )。本文从激光器中载流子的实际复合机制出发 ,得到了处于混沌态时激光器载流子寿命随时间的变化曲线 ;数值研究了半导体激光器光混沌系统的工作特性 ,并把所得的结果与采用常数载流子寿命近似 (CCLA)所得的结果进行了比较 ,发现采用CCLA不仅会导致对混沌区的错误判定 ,并且还会影响对系统同步误差的分析。

关键词：载流子寿命光混沌同步误差

碳空位对10 kV 4H-SiC pin二极管载流子寿命的影响

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微纳电子技术 2020年第8期57卷 604-608页

作者：夏经华查祎英桑玲杨霏吴军民先进输电技术国家重点实验室北京102209 全球能源互联网研究院有限公司北京102209

使用p+n-n+外延结构制备了10 kV4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺杂浓度,采用深能级瞬态谱(DLTS)法获得了影响载流子寿命的主要... 详细信息

使用p+n-n+外延结构制备了10 kV4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺杂浓度,采用深能级瞬态谱(DLTS)法获得了影响载流子寿命的主要缺陷的俘获截面、浓度和复合中心能级位置。通过将TRPL测量得到的载流子寿命用于二极管电流-电压特性的计算机辅助工艺设计(TCAD)模拟中,并与根据DLTS测得的深能级缺陷参数估算的Shockley-Read-Hall(SRH)载流子寿命进行比较发现,载流子寿命除了受位于0.67 eV(EC-ET)能级的碳空位缺陷控制外,更受到其他深能级缺陷的影响。

关键词： 4H-SiC pin二极管载流子寿命碳空位深能级缺陷

IGCT载流子寿命分布特性及参数提取方法研究

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电工电能新技术 2020年第2期39卷 1-9页

作者：周亚星陈芳林王佳蕊孔力中国科学院电工研究所北京100190 中国科学院大学北京100049 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 国网吉林省电力有限公司电力科学研究院吉林长春132000

集成门极换流晶闸管(IGCT)物理模型中载流子寿命与器件动静态特性有着密切联系。现有基于器件关断拖尾电流的载流子寿命参数提取方法,假设关断拖尾电流的衰减主要取决于基区载流子的复合而忽略了阳极电子电流的影响,但IGCT采用透明阳极... 详细信息

集成门极换流晶闸管(IGCT)物理模型中载流子寿命与器件动静态特性有着密切联系。现有基于器件关断拖尾电流的载流子寿命参数提取方法,假设关断拖尾电流的衰减主要取决于基区载流子的复合而忽略了阳极电子电流的影响,但IGCT采用透明阳极结构增强了关断时阳极电子的抽离,因此将该方法应用于IGCT存在不足。本文基于掺杂浓度依赖的载流子寿命模型和肖克莱-里德-霍尔(SRH)复合模型,分析了不同区域下载流子寿命的耦合关系;当透明阳极厚度远小于少子扩散长度,将透明阳极侧PN结等效为短二极管,分析了其少数载流子和电流分布特性,并由此提出载流子寿命参数提取的改进方法。最后,根据载流子等效寿命随外加电压变化的特性,实验提取了不同区域下的载流子寿命参数,通过器件双脉冲仿真及实验结果对比验证了参数提取结果的有效性。

关键词：集成门极换流晶闸管载流子寿命参数提取透明阳极