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渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

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物理学报 2006年第6期55卷 2982-2985页

作者：赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083

采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.

关键词：超低压选择区域生长渐变掩蔽图形

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基于准浮栅技术的超低压运算放大器

西安电子科技大学学报 2005年第4期32卷 501-503,527页

作者：杨银堂任乐宁付俊兴西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071

分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大... 详细信息

分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μmCMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62,°单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45μW.

关键词：准浮栅超低压运算放大器 CMOS

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一种超低压超低耗NMOS衬底偏置混频器

北京航空航天大学学报 2009年第4期35卷 480-484页

作者：宋丹张晓林北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191

使用两对NMOS管和衬底偏置技术,采用SMIC0.18μmCMOS工艺,为卫星导航双系统兼容接收机的射频集成电路芯片设计了一种超低压、超低耗NMOS衬底偏置混频器(NBBM,NMOS Bulk-Biased Mixer).以其中的GPS系统为例:射频信号、本振信号和中频信... 详细信息

使用两对NMOS管和衬底偏置技术,采用SMIC0.18μmCMOS工艺,为卫星导航双系统兼容接收机的射频集成电路芯片设计了一种超低压、超低耗NMOS衬底偏置混频器(NBBM,NMOS Bulk-Biased Mixer).以其中的GPS系统为例:射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz,1570MHz和5.42MHz.测试表明:在1V电源电压下,驱动差分负载阻抗1000Ω时,混频器消耗电流约为1.37 mA,变频增益(GC)超过2.11 dB,输入1 dB压缩点(Pin-1 dB)约为-13 dBm;若加入运放驱动,变频增益可超过14 dB,但会带来线性度的降低、功耗以及面积的增加.

关键词： CMOS集成电路射频接收机混频器导航电源超低压超低耗衬底偏置

基于P掺杂SiO_2为栅介质的超低压侧栅薄膜晶体管

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物理学报 2013年第11期62卷 457-461页

作者：朱德明门传玲曹敏吴国栋上海理工大学能源与动力工程学院上海200093 中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波315201

在室温下利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的颗粒膜P掺杂SiO2为栅介质,使用磁控溅射方法利用一步掩模法制备出一种新型结构的侧栅薄膜晶体管.由于侧栅薄膜晶体管具有独特的结构,在射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,... 详细信息

在室温下利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的颗粒膜P掺杂SiO2为栅介质,使用磁控溅射方法利用一步掩模法制备出一种新型结构的侧栅薄膜晶体管.由于侧栅薄膜晶体管具有独特的结构,在射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,无需复杂的光刻步骤,就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源、漏、栅电极和沟道,因此,这种方法极大地简化了制备流程,降低了工艺成本.实验结果表明,在P掺杂SiO2栅介质层与沟道层界面处形成了超大的双电层电容(8μF/cm2),这使得这类晶体管具有超低的工作电压1V,小的亚阈值摆幅82mV/dec、高的迁移率18.35cm2/V·s和大的开关电流比1.1×106.因此,这种P掺杂SiO2双电层超低压薄膜晶体管将有望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域.

关键词： P掺杂SiO2 侧栅薄膜晶体管双电层(EDL) 超低压

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衬底驱动超低压CMOS带隙基准电压源

固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 531-535页

作者：张海军杨银堂朱樟明张宝君西安电子科技大学微电子研究所

采用二阶温度补偿和电流反馈技术，设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈，使其输出用于产生自身的电流源偏置，其电源抑制比（PSRR）为-63.8dB... 详细信息

采用二阶温度补偿和电流反馈技术，设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。采用衬底驱动超低压运算放大器作为基准源的负反馈，使其输出用于产生自身的电流源偏置，其电源抑制比（PSRR）为-63.8dB。采用Hspice仿真，在0．9V电源电压下，输出基准电压为572．45mV，温度系数为13．3ppm／℃。在0．8～1．4V电源电压范围内，输出基准电压变化3．5mV。基于TSMC 0．25μm 2P5M CMOS工艺实现的衬底驱动带隙基准电压源的版图面积为203μm×478．1μm。

关键词：衬底驱动超低压互补金属氧化物半导体带隙基准源温度系数电源抑制比

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超低压CMOS混频器比较设计及特性分析

电子器件 2005年第1期28卷 114-117,121页

作者：魏莹辉朱樟明杨银堂西安电子科技大学微电子研究所西安710071

讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的... 详细信息

讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和 CMOS准浮栅技术的两种超低压 CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析。在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的转换增益为-17.95 dB和-8.5 dB,三阶输入截止点的值为 33.2 dB和 28.4 dB;在0.6 V的单电源电压下,输入正弦信号分别为频率为20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz时,准浮栅混频器的转换增益为-14.23 dB和-21.8 dB,三阶输入截止点的值为35.9 dB和34.6 dB。仿真结果比较显示,衬底驱动混频器具有更高的转换增益,而准浮栅混频器具有更好的频域特性和低压特性。而且它们在频率较低时的性能更好。

关键词：超低压准浮栅衬底驱动混频器转换增益频域特性

长庆气区储气库超低压储层水平井钻井液完井液技术

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天然气工业 2012年第6期32卷 57-59,110页

作者：陈在君陈恩让崔贵涛黎金明李宝军谢新刚低渗透油气田勘探开发国家工程实验室.中国石油川庆钻探工程公司钻采工程技术研究院

鄂尔多斯盆地长庆气区储气库选择在榆林气田的山西组山23储层实施,由于该气层经过长期开采和储层压裂改造,导致水平段目的层压力极低(压力系数0.4～0.6),成为诱发水平井段发生钻井液压差漏失的地质因素;且采用筛管完井方式又要求钻井液... 详细信息

鄂尔多斯盆地长庆气区储气库选择在榆林气田的山西组山23储层实施,由于该气层经过长期开采和储层压裂改造,导致水平段目的层压力极低(压力系数0.4～0.6),成为诱发水平井段发生钻井液压差漏失的地质因素;且采用筛管完井方式又要求钻井液完井液必须具有非常好的暂堵效果。针对上述技术难题,以室内预防井漏、储层保护研究为技术支撑,研制出了具有抑制性强、润滑性高、总固相少等特点的无土相复合盐低伤害暂堵钻井液完井液体系。现场应用两口井,其中Y37-2H完钻井深5 044m,水平段长1 819m,创长庆气田水平段215.9mm井眼的施工记录,139.7mm筛管一次性下到预定位置,并获得无阻流量100×104 m3/d的高产气流。应用效果表明:该体系较好地保护了山23储层,钻完井施工作业安全顺利。

关键词：鄂尔多斯盆地长庆气区储气库超低压钻井液复合盐暂堵低伤害

一种基于准浮栅技术的超低压折叠运算放大器设计

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电子器件 2006年第1期29卷 33-36页

作者：张宝君杨银堂朱樟明张海军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电... 详细信息

介绍了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路。提出了一种基于准浮栅技术的折叠差分结构,基于此结构设计,实现了超低压运算放大器。采用TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,对所设计运放的低压特性进行仿真,结果表明,在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为106dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为260kHz,功耗仅为3.9μW。

关键词：准浮栅超低压运算放大器 CMOS

超低压ITO基壳聚糖电解质纸张薄膜晶体管的制备

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材料导报 2013年第18期27卷 9-11,27页

作者：刘欣赵娟赵孔胜刘全慧湖南大学物理与微电子科学学院长沙410082

采用一步掩膜法通过射频磁控溅射设备同时制备源极、漏极以及沟道层,采用具有双电荷层效应的壳聚糖薄膜为栅介质,成功制备出以纸张为衬底的超低压薄膜晶体管。这种柔性衬底薄膜晶体管具有良好的电学性能:超低的工作电压(仅为0.8V),场效... 详细信息

采用一步掩膜法通过射频磁控溅射设备同时制备源极、漏极以及沟道层,采用具有双电荷层效应的壳聚糖薄膜为栅介质,成功制备出以纸张为衬底的超低压薄膜晶体管。这种柔性衬底薄膜晶体管具有良好的电学性能:超低的工作电压(仅为0.8V),场效应迁移率达到8.1cm2/(V·s),亚阈值斜率为80mV/decade,开关电流比高达1.2×107。

关键词：纸张薄膜晶体管超低压 ITO 壳聚糖双电层效应