一种超低压超低耗NMOS衬底偏置混频器

作     者：宋丹 张晓林 Song Dan;Zhang Xiaolin

作者机构：北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191 

出 版 物：《北京航空航天大学学报》 (Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics)

年 卷 期：2009年第35卷第4期

页      面：480-484页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 

基　　金：国防科工委民用航天专项基金资助项目 

主　　题：CMOS集成电路 射频接收机 混频器 导航 电源 超低压 超低耗 衬底偏置 

摘      要：使用两对NMOS管和衬底偏置技术,采用SMIC0.18μmCMOS工艺,为卫星导航双系统兼容接收机的射频集成电路芯片设计了一种超低压、超低耗NMOS衬底偏置混频器(NBBM,NMOS Bulk-Biased Mixer).以其中的GPS系统为例:射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz,1570MHz和5.42MHz.测试表明:在1V电源电压下,驱动差分负载阻抗1000Ω时,混频器消耗电流约为1.37 mA,变频增益(GC)超过2.11 dB,输入1 dB压缩点(Pin-1 dB)约为-13 dBm;若加入运放驱动,变频增益可超过14 dB,但会带来线性度的降低、功耗以及面积的增加.