检索结果-南通市图书馆

780/868/915MHz频段无线传感器网络低功耗电流复用频率综合器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

东南大学学报（自然科学版） 2011年第6期41卷 1146-1151页

作者：阴亚东张利红孟海涛杜占坤阎跃鹏中国科学院微电子研究所北京100029 福建江夏学院电子信息科学系福州350108

提出了一种适用于780(中国)/868(欧洲)/915(美国)MHz频段无线传感器网络收发机的低功耗频率综合器,采用电流复用技术使压控振荡器(VCO)和分频器共享偏置电流从而降低了功耗.集成了新型锁定检测门限可编程的锁定检测器用于锁相时间指示.... 详细信息

提出了一种适用于780(中国)/868(欧洲)/915(美国)MHz频段无线传感器网络收发机的低功耗频率综合器,采用电流复用技术使压控振荡器(VCO)和分频器共享偏置电流从而降低了功耗.集成了新型锁定检测门限可编程的锁定检测器用于锁相时间指示.频率综合器采用0.18μm CMOS工艺进行验证和测试.测试结果显示:频率覆盖范围约为770～930 MHz;输出信号频率为868 MHz时带内相位噪声为-87 dBc/Hz,频偏100 kHz和1 MHz处相位噪声分别为-98和-124 dBc/Hz;在不同锁定检测门限下测得锁定时间为91～112μs;在工作电压为1.8 V时,频率综合器工作电流约为3.9 mA.

关键词：无线传感器网络低功耗电流复用频率综合器压控振荡器锁定检测

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

采用电流复用拓扑的宽带收发一体多功能电路

半导体技术 2018年第4期43卷 250-254,265页

作者：方园高学邦韩芹刘会东中国电子科技集团公司第十三研究所

基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片。该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关。放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标... 详细信息

基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）单片微波集成电路（MMIC）工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片。该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关。放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标。收发开关采用浮地结构避免了使用负电源。芯片在14~24 GHz工作频率的实测结果显示：接收支路噪声系数小于3.0 dB,增益大于18 dB,输入及输出电压驻波比（VSWR）均小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于0 dBm,直流功耗为60 mW;发射支路增益大于21 dB,输入输出VSWR均小于1.8,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm,直流功耗为180 mW。芯片尺寸为2 600μm×1 800μm。该多功能收发电路的在片测试结果和仿真结果一致,性能达到了设计要求。

关键词：收发一体多功能电路 GaAs单片微波集成电路(MMIC) 宽带电流复用浮地

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于电流复用技术的低功耗正交信号VCO

电子技术应用 2017年第7期43卷 32-35,39页

作者：张顶顶张钊锋廖友春中国科学院上海高等研究院上海201210 中国科学院大学北京100049 上海科技大学上海201210

针对低功耗蓝牙(Bluetooth Low Energy,BLE)正交上/下变频收发机,实现了一种低功耗的正交信号产生器。相比传统电流复用技术VCO,增加尾电流源以降低平均电流损耗,同时确保相位噪声满足指标要求。基于TSMC0.18μm标准CMOS工艺的仿真结果... 详细信息

针对低功耗蓝牙(Bluetooth Low Energy,BLE)正交上/下变频收发机,实现了一种低功耗的正交信号产生器。相比传统电流复用技术VCO,增加尾电流源以降低平均电流损耗,同时确保相位噪声满足指标要求。基于TSMC0.18μm标准CMOS工艺的仿真结果表明,正交信号频率为849.7 MHz时,在偏移中心频率1 MHz时的相位噪声为-126 d Bc/Hz;在1.8 V电源电压下仅消耗1.05 m A电流,Fo M值为182 d Bc。经过二分频后的正交信号总体频率范围是783~866 MHz,整体版图面积为0.38 mm^2。相位噪声和频率范围满足BLE指标要求,对其他低功耗射频应用具有指导意义。

关键词：电流复用低功耗正交信号

基于电流复用技术的亚mW级CMOS VCO设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

雷达科学与技术 2016年第5期14卷 558-562页

作者：陈绍东牛子昱南阳理工学院河南南阳473004 郑州大学信息工程学院河南郑州450001

在研究电流复用（CR）压控振荡器（VCO）中的振幅补偿技术的基础上，提出了一种改进的自发式跨导匹配（m-STM）技术。由于CRVC0结构的非对称性，难免导致两个差分输出振荡幅度的不平衡。相比较于传统的STM技术，m-STM技术消耗的净空电... 详细信息

在研究电流复用（CR）压控振荡器（VCO）中的振幅补偿技术的基础上，提出了一种改进的自发式跨导匹配（m-STM）技术。由于CRVC0结构的非对称性，难免导致两个差分输出振荡幅度的不平衡。相比较于传统的STM技术，m-STM技术消耗的净空电压更低，因而更适合于低电压工作。基于0．18／zmRFCMOS工艺，对该VCO进行了设计与芯片实现，测试结果表明本文所设计实现VCO取得了2．05～2．68GHz的宽振荡频率范围，调谐范围高迭26．3％，并且在2．4GHz载频处，相位噪声低至-117．6dBc／Hz@1MHz，而电路仅消耗了0．8mW的功耗。

关键词：幅度非平衡电流复用压控振荡器低功耗

低功耗低相位噪声的互补型电流复用Colpitts VCO设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国电子科学研究院学报 2019年第11期14卷 1174-1177页

作者：李相敏康壮长江大学文理学院

在本文中,提出了一种基于变压器的电流复用Colpitts压控振荡器(VC0),电路在互补型形式下,采用变压器,将N型Colpitts振荡器和P型Colpitts振荡器联合,为电路提供差分输出。该VC0由于采用了低噪声Colpitts振荡器结构和负跨导增强技术,因而... 详细信息

在本文中,提出了一种基于变压器的电流复用Colpitts压控振荡器(VC0),电路在互补型形式下,采用变压器,将N型Colpitts振荡器和P型Colpitts振荡器联合,为电路提供差分输出。该VC0由于采用了低噪声Colpitts振荡器结构和负跨导增强技术,因而实现了较低的相位噪声,并且由于电流复用技术的采用,所消耗的直流功耗降低了一半。基于0.13 pm CMOS工艺对VC0进行流片实现,芯片面积为0.53 mm×0.56 mm。芯片实测结果表明:该VC0的振荡频率为7.34~8.94 GHz,在8.2 GHz振荡频率下,取得了-115.3 dBc/Hz@l MHz的相位噪声。在1.2 V电压供电下,仅消耗了2.5 mW的功耗。将调谐范围计算在内的品质因数F0M为-195.4 dBc/Hz。

关键词： CMOS压控振荡器互补型电流复用负跨导

3～5GHz超宽带电流复用功率放大器的设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 2013年第2期43卷 166-169,173页

作者：王巍马晓英宫召英杨丽君钟武唐政维冯世娟重庆邮电大学光电工程学院重庆400065

设计了一种工作在3～5GHz频段、具有极好的增益与平坦性的超宽带CMOS功率放大器(PA)。采用共源共栅级联共源结构的两级放大电路来克服功率增益的不足,采用电流复用技术提高工作频段内高频处的增益,级间电感和电阻并联负反馈结构可改善... 详细信息

设计了一种工作在3～5GHz频段、具有极好的增益与平坦性的超宽带CMOS功率放大器(PA)。采用共源共栅级联共源结构的两级放大电路来克服功率增益的不足,采用电流复用技术提高工作频段内高频处的增益,级间电感和电阻并联负反馈结构可改善增益的平坦性。采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺库进行设计和仿真。仿真结果表明,输入回波损耗(S11)小于-8dB,输出回波损耗(S22)小于-4dB,平均功率增益为22dB,增益平坦度约为0.8dB。4GHz时输出1-dB压缩点为7dBm,功率附加效率(PAE)达到12.5%,电路总体功耗为33mW。

关键词：超宽带功率放大器 CMOS 电流复用

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于电流复用技术的LC压控振荡器

微电子学 2011年第4期41卷 528-531页

作者：郭鑫龚敏刘林涛四川大学物理科学与技术学院成都610065 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

介绍了一种改进的LC压控振荡器。该电路采用电流复用技术维持有源负阻的相对稳定,有效增大了输出摆幅,同时没有尾电流上混频引入的1/f噪声,大大减小了相位噪声。另外,与常规VCO不同,采用开关阶跃电容结构,在一定程度上增大了可变电容的... 详细信息

介绍了一种改进的LC压控振荡器。该电路采用电流复用技术维持有源负阻的相对稳定,有效增大了输出摆幅,同时没有尾电流上混频引入的1/f噪声,大大减小了相位噪声。另外,与常规VCO不同,采用开关阶跃电容结构,在一定程度上增大了可变电容的调节范围。采用TSMC 0.18μmRF CMOS 1P6M工艺,仿真得到在1.25 V基准电压下供电时,可有950~1050 MHz的线性调节范围,在中心频率1 GHz频偏1 MHz时的相位噪声为-129.3 dBc/Hz,功耗为4.1 mW。

关键词：压控振荡器电流复用开关阶跃电容相位噪声

一种基于多协议电流复用双频段压控振荡器的设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子器件 2007年第3期30卷 874-878页

作者：李勇景一欧沈怿皓赖宗声景为平华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

.本文设计了一种基于IEEE802.11a/b/g和蓝牙多协议零中频收发机中双频段压控振荡器.该振荡器使用电流复用的方法,即将两个工作在不同频段的压控振荡器串联堆叠,达到了降低功耗的目的.通过Aglient ADS仿真,结果表明本文所设计的双频段压... 详细信息

.本文设计了一种基于IEEE802.11a/b/g和蓝牙多协议零中频收发机中双频段压控振荡器.该振荡器使用电流复用的方法,即将两个工作在不同频段的压控振荡器串联堆叠,达到了降低功耗的目的.通过Aglient ADS仿真,结果表明本文所设计的双频段压控振荡器功耗为12.22mW,2.44和5.23GHz载频处的相位噪声分别为-126.2和-120.1dBc/Hz@1MHz,其性能完全符合IEEE802.11a/b/g和蓝牙协议的要求.该振荡器将采用0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为1.18mm×0.67mm.

关键词：多协议电流复用压控振荡器

10~20GHz宽带低噪声放大器的设计和实现

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

集成电路应用 2024年第1期41卷 11-13页

作者：李鑫肖曼琳杜鑫威肖帅上海工程技术大学城市轨道交通学院上海201620

阐述一款采用0.25 GaAs pHEMT工艺、基于MMIC技术的10~20GHz宽带低噪声放大器设计。联合仿真结果表明,带内增益高达28dB,噪声系数低于1.9dB,输入和输出回波损耗均低于-15dB。该芯片具有宽带宽、集成度高和功耗低的特点。

关键词：电路设计低噪声放大器 MMIC 电流复用 GaAs