基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器

作     者：申晶 张晓林 Shen Jing;Zhang Xiaolin

作者机构：北京航空航天大学电子信息工程学院北京100191 

出 版 物：《北京航空航天大学学报》 (Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics)

年 卷 期：2013年第39卷第4期

页      面：531-534页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 

基　　金：国防科工委民用航天专项资助项目 北京市重点学科基金资助项目(XK100070525) 

主　　题：CMOS集成电路 射频接收机 混频器 衬底偏置 超低耗 电流复用 折 叠 自偏置 

摘      要：基于SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,设计实现了一种工作在0.6 V超低电源电压下的混频器.该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构,并与开关级构成折叠结构,大大降低了电源电压;电路中所有的MOS管衬底均加有固定偏置电压,减小了MOS管的阈值电压,实现了超低电压超低功耗的设计;并采用电流复用技术,改善了电路的噪声性能,并提高了其转换增益和线性度.该混频器核心电路尺寸为460μm×400μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575 MHz,1400 MHz和175 MHz时,仿真表明,该混频器转换增益(Gc)为6.1 dB,双边带噪声系数为14 dB,输入1 dB压缩点为-16.67 dBm,在0.6 V的电源电压条件下,功耗仅为0.76 mW,可用于航空航天领域的电子系统中.