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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 自加热效应
  • 1 篇 三维集成
  • 1 篇 漏极持续电流
  • 1 篇 导通偏置条件

机构

  • 1 篇 贵州大学

作者

  • 1 篇 唐昭焕
  • 1 篇 杨发顺
  • 1 篇 林洁馨
  • 1 篇 马奎
  • 1 篇 傅兴华

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=漏极持续电流"
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排序:
三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法
收藏 引用
现代电子技术 2016年 第24期39卷 137-140页
作者: 林洁馨 杨发顺 马奎 唐昭焕 傅兴华 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州贵阳550025
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件... 详细信息
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