三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法

作     者：林洁馨 杨发顺 马奎 唐昭焕 傅兴华 LIN Jiexin;YANG Fashun;MA Kui;TANG Zhaohuan;FU Xinghua

作者机构：贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2016年第39卷第24期

页      面：137-140页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金地区科学基金项目(61464002) 贵州省科技合作项目(黔科合LH字7636) 贵州省科学技术基金(黔科合J字2066号) 

主　　题：漏极持续电流 三维集成 自加热效应 导通偏置条件 

摘      要：二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。