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深刻蚀高密度熔融石英光栅

中国激光 2006年第2期33卷 175-178页

作者：王顺权周常河茹华一张妍妍中国科学院上海光学精密机械研究所

深刻蚀高密度熔融石英光栅是一种新型高效的衍射光学元件,具有衍射效率高、成本低、抗损伤,能在高强度激光条件下工作等优点。给出了利用感应耦合等离子体(ICP)技术制作熔融石英深刻蚀光栅的详细过程,并在一定的优化条件下制作了一系列... 详细信息

深刻蚀高密度熔融石英光栅是一种新型高效的衍射光学元件,具有衍射效率高、成本低、抗损伤,能在高强度激光条件下工作等优点。给出了利用感应耦合等离子体(ICP)技术制作熔融石英深刻蚀光栅的详细过程,并在一定的优化条件下制作了一系列不同周期、开口比和深度的高质量深刻蚀石英光栅。实验得到的最大刻蚀深度为4μm,并且在600 l/mm的高密度条件下得到了刻蚀深度为1.9μm的高深宽比石英光栅。光栅侧壁陡直,表面平整,没有聚合物沉积。所制作的熔融石英光栅元件在高强激光环境、光谱仪、高效滤波器和波分复用系统等领域中有非常广泛的用途。

关键词：光栅深刻蚀感应耦合等离子体熔融石英

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深刻蚀连续浮雕微光学元件的衍射分析

中国激光 1996年第9期23卷 819-823页

作者：徐平唐继跃郭履容郭永康杨家发杜春雷李展周明宝四川大学信息光学研究所中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室

讨论了深蚀刻连续浮雕位相微光学元件的衍射特性．给出了槽形与衍射效率关系的初步研究结果．对实际制作具有指导意义．

关键词：深刻蚀衍射光学连续浮雕微光学元件

基于深刻蚀SiO_2脊型波导的紧凑型多模干涉功分器

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光子学报 2008年第11期37卷 2150-2154页

作者：陈挺戴道锌浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心杭州310058

采用深刻蚀SiO2脊型波导,利用其弯曲半径小的优点,设计了一种紧凑型1×2多模干涉功分器.在输入/输出波导与多模干涉区域之间引入了逆向锥形波导,有效地减小了输出波导间距,从而减小了多模干涉区域宽度及其长度,进一步实现了多模干涉器... 详细信息

采用深刻蚀SiO2脊型波导,利用其弯曲半径小的优点,设计了一种紧凑型1×2多模干涉功分器.在输入/输出波导与多模干涉区域之间引入了逆向锥形波导,有效地减小了输出波导间距,从而减小了多模干涉区域宽度及其长度,进一步实现了多模干涉器件的小型化(仅为150μm×20μm).并采用三维束传播方法对多模干涉区域及输入/输出波导中的光场传输进行了模拟仿真,得到了一组最优参量设计值,从而实现其结构优化.

关键词： SiO2波导锥形波导深刻蚀多模干涉

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连续面形微光学元件的深刻蚀工艺

光电工程 2003年第3期30卷 13-16页

作者：唐雄贵杜春雷邱传凯董小春潘丽中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室四川成都610209

利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀技术,在石英上刻蚀深连续面形微光学元件。分析了影响深刻蚀工艺的烘焙条件、气体组分、自偏压和刻蚀温度等主要工艺参数,并对影响深刻蚀稳定性、均匀性、刻蚀污染与损伤等因素进行了探讨。通过实验,在石... 详细信息

利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀技术,在石英上刻蚀深连续面形微光学元件。分析了影响深刻蚀工艺的烘焙条件、气体组分、自偏压和刻蚀温度等主要工艺参数,并对影响深刻蚀稳定性、均匀性、刻蚀污染与损伤等因素进行了探讨。通过实验,在石英上制作出深达55微米的浮雕微柱透镜,其面形峰值误差小于3%。

关键词：微光学元件深刻蚀等高子刻蚀连续面形

离散谱折射率法分析深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导

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光子学报 2000年第2期29卷 151-156页

作者：马慧莲李瑾杨建义王明华浙江大学信息与电子工程系杭州310027

本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导 .利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉 (MMI)型器件的性能 ... 详细信息

本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导 .利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉 (MMI)型器件的性能 ,而且在设计和制作弯曲波导、分支结构时 ,具有结构紧凑。

关键词：离散谱折射率法深刻蚀光波导 GaAs/GaAlAs

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基于ICP的金属钛深刻蚀

纳米技术与精密工程 2008年第2期6卷 121-124页

作者：杨梅陈兢北京大学微电子学研究院北京100871

MEMS应用领域的扩展要求开发硅材料之外其他新型材料的三维微细加工技术.为此,对金属钛这一新型MEMS体材料的三维加工进行了探索.金属钛不仅延展性和导电性好,且断裂韧度高、高低温特性以及生物兼容性好.采用电感耦合等离子体源(inducti... 详细信息

MEMS应用领域的扩展要求开发硅材料之外其他新型材料的三维微细加工技术.为此,对金属钛这一新型MEMS体材料的三维加工进行了探索.金属钛不仅延展性和导电性好,且断裂韧度高、高低温特性以及生物兼容性好.采用电感耦合等离子体源(inductively coupled plasma,ICP)技术对金属钛进行三维深刻蚀,采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体,研究了线圈功率、平板功率和Cl2流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响,并对Ti深刻蚀参数进行了优化,得到0.91μm/min的刻蚀速率,可实现光滑表面和陡直侧壁.

关键词：金属钛电感耦合等离子体源深刻蚀

离散谱折射率法优化设计深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导

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Journal of Semiconductors 2001年第4期22卷 481-485页

作者：马慧莲杨建义江晓清王明华浙江大学信息与电子工程学系杭州310027

采用离散谱折射率法对深刻蚀 Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析 ,并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析 .计算表明 ,用离散谱折射率法获得的单模脊形光波导具有较大的制作... 详细信息

采用离散谱折射率法对深刻蚀 Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析 ,并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析 .计算表明 ,用离散谱折射率法获得的单模脊形光波导具有较大的制作容差性 .

关键词：离散谱折射率法深刻蚀 GaAs/GaAIAs 单模砷化镓脊形光波导优化设计

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硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺

半导体光电 2010年第4期31卷 553-556页

作者：聂磊史铁林陆向宁湖北工业大学质量工程重点实验室武汉430068 华中科技大学武汉国家光电实验室武汉430074

掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷。因此提... 详细信息

掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷。因此提出使用Su-8负性光刻胶结合铬金属制备多层掩模。这种掩模结构制备工艺简单,经济实用;提高了掩模在高速刻蚀时的掩蔽性能,实现了深刻蚀。实验表明,其能满足300μm以上深刻蚀的要求,可用于硅及玻璃等材料的微加工。

关键词：硅微机械加工各向同性刻蚀多层掩模深刻蚀

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梳齿结构深刻蚀工艺改进

传感器与微系统 2024年第2期43卷 49-51,56页

作者：杜广森张富强徐锡金济南大学物理学院山东济南250055 山东产业技术研究院微纳与智能制造研究院山东济南250101 北京信息科技大学理学院北京100192

梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF_(6)和C_(4)... 详细信息

梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF_(6)和C_(4)F_(8)气体流量、腔室压力、刻蚀与钝化保护时间、下基板功率等工艺参数,着重研究了片间均匀性、垂直度、粗糙度等影响结构性能的几个方面,得到了宽4.5μm、深70μm的梳齿结构,垂直度为89.7°,侧壁粗糙度46 nm,均匀性1.2%的优化工艺,为高精度MEMS梳齿型传感器的制作提供了基础。

关键词：深刻蚀刻蚀速率均匀性粗糙度