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有机金属气相外延生长的CdxHg1-xTe及其性能

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激光与红外 1982年第6期 23-28页

作者：昭华

用二乙基碲化物、二甲基镉和液体Hg作源材料在流动H2中完成了CdxHg1-xTe的外延生长。在生长富Hg的CdxHg1-xTe时碰到的问题是需要比较高的平衡Hg压以避免分解。生长的低温限由二乙基碲化合物的稳定性决定,讨论了这个问题以及蒸汽中额外... 详细信息

用二乙基碲化物、二甲基镉和液体Hg作源材料在流动H2中完成了CdxHg1-xTe的外延生长。在生长富Hg的CdxHg1-xTe时碰到的问题是需要比较高的平衡Hg压以避免分解。生长的低温限由二乙基碲化合物的稳定性决定,讨论了这个问题以及蒸汽中额外化合物形成的结果。用X射线能量色钐显微分析（EDX）和二次离子质谱分析（SIMS）得出的Cd、Hg和Te的深度分布说明深度均匀性良好和相互扩散区不到1微米。对比了用有机金属汽相外延和其他一些外延方法的Cd/Hg相互扩散。用光学显微法和扫描电镜研究了在偏离（100）取向2°的CdTe上生长的外廷层,发现HgTe的表面光洁度很粗糙,但超过x=0.2的组分则表面平滑。根据阶梯生长模型讨论了这些结果。霍尔系数随温度变化的初步研究说明在最低温（～4.2K）下有高的自由电子浓度。用二次离子质谱分析对这些外延层之一进行的分析指出有高的In含量,但在初步检查所研究的其他外延层中没有这种情况。

关键词：二次离子质谱分析 CMT 外延层 x)Te 有机金属 CdTe 气相外延 Cd_xHg 成核密度

有机金属气相外延GaAs的载流子浓度与外延气氛中As/Ga值的关系

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微电子学 1979年第2期 80-97页

作者：沈令康

OMV法非有意掺杂外延GaAs的载流子浓度受外延气氛中As/Ga值的控制。本研究中发现: As/Ga值等于十四左右, N型外延GaAs的迁移率有一个最大值,相应的载流子浓度较低。掺硫N型外延GaAs的载流子浓度随As/Ga值的增加而下降。本文分析了OMV... 详细信息

OMV法非有意掺杂外延GaAs的载流子浓度受外延气氛中As/Ga值的控制。本研究中发现: As/Ga值等于十四左右, N型外延GaAs的迁移率有一个最大值,相应的载流子浓度较低。掺硫N型外延GaAs的载流子浓度随As/Ga值的增加而下降。本文分析了OMV法的外延机构,提出了质量输运控制下的界面反应区部分反应热力学平衡模型,从而导出了Ⅵ族、Ⅱ族以及Ⅳ族元素的掺杂关系式。应用这些关系式能满意地解释OMV法外延GaAs的载流子浓度与As/Ga值的关系,并能说明其他工艺条件(外延温度、生长速率、掺杂量等)对外延GaAs载流子浓度的影响。研究结果已经应用于GaAs FET材料的制备工艺,因而掺S外延GaAs的载流子浓度得到了有效的控制。

关键词：载流子浓度外延层载流子密度 GaAs 气相外延有机金属

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有机金属气相外延生长法

电子材料快报 1995年第11期 14-15页

作者：靳敏

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有机金属材料的超导性和磁性

材料导报 1987年第6期 17-20+7页

作者：文兵

一些新的导电有机化合物显示出料想不到的物理现象,例如超导性、自旋密度波和外磁场引起的新的相变。七年前,哥本哈根大学Bechgaard合成了硒基有机化台叫勿族系(现在通称Bechgaard盐)。几个月之后,他的同事巴黎大学的Orsay发现这些材料... 详细信息

一些新的导电有机化合物显示出料想不到的物理现象,例如超导性、自旋密度波和外磁场引起的新的相变。七年前,哥本哈根大学Bechgaard合成了硒基有机化台叫勿族系(现在通称Bechgaard盐)。几个月之后,他的同事巴黎大学的Orsay发现这些材料在～1.5K以下呈现超导性。探索有机超导性的极盛期开始于六十年代初。

关键词：超导性有机金属导电性电子性质超导体

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有机金属化学

有机化学 1978年第1期 56-59页

作者：陆熙炎

化学这门学科以往曾仔细加以分类,认为除了物理化学外,可分成无机化学和有机化学二大类,但是,最近二十年来,由于无机化学和有机化学的相结合,出现了第三类化学,即有机金属化学。它的飞速发展,已成为当前最活跃的化学领域之一。在有机化... 详细信息

化学这门学科以往曾仔细加以分类,认为除了物理化学外,可分成无机化学和有机化学二大类,但是,最近二十年来,由于无机化学和有机化学的相结合,出现了第三类化学,即有机金属化学。它的飞速发展,已成为当前最活跃的化学领域之一。在有机化学教科书中详细介绍的Grignard试剂,是非常有用的反应试剂,而它本身就是烷基和镁相结合的有机金属化合物。Reformatsky反应中的反应试剂就是BrZnCHCOOR这一有机锌化合物。具有齐聚结构的烷基锂既是阴离子聚合的催化剂,又是有机合成中有用的试剂。早已众所周知的以Sandmeyer,Gattermann,Ullmann,等人命名的反应一向看作是应用铜催化剂的反应,现在则可看作是有机铜化合物的反应。有机金属化学之所以迅速发展,是以二茂铁结构之阐明,及Ziegler-Natta催化剂之发

关键词：有机金属络合物有机金属化合物金属有机化合物元素有机化合物有机金属

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有机金属化学

化学世界 1986年第4期 37-38页

作者：韩建成华东师范大学

自从1951年由Kealy,T.J.;Pauson,P.L.发现二聚环戊二烯铁金属络合物[又称二茂（络）铁,分子式是Fe（CH）]以来,有机金属化学发生爆发性发展,从而逐渐形成有机金属化学这一门崭新的学科。二聚环戊二烯铁是一种二价铁的配位化合物,它是一... 详细信息

自从1951年由Kealy,T.J.;Pauson,P.L.发现二聚环戊二烯铁金属络合物[又称二茂（络）铁,分子式是Fe（CH）]以来,有机金属化学发生爆发性发展,从而逐渐形成有机金属化学这一门崭新的学科。二聚环戊二烯铁是一种二价铁的配位化合物,它是一种夹心面包型结构,它的结构式见图1。它的阴离子服从H（?）ckel 4n+2

关键词：二聚环戊二烯金属络合物烯丙基链烯烃基有机金属甲基戊二烯

有机金属化学汽相淀积生长的626.2nm AlGaInP双异质结激光器的脉冲工作(300K)

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半导体光电 1986年第1期 47-48页

作者： Kenichi Kobayashi ,蒋涛

有机金属化学汽相淀积生长的(Al0.55Ga0.45)0.5In0.5P/(Al0.17Ga0.83)0.5In0.5P/(Al0.55Ga0.45)0.5In0.5P双异质结激光二极管实现了室温脉冲工作。激射波长626.2nm,是迄今报导的AlGaInP双异质结激光器的最短激射波长,腔长为200μm、条宽... 详细信息

关键词：激射波长 AlGaInP 双异质结激光器化学汽相淀积化学气相沉积激光二极管半导体激光器有机金属 nm

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有机金属合成鞣剂

西部皮革 1982年第3期 37-38页

作者：张扬成都科技大学

有机金属合成鞣剂是由铬或铝、锆等无机鞣剂与合成鞣剂反应而制成。它们兼有无机鞣剂和合成鞣剂的性能,作为一种优良的复鞣剂而为制革业广泛采用。含铬的合成鞣剂是它们之中用得最普遍、产品最多的一种。因为它是铬的络合物,所以能与胶... 详细信息

有机金属合成鞣剂是由铬或铝、锆等无机鞣剂与合成鞣剂反应而制成。它们兼有无机鞣剂和合成鞣剂的性能,作为一种优良的复鞣剂而为制革业广泛采用。含铬的合成鞣剂是它们之中用得最普遍、产品最多的一种。因为它是铬的络合物,所以能与胶原牢固地结合,并改善染料的固定;同时它又具有合成鞣剂的填充、匀染的作用。一般用它与其他复鞣剂(芳族合成鞣剂或树脂鞣剂)结

关键词：揉剂复揉有机金属木素磺酸磺化木素碱式硫酸铬粒面加脂整饰甲醛脂肪族醛

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有机金属光引发剂的研究进展

有机金属光引发剂的研究进展