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单晶硅电火花线切割表面损伤层形成机理

航空学报 2012年第1期33卷 156-162页

作者：刘志东高连邱明波田宗军汪炜南京航空航天大学机电学院江苏南京210016

为了研究单晶硅电火花线切割(WEDM)表面损伤层的损伤形式和形成机理,以电火花线切割加工后的单晶硅表面为研究对象,采用表面形貌观察分析及择优腐蚀方法研究了单晶硅经过电火花线切割后的加工表面。研究结果表明单晶硅经电火花放电加工... 详细信息

为了研究单晶硅电火花线切割(WEDM)表面损伤层的损伤形式和形成机理,以电火花线切割加工后的单晶硅表面为研究对象,采用表面形貌观察分析及择优腐蚀方法研究了单晶硅经过电火花线切割后的加工表面。研究结果表明单晶硅经电火花放电加工后表面损伤形式分为4种:热损伤、应力损伤、热与应力综合作用损伤及电解/电化学腐蚀损伤。热损伤使得硅表面形成多晶或非晶硅;应力损伤使硅表面产生裂纹;热与应力综合作用会产生小孔效应,且随着放电功率密度的增加,小孔会明显增多;电解/电化学作用会加快损伤区域及杂质元素富集区域的腐蚀。

关键词：电火花线切割单晶硅损伤层损伤形式形成机理

用喇曼光谱方法研究注钕硅单晶中损伤层的温度特性

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光谱学与光谱分析 1989年第1期9卷 23-26页

作者：黄春晖刘洪图金怀诚吴志强许存义中国科学技术大学物理系

本文报道了用喇曼光谱方法研究了注钕硅单晶中损伤层的温度特性。用硅520cm^(-1)特征峰的相对强度,来唯象地描述注入损伤层的无序度、折射率,消光系数等数参随退火温度的变化关系。发现550—600℃是消除损伤的最佳退火温区,并与方块电... 详细信息

本文报道了用喇曼光谱方法研究了注钕硅单晶中损伤层的温度特性。用硅520cm^(-1)特征峰的相对强度,来唯象地描述注入损伤层的无序度、折射率,消光系数等数参随退火温度的变化关系。发现550—600℃是消除损伤的最佳退火温区,并与方块电阻法所得结果进行了比较。

关键词：硅单晶喇曼光谱法损伤层钕

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损伤层对弹性波的反射与透射

上海力学 1991年第2期12卷 1-11页

作者：张传增同济大学

本文研究了具有随机分布币形裂纹的损伤层对弹性波的反射与透射。分析了低频及裂纹密度不太高时损伤层的损伤状态对反射波与透射波的影响,为定量无损检测技术提供了一个简单的理论模型。

关键词：损伤层弹性波反射透射

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表面损伤层对结构整体变形和刚度的影响研究

机械科学与技术 2013年第9期32卷 1358-1362页

作者：师俊平马凯曹小杉豆麟龙西安理工大学工程力学系西安710048

基于等效介质概念,对含表面微裂纹构件的力学特性进行了分析,给出了损伤层的定义,建立了含表面微裂纹的梁结构的等效双材料组合梁模型,推导了含损伤层梁的挠曲线微分方程,研究了损伤层对梁的弯曲变形的影响,给出了梁的挠度变化与损伤层... 详细信息

基于等效介质概念,对含表面微裂纹构件的力学特性进行了分析,给出了损伤层的定义,建立了含表面微裂纹的梁结构的等效双材料组合梁模型,推导了含损伤层梁的挠曲线微分方程,研究了损伤层对梁的弯曲变形的影响,给出了梁的挠度变化与损伤层厚度及等效弹性模量的关系,同时,分析了损伤层厚度及模量对梁的刚度的影响。分析计算结果表明:随损伤层厚度的增加,梁的挠度增大,刚度减小;随损伤层弹性模量的减小,梁的挠度增大,刚度减小;当损伤层厚度达到梁高的1/30以上时,损伤层对梁的弯曲变形和刚度影响较大,对机械加工的精度有较大影响。

关键词：微裂纹损伤层组合梁挠度刚度

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温差电致冷元件损伤层探索

红外技术 1996年第6期18卷 11-13页

作者：许生龙何丹程开芳昆明物理研究所

通过探索温差电致冷元件的损伤层，提出“平均电导率”等概念。

关键词：损伤层平均电导率温差电致冷元件

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铌酸锂晶体的研磨损伤层研究

人工晶体学报 2019年第5期48卷 883-888页

作者：李清连孙军吴婧张玲许京军南开大学物理科学学院天津300071 南开大学教育部弱光非线性光子学重点实验室天津300457 山西大学极端光学协同创新中心太原030006

研究了铌酸锂晶体在研磨过程中产生的表面损伤层。首先通过激光共聚焦显微镜观察了研磨后晶体的表面形貌,通过原子力显微镜测试了研磨后晶体表面的粗糙度,分别通过角度抛光法及直接抛光层层去除的方法测量了损伤层的深度。分析了损伤层... 详细信息

研究了铌酸锂晶体在研磨过程中产生的表面损伤层。首先通过激光共聚焦显微镜观察了研磨后晶体的表面形貌,通过原子力显微镜测试了研磨后晶体表面的粗糙度,分别通过角度抛光法及直接抛光层层去除的方法测量了损伤层的深度。分析了损伤层的组成及影响因素,对优化研磨工艺参数、提高研磨效率具有指导意义。

关键词：铌酸锂晶体研磨损伤层

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碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法及应用

激光与红外 2015年第3期45卷 235-239页

作者：许秀娟田震华北光电技术研究所北京100015

碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的研究至关重要。本文阐述了可用于表征碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法,简要介绍了各个测试方法的原理和功能;并对评价方法进行了具体应用,得到了非常有价值的实验结果。这对碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的... 详细信息

碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的研究至关重要。本文阐述了可用于表征碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的评价方法,简要介绍了各个测试方法的原理和功能;并对评价方法进行了具体应用,得到了非常有价值的实验结果。这对碲镉汞薄膜减薄工艺损伤层的认识和后续的工艺优化具有非常重要的指导意义。

关键词：碲镉汞减薄损伤层

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TEM观察砷化镓晶片损伤层

稀有金属 1998年第5期22卷 392-395页

作者：陈坚邦钱嘉裕杨钧北京有色金属研究总院

用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化学抛光损伤层深度（腐蚀前）＜１．２μｍ。分析了损伤结构及其引入的因素。

关键词：砷化镓晶片损伤层透射电镜扫描电镜

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晶片研磨速率及损伤层的研究

红外与激光工程 2006年第z5期35卷 188-191页

作者：王志芳华北光电技术研究所北京100015

现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度,还要求有低损伤、高质量的加工表面。为了达到这个目的,对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究,并制定合理的研磨工序是必需的。叙述了研磨的本质及损伤层的产生,研... 详细信息

现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度,还要求有低损伤、高质量的加工表面。为了达到这个目的,对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究,并制定合理的研磨工序是必需的。叙述了研磨的本质及损伤层的产生,研究了晶片减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研磨压力的关系,比较了不同磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响,为制定合理的研磨工序提供了依据。

关键词：光电器件损伤层研磨本质