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掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究

物理学报 2003年第9期52卷 2274-2279页

作者：刘峰松顾牡姚明珍梁玲陈铭南同济大学物理系上海200092

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道... 详细信息

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能 ,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为 3 9eV ,表明掺Y不会引起晶体中35 0nm和 4 2 0nm吸收 .从掺Y对PbWO4 晶体电子结构的影响来看。

关键词：掺钇钨酸铅晶体晶体缺陷过渡态方法轨道跃迁激发能密度泛函态密度分布闪烁体探测器

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PbWO_4晶体空位型缺陷电子结构的研究

物理学报 2002年第1期51卷 125-128页

作者：姚明珍顾牡梁玲段勇马晓辉同济大学物理系上海200092

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :PbWO4 晶体中WO3+VO 缺陷的O2p→W5d跃迁可引起 3 5 0nm和 4 2 0nm附近... 详细信息

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :PbWO4 晶体中WO3+VO 缺陷的O2p→W5d跃迁可引起 3 5 0nm和 4 2 0nm附近的吸收 ,并且发现VPb的存在可以使WO42

关键词： PbWO4晶体密度泛函氧空位铅空位态密度分布晶体缺陷电子结构钨酸铅晶体

C_(60)分子间相互作用的Morse势函数及应用

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物理化学学报 2002年第11期18卷 967-972页

作者：刘奉岭山东师范大学化学系济南250014

利用C60晶体的升华焓、晶胞参数等性质,得到C60分子间相互作用的Morse势函数,其解析表达式为u(r)=30.05exp犤-24.96(r-1.005)犦-60.10exp犤-12.48(r-1.005)犦采用该作用势研究了C60及其晶体的一些性质,如计算得到C60晶体(100)面的表面能... 详细信息

利用C60晶体的升华焓、晶胞参数等性质,得到C60分子间相互作用的Morse势函数,其解析表达式为u(r)=30.05exp犤-24.96(r-1.005)犦-60.10exp犤-12.48(r-1.005)犦采用该作用势研究了C60及其晶体的一些性质,如计算得到C60晶体(100)面的表面能为7.46×10-2J·m-2,在650～4500K温度范围内计算了C60分子的第二维里系数,研究了C60面心立方晶体的晶格振动,并计算得到了晶格振动的态密度分布,还利用该作用势研究了不同晶型时C60晶体的稳定性.

关键词：分子间相互作用 C60 Morse势函数晶体稳定性第二维里系数晶格振动态密度分布碳60 富勒烯

加碳氯化TiO2(110)面吸附行为的密度泛函理论研究

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加碳氯化TiO2(110)面吸附行为的密度泛函理论研究

作者：石胜云重庆大学

学位级别：硕士

二氧化钛加碳氯化制备四氯化钛是生产钛白粉和海绵钛的重要中间环节,加碳可以显著提高TiO的氯化反应速率是该方法获得工业应用的前提,国内外对TiO加碳氯化机理进行了大量研究,主要有还原反应、降低氧分压、形成中间化合物和自催化机理... 详细信息

二氧化钛加碳氯化制备四氯化钛是生产钛白粉和海绵钛的重要中间环节,加碳可以显著提高TiO的氯化反应速率是该方法获得工业应用的前提,国内外对TiO加碳氯化机理进行了大量研究,主要有还原反应、降低氧分压、形成中间化合物和自催化机理等观点,互为补充但仍未能揭示这种宏观现象的实质。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,主要对碳、CO和Cl等分子在完整以及存在桥氧空位列缺陷的TiO(110)面上的共吸附反应进行了探究。通过对共吸附体系的吸附结构、吸附能、电荷密度和态密度等性质的计算,分析了碳、CO和Cl共同吸附在TiO(110)表面的吸附反应,揭示了加碳促进TiO氯化反应过程的行为机制,为进一步研究钛氧化物加碳氯化催化反应机理奠定了理论基础。主要结论如下:(1)碳或CO和Cl在TiO(110)表面上的吸附存在相互促进的作用。碳或CO中的C通过与TiO(110)表面O原子的结合来促进氯与表面Ti原子成键。O(2c)原子在TiO(110)表面上相对活跃,其更容易捕获碳和一氧化碳。碳或一氧化碳与表面的结合是Cl在表面发生化学吸附的激发点。(2)碳或一氧化碳中的C原子和TiO(110)表面的Ti(5c)原子在吸附发生前分别发生sp和sd轨道杂化形成C-O键和Ti-Cl键,成键的同时在表面上形成C/C/CO→TiO(110)→Cl流向的电子转移通道。(3)C-O以及Ti-Cl键的形成削弱了TiO(110)表面以及内部Ti-O键的强度,激活了表面的Ti、O原子,促使了部分Ti-O键的断裂,为下一个Cl-Ti以及C-O键的形成做准备。(4)CO或CO从TiO(110)表面的解离反应为放热反应,氯化过程中若提供一定的反应能量,则很有可能发生该解离反应,在表面生成O空位缺陷,为下一个Cl分子提供新的吸附位点。(5)桥氧空位的存在导致TiO(110)表面活性增加,Cl在存在桥氧空位列的TiO(110)表面的吸附位置倾向于占据桥氧空位。

关键词：二氧化钛加碳氯化吸附行为密度泛函理论态密度分布

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立方面心C_(60)晶体晶格振动的研究

Chinese Journal of Chemical Physics 2003年第2期16卷 103-106页

作者：刘奉岭山东师范大学化学系济南250014

采用C60 分子之间相互作用势的Kihara形式 ,研究了立方面心C60 晶体的晶格振动问题 ,得到了质心振动沿 [111]、[110 ]及 [10 0 ]方向的声子散射圆频率分布曲线及C60 晶格振动频率的态密度分布 .采用所得到的C60晶格振动频率的态密度分... 详细信息

采用C60 分子之间相互作用势的Kihara形式 ,研究了立方面心C60 晶体的晶格振动问题 ,得到了质心振动沿 [111]、[110 ]及 [10 0 ]方向的声子散射圆频率分布曲线及C60 晶格振动频率的态密度分布 .采用所得到的C60晶格振动频率的态密度分布 ,计算了晶体C60 在 2 98K时的等压热容 ,所得数值与实验值相符 .

关键词：晶格振动立方面心C60晶体声子散射频率态密度分布热容碳60 富勒烯

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钨酸铅晶体中与氧空位相关的色心研究

物理学报 2003年第2期52卷 459-462页

作者：姚明珍顾牡同济大学物理系上海200092

采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位VO 及其相关色心的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :VO 的存在可以使WO42 - 基团的禁带宽度明显变小 ;PbWO4 晶体中VO 可以产... 详细信息

采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位VO 及其相关色心的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :VO 的存在可以使WO42 - 基团的禁带宽度明显变小 ;PbWO4 晶体中VO 可以产生F+ ,并且F+ 的存在可以使晶体引起 4 2 0nm的吸收 ,另外PbWO4 晶体中VO 可能不会产生F心 .

关键词：钨酸铅晶体色心 PbWO4晶体密度泛函氧空位态密度分布

CO和Cl2在TiO2（110）表面的吸附行为

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重庆大学学报（自然科学版） 2019年第8期42卷 50-58页

作者：石胜云温良英曹娇杨帆徐建张生富杨仲卿韩东升重庆大学材料科学与工程学院重庆400044 重庆大学钒钛冶金及新材料重庆市重点实验室重庆400044 重庆大学动力工程学院重庆400044 山东省化工研究院济南250014

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究了CO和Cl2分子在TiO2(110)面上的吸附反应,通过计算体系的吸附结构、吸附能、电荷密度和态密度等性质,揭示了CO和Cl2共同吸附在TiO2(110)表面的行为机制。CO和Cl2在TiO2(110)面上的吸附... 详细信息

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究了CO和Cl2分子在TiO2(110)面上的吸附反应,通过计算体系的吸附结构、吸附能、电荷密度和态密度等性质,揭示了CO和Cl2共同吸附在TiO2(110)表面的行为机制。CO和Cl2在TiO2(110)面上的吸附存在相互促进的关系,共同吸附时其平均吸附能为-1.367 4eV,Cl2能够被表面Ti原子捕获,表面Ti(5c)原子发生sd3轨道杂化,吸附发生时表面形成CO→TiO2(110)→Cl流向的瞬时电子流,态密度的分布显示TiO2(110)表面的Ti-O键强度被削弱,说明CO的存在对TiO2的氯化有促进作用,同时表面O原子被激活,其随着CO从表面解离形成CO2分子平均释放1.418 6eV的能量,使得TiO2(110)结构被破坏,同时也为下一个Cl2分子提供了良好的吸附位。

关键词：二氧化钛吸附行为密度泛函理论吸附结构态密度分布

一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型

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Journal of Semiconductors 2005年第6期26卷 1191-1196页

作者：邵雪余志平清华大学微电子学研究所北京100084

提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显... 详细信息

提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.

关键词：非平衡态准三维 FET模型 FinFET 格林函数方法量子力学模型态密度分布薛定谔方程亚阈值特性弹道输运纳米器件三维结构开关特性纳米尺度模拟结果泊松方程载流子横截面量子线求解

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掺镧钨酸铅晶体缺陷的理论研究

人工晶体学报 2002年第5期31卷 460-463页

作者：姚明珍顾牡同济大学物理系上海200092

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能... 详细信息

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明 :掺镧晶体不会引起 42 0nm和 35 0nm的吸收 ,改善了PbWO4 晶体中的两个本征吸收带。掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为 3.98eV。

关键词：掺镧钨酸铅晶体理论研究晶体缺陷 La:PbWO4 密度泛函吸收中心态密度分布