掺镧钨酸铅晶体缺陷的理论研究
Theoretical Study on Defects in La:PbWO_4 Crystal作者机构：同济大学物理系上海200092
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2002年第31卷第5期
页 面：460-463页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金 (No .197740 43) 上海市教育委员会重点学科发展基金 教育部高等学校骨干教师资助计划 上海高等学校科技发展基金资助项目
主 题：掺镧钨酸铅晶体 理论 研究 晶体缺陷 La:PbWO4 密度泛函 吸收中心 态密度分布
摘 要：采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明 :掺镧晶体不会引起 42 0nm和 35 0nm的吸收 ,改善了PbWO4 晶体中的两个本征吸收带。掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为 3.98eV。
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