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  • 59 篇 期刊文献
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  • 66 篇 电子文献
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主题

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机构

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  • 1 篇 鸡西大学
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  • 1 篇 山东工业大学
  • 1 篇 南京特种器件公司
  • 1 篇 西北核技术研究所
  • 1 篇 上海科学技术大学

作者

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语言

  • 66 篇 中文
检索条件"主题词=开关二极管"
66 条 记 录,以下是1-10 订阅
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延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定
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强激光与粒子束 2005年 第7期17卷 1043-1046页
作者: 余稳 谭述奇 张飞 张义门 孙晓玮 西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安710071 湖南油中王有限公司 湖南益阳413000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD... 详细信息
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硅电压开关二极管的特性和应用
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无线电 1990年 第5期 42-43页
作者: 沈福兴
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模拟可变转折电压单向开关二极管
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无线电 1993年 第7期 35-36页
作者: 丘双安
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基于开关二极管的全息电控扫描天线设计
基于开关二极管的全息电控扫描天线设计
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作者: 顾小锋 哈尔滨工业大学
学位级别:硕士
随着移动通信的发展和5G技术的普及,各种不同的应用场景对天线提出了更多复杂的要求。电控扫描天线由于其快速的波束调控能力,成为满足不同应用场景需求的重要手段。传统的电控扫描天线为相控阵天线,但是大量的移相器和TR组件使相控阵... 详细信息
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双栅场效应高频低噪声开关二极管等器件在电子调谐器应用中的技术探讨
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电视与配件 1995年 第3期 33-36页
作者: 周永仁 安振明
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扩散法掺金锗开关二极管的研究
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山东大学学报(理学版) 1964年 第4期 66-67页
作者: 丛树福 李爽秋 唐曾鋐 張洪治 山东大学物理系 1964年毕业生 山东大学物理系
***和***对二极管开关性能曾做出了详细的研究。根据这一理论,减小反向恢复时间的主要途径是减小材料少数载流子的寿命。我们采用n型锗用扩散法掺金
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硅双向触发开关二极管
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电世界 2007年 第1期48卷 16-18页
作者: 姜宝琪
硅双向触发开关二极管(SIDAC)是近年来推出的一种适用于交流电路的新型电子器件。与人们所熟悉的DB3等双向触发二极管(DIAC)相比,SIDAC具有明显的负阻特性和非常低的导通压降。这种器件不仅击穿电压高,而且能够承受大的浪涌电流。... 详细信息
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2CK系列大电流开关二极管氢气烧结工艺的优选
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电子工艺技术 1993年 第4期14卷 10-12,31页
作者: 韩红 王玉纯 哈尔滨晶体 150010
对氢气烧结造成二极管击穿电压蠕变的机理进行了分析,认为烧结过程中过多的H^+离子进入SiO_2层中,成为SiO_2层中的可动正离子,是造成击穿电压蠕变的根本原因。并通过序贯三次L_9(3~4)正交试脸优选,确定了2CK系列大电流开关二极管的氢气... 详细信息
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整流和开关二极管中子辐射效应
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半导体技术 1986年 第3期 21-24+14页
作者: 陈盘训
本文介绍核电子学线路及核仪器中应用相当广泛的整流和开关二极管在中子辐射后性能的变化,即正向压降和反向电流增加。中子辐射在半导体材料产生缺陷的载流子去除效应及少数载流子寿命的减少是其主要的损伤机理。实验表明,硅整流二极管... 详细信息
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基于开关二极管的示波器输入通道保护器
基于开关二极管的示波器输入通道保护器
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第六届全国信息获取与处理学术会议
作者: 李显宝 西北核技术研究所
介绍了开关二极管无源正向保护器在示波器垂直输入通道保护上的应用,给出了相关的电路、测试波形和结论。
来源: cnki会议 评论