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整流和开关二极管中子辐射效应

作     者:陈盘训 

出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期:1986年第3期

页      面:21-24+14页

主  题:开关二极管 硅整流二极管 中子辐射 整流 

摘      要:本文介绍核电子学线路及核仪器中应用相当广泛的整流和开关二极管在中子辐射后性能的变化,即正向压降和反向电流增加。中子辐射在半导体材料产生缺陷的载流子去除效应及少数载流子寿命的减少是其主要的损伤机理。实验表明,硅整流二极管中子辐射容限在3×10;~4×10;n/cm;;;硅开关二极管的中子辐射容限在5×10;~3×10;n/cm;;锗、砷化镓开关二极管的中子辐射容限较硅器件要低。

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