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拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)

半导体光电 1980年第3期 3-9页

作者：朱华海

本文报导了具有高效、快速、低噪声性能的拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)。在p-si单晶片上用硼离子注入和热扩散推进技术制作了高场区。在芯片背面蚀腔减薄后作硼扩散,其杂质梯度感生内建场。这样,在不增加工作电压的情况下,实现高的量... 详细信息

本文报导了具有高效、快速、低噪声性能的拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)。在p-si单晶片上用硼离子注入和热扩散推进技术制作了高场区。在芯片背面蚀腔减薄后作硼扩散,其杂质梯度感生内建场。这样,在不增加工作电压的情况下,实现高的量子效率和快速响应特性。器件所达到的性能如下:在λ=0.86um下,量子效率可高达80％;在锁模Nd:YAG激光脉冲,其输出脉冲的前沿后沿为420PS,峰值半宽度τ为420PS;击穿电压为70～180V;过剩噪声因子x低达0.3,电容为1pf。

关键词：击穿电压暗电流耗尽层 RAPD 过剩噪声因子杂质分布硅雪崩光电二极管单晶片内建场场区激光器光激射器电子器件噪声电流

a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算

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Journal of Semiconductors 1987年第2期 137-144页

作者：林璇英杨大同奚中和北京大学无线电电子学系

非晶硅太阳电池本征层厚度和费米能级位置是影响电池性能的两个重要物理参量.本文从理论上计算出PIN结内建场与本征层厚度和费米能级位置的关系.计算结果表明:为保证光生载流子的有效收集,当隙态密度为10;cm;eV;时,本征层最佳厚度为0.5... 详细信息

非晶硅太阳电池本征层厚度和费米能级位置是影响电池性能的两个重要物理参量.本文从理论上计算出PIN结内建场与本征层厚度和费米能级位置的关系.计算结果表明:为保证光生载流子的有效收集,当隙态密度为10;cm;eV;时,本征层最佳厚度为0.5μm,费米能级位置偏离能隙中心不能超过0.2eV.

关键词：内建场能隙能带结构费米能级 a-Si 最佳厚度厚度值太阳电池光生载流子理论计算

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γ辐照对MOS结构中可动离子的影响

电子器件 1986年第Z1期 82-87页

作者：吕世骥赵杰马见慈吴宗汉

本工作利用TSIC和B—T测量研究了经;Coγ射线辐照后MOS结构的SiO;薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO;膜中可动离子的最可几陷阱能量下降,且离子总量大大减少。利用内建场增强离子发射模型和可动离子中性化模型对... 详细信息

本工作利用TSIC和B—T测量研究了经;Coγ射线辐照后MOS结构的SiO;薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO;膜中可动离子的最可几陷阱能量下降,且离子总量大大减少。利用内建场增强离子发射模型和可动离子中性化模型对实验结果进行了讨论。计算表明理论与实验吻合较好。

关键词： MOS 辐照离子辐照效应内建场电场强度

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砷在锗中的扩散

中山大学学报(自然科学版)(中英文) 1964年第3期 350-357页

作者：彭少麒姚杰中山大学物理系

在恒定温度800℃之下进行了在砷的表面浓度范围为1.9×1018-4.9×1019原子/厘米~2,以及锗材料中含铟浓度范围为4×1014-1×1017原子/厘米~3的砷以气相散入锗的研究。扩散系数是利用测量扩散层的P-n 结方法来决定的,而杂质在扩散层中的... 详细信息

在恒定温度800℃之下进行了在砷的表面浓度范围为1.9×1018-4.9×1019原子/厘米~2,以及锗材料中含铟浓度范围为4×1014-1×1017原子/厘米~3的砷以气相散入锗的研究。扩散系数是利用测量扩散层的P-n 结方法来决定的,而杂质在扩散层中的浓度分布则用连续腐蚀法结合四探针电导测量来决定。发现扩散系数是随着P-型锗的纯度增加而逐渐增大,以及随着砷的表面浓度增大而增大(在Ns>2.3×10~8原子/厘米~3的区域),同时发现扩散层中砷的浓度分布显著地偏离于理论分布。对于体内杂质浓度以及砷的表面浓度对扩散系数所起的作用进行了一些讨论.

关键词：扩散系数表面浓度内建场偏离程度浓度分布分布(力学)

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扩散p-n结的光电流

太阳能学报 1983年第4期 349-354页

作者：张秀淼杭州大学物理系

对扩散p-n结的光电流在短波长区域的响应进行了解析研究。本文假设扩散p型区的杂质分布为高斯分布,并与前人的指数杂质分布结果作了比较。当用简化的指数杂质分布代替实际的高斯分布,即用一个常值的内建场代替与离表面距离有关的内建场... 详细信息

对扩散p-n结的光电流在短波长区域的响应进行了解析研究。本文假设扩散p型区的杂质分布为高斯分布,并与前人的指数杂质分布结果作了比较。当用简化的指数杂质分布代替实际的高斯分布,即用一个常值的内建场代替与离表面距离有关的内建场时,对于表面复合相对于体复合为主要因素的p-n结,将引入一个正的光电流误差,反之将引入一个负的光电流误差,而对于表面和体复合两种因素可以比较的p-n结,则引入的误差甚小。

关键词：高斯分布指数分布正态分布寿命分布 p-n 复合(半导体) 表面复合光电流响应杂质分布内建场体内复合

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高效快速的硅雪崩光电二极管

半导体光电 1980年第1期8卷 24-31页

作者：朱华海二室二○二组

本文报导了高效,快速的保护环硅雪崩光电二极管(GAPD)和拉通型雪崩光电二极管(RAPD)。为使 GAPD 消除光电流中的扩散慢分量,在理论上分析和计算了零场区对它的影响。通过单晶片背面蚀洞减薄,并在背面作硼扩散构成内建场,以便在不增加工... 详细信息

本文报导了高效,快速的保护环硅雪崩光电二极管(GAPD)和拉通型雪崩光电二极管(RAPD)。为使 GAPD 消除光电流中的扩散慢分量,在理论上分析和计算了零场区对它的影响。通过单晶片背面蚀洞减薄,并在背面作硼扩散构成内建场,以便在不增加工作电压的情况下,实现快速响应和高量子效率。并介绍了在中阻硅单晶片上,用离子注入制作高场区,用上述减薄方法制造了 RAPD。两种实验器件所获得的性能如下:GAPD—击穿电压为105～120V;对锁模 Nd:YAG 激光脉冲,输出脉冲半宽度τ=500ps,前沿为450ps,后沿为750ps,在λ=0.9μm 下,量子效率η≥30%。而 RAPD—击穿电压为120～180V,对锁模 Nd:YAG 激光脉冲,输出脉冲半宽度τ=450ps,前沿和后沿均为450ps,在λ=0.9μm 下,量子效率η≥60%。

关键词：击穿电压保护环器件工作电压锁模单晶片硅雪崩光电二极管耗尽层蚀洞内建场激光脉冲光电流耗尽区激光器光激射器电子器件结深 RAPD 环境温度变化光生载流子温度补偿电路过剩噪声因子电子漂移信号电流渡越时间

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