超短电子脉冲展宽的外场依赖性分析

作     者：王超 田进寿 康轶凡 李昊 刘虎林 

作者机构：中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室西安710119 空军工程大学理学院西安710051 中国科学院研究生院北京100049 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2013年第33卷第2期

页      面：120-125页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金项目(No.11175198) 

主　　题：脉冲展宽 Boersch效应 时间分辨 内建场 

摘      要：根据已有文献研究结果,建立了Boersch效应电子脉冲展宽物理分析模型,确立了以时间弥散特征参量为核心参数的电子脉冲展宽表征理论,以此为基础分析了超短电子脉冲展宽对外场的依赖性。结果表明:相比匀速漂移场,加速场具有较好的抑制电子脉冲展宽作用,而减速场则增大了电子脉冲展宽;对条纹相机和超快电子衍射仪等电子枪系统而言,除了已知的两个区域—光阴极附近和偏转板后等电位漂移空间之外,光电子脉冲从高电位向低电位传输时其时间弥散也是非常显著的。此结论对高性能电子枪工程设计具有重要的理论指导价值。