咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 18 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 18 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 7 篇 工学
    • 4 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 仪器科学与技术
  • 4 篇 理学
    • 3 篇 物理学
    • 1 篇 化学
    • 1 篇 天文学
  • 1 篇 经济学
    • 1 篇 应用经济学

主题

  • 18 篇 俄歇跃迁
  • 3 篇 固体表面
  • 3 篇 电子倍增器
  • 3 篇 原子序数
  • 3 篇 表面相
  • 3 篇 xps
  • 3 篇 表面分析
  • 3 篇 俄歇电子能谱分析
  • 3 篇 俄歇电子
  • 3 篇 原子层
  • 3 篇 电子管
  • 3 篇 平均自由程
  • 2 篇 功函数
  • 2 篇 离化
  • 2 篇 俄歇电子能谱仪
  • 2 篇 能级图
  • 2 篇 电子结合能
  • 2 篇 电子枪
  • 2 篇 入射电子
  • 2 篇 逸出功

机构

  • 3 篇 中国科学院上海冶...
  • 2 篇 北京理工大学
  • 1 篇 中国科学院半导体...
  • 1 篇 航天部兰州物理研...
  • 1 篇 河北大学
  • 1 篇 兰州理工大学
  • 1 篇 南京工学院
  • 1 篇 department of ph...
  • 1 篇 中科院半导体所
  • 1 篇 浙江大学
  • 1 篇 第一机械工业部上...
  • 1 篇 天津大学
  • 1 篇 中国科学院物理研...
  • 1 篇 昆明物理研究所
  • 1 篇 中国科学院化学研...
  • 1 篇 清华大学
  • 1 篇 比利时大学
  • 1 篇 北京电子管厂
  • 1 篇 徐州工程学院

作者

  • 2 篇 苟秉聪
  • 1 篇 倪瑞澄
  • 1 篇 陈信义
  • 1 篇 高敏
  • 1 篇 胡峰
  • 1 篇 陈克铭
  • 1 篇 刘振祥
  • 1 篇 桑萃萃
  • 1 篇 赵正平
  • 1 篇 章兴国
  • 1 篇 季振国
  • 1 篇 陈维德
  • 1 篇 雨.本德
  • 1 篇 z.chen
  • 1 篇 简耀光
  • 1 篇 刘冬冬
  • 1 篇 毕联训
  • 1 篇 张家慰
  • 1 篇 杨发中
  • 1 篇 余镇江

语言

  • 18 篇 中文
检索条件"主题词=俄歇跃迁"
共 18 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
类硼S离子K壳层激发共振态的辐射和俄歇跃迁
收藏
分享
引用
物理学报 2019年 第16期68卷 165-178页
作者： 孙言 胡峰 桑萃萃 梅茂飞 刘冬冬 苟秉聪 徐州工程学院数学与物理科学学院 徐州221018 兰州理工大学理学院 兰州730050 北京理工大学物理学院 北京100081
采用多组态鞍点变分方法计算了类硼S离子K壳层激发共振态1s2s22p2, 1s2s2p3, 1s2p4 2,4L(L=S, P,D)的非相对论能量和波函数,利用截断变分方法饱和波函数空间,改进体系的非相对论能量.利用微扰理论计算了相对论修正和质量极化效应,利用... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析
收藏
分享
引用
真空科学与技术学报 1990年 第1期21卷 7-10页
作者： 陈维德 雨.本德 中科院半导体所 比利时大学际微电子中心
TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
俄歇电子谱及莫应用
收藏
分享
引用
物理 1977年 第6期 353-360页
作者： 伍乃娟 刘振祥 陈克铭 中国科学院物理研究所 中国科学院半导体研究所
1925年俄歇(M·P.Auger)研究威尔逊云室中被x射线所电离的惰性气体的光电效应时,发现双径迹现象.这两条径迹从同一处出发.其中一条是被x射线照射后原子内壳层释放出一个光电子所引起的,它的长度随照射的x射线能量的增加而拉长.另一条径... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
AlXGa1-XAs俄歇定量分析
收藏
分享
引用
真空科学与技术学报 1984年 第3期 166-172页
作者： 高培德 章纯思 毕联训 中国科学院上海冶金研究所
本文提供一种较精确的表面微区俄歇定量分析方法——组元素标样法,并在两个系统中对具有0.0俄歇定量检测。检测结果与电子探针和X射线双晶衍射的结果进行比较,发现二者相当一致,与电子探针和双晶衍射之平... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
俄歇电子能谱分析及其在金属材料研究中的应用
收藏
分享
引用
兵器材料科学与工程 1981年 第4期 21-32页
作者： 齐芸馨
材料微观结构的不均匀性往往对材料性质产生重大影响,例如杂质或(和)合金元素向界面(如自由表面,晶界等)狭窄区域偏聚,使韧性材料变脆或造成金属腐蚀。由于偏聚的范围一般只有几个原子层,所以电子探针、自射照相、化学浸蚀等技术均不能... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
俄歇电子能谱仪及其应用
收藏
分享
引用
理化检验通讯(物理分册) 1978年 第3期 33-41页
作者： 武蕴忠 中国科学院上海冶金研究所
用一束具有一定能量的入射束轰击样品表面,从样品表面上会激发出多种信号。将各种检测器放在适当的位置上进行收集,就构成了不同的谱仪。近年来由于实验技术的飞速发展,出现了多种观察固体表面的新技术。根据入射束和被测信号的不同,可... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
俄歇电子能谱分析
收藏
分享
引用
上海冶金 1981年 第2期 60-66页
作者： 倪瑞澄 第一机械工业部上海材料研究所
俄歇电子能谱技术,这些年来已发展成为研究固体表面的有力工具,它对许多工业部门和基础的表面物理研究都起着重要的作用。本文简要的介绍了俄歇电子能谱分析的基本原理,并列举了包括硫磷向不锈钢表面扩散和富集、晶介偏析、分子鉴定、... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
俄歇电子能谱及其在半导体中的应用
收藏
分享
引用
微电子学 1980年 第6期 39-50页
作者： 刘江禄
一 引言 俄歇电子能谱(AES)是通过测定由电子束激发产生的俄歇电子的特征能量进行元素分析的一种固体表面薄层分析技术。近年来,发展非常迅速。它可以进行固体表面元素的点分析、线分析和二维分布的分析,如果配以离子腐蚀装置还可以进... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
俄歇效应和表面结构分析
收藏
分享
引用
仪器仪表学报 1982年 第4期3卷 433-441页
作者： 曹普光 北京电子管厂
俄歇电子谱仪广泛地利用来确定固体表面的化学和电子结构(40 A)。这篇文章详细地讨论了利用俄歇电子谱仪分析表面结构的方法。给出了俄歇表面结构分析的许多应用。1.俄歇效应,提出可采用的俄歇效应有:(1)俄歇表面效应,(2)俄歇峰宽和化... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
俄歇电子能谱中的化学信息
收藏
分享
引用
真空电子技术 1988年 第2期 21-24页
作者： 高敏 昆明物理研究所
本文首先介绍了固体表面化学结构对俄歇电子的影响。然后,对去卷积技术在俄歇电子能谱中的应用作了讨论,认为采用这种技术对变形的能谱进行修正后,就可以用来分析固体表面的化学信息。
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共2页 <<  < 1 2 >  >> 跳转到页 
回到顶部
执行限定条件