俄歇电子谱及莫应用

作     者：伍乃娟 刘振祥 陈克铭 

作者机构：中国科学院物理研究所 中国科学院半导体研究所 

出 版 物：《物理》 (Physics)

年 卷 期：1977年第6期

页      面：353-360页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：样品架 能级 原子序数 电子能量分布 俄歇电子谱仪 离化 内壳层 俄歇电子能谱仪 俄歇跃迁 GaAs 

摘      要：1925年俄歇(M·***)研究威尔逊云室中被x射线所电离的惰性气体的光电效应时,发现双径迹现象.这两条径迹从同一处出发.其中一条是被x射线照射后原子内壳层释放出一个光电子所引起的,它的长度随照射的x射线能量的增加而拉长.另一条径迹的长度却并不随着照射的X射线的能量变化而变化,仅同被照射的原子的种类有关.俄歇对后者作了正确的解释,认为它是由一个外壳层电子填补内壳层空穴释放出来的能量,激发外壳层另一个电子所引起的,后来称这种电子为俄歇电子.长期以来,这种物理现象未能找到应用.直到 1953年,兰德(***)[1]才首次提出俄歇电子能谱学可以作为表面分析手段,但离开实用还相当遥远.1967年哈里斯(***)[2]采用电于能量微分方法,使能量分布曲线上的俄歇峰同本底区分开来,才使俄歇电子能谱作为表面分忻工具进入了实用阶段.六十年代末到现在,一方面由于电子分析器有了相当大的改进,超高真空的条件已普遍获得.另一方面随着科研和生产的发展,表面研究的重要性突出了,因而俄歇电子谱仪急速发展起来.目前巳广泛应用于冶金、触媒、电子学、材料生长、半导体工艺和基本化学物理等方面的研究.一、二次电子...