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用俄歇电子谱仪测量半导体

电子技术 1982年第4期 2-5页

作者：郑广富

俄歇（Auger）电子谱仪是一种新型的综合性分析装置,利用它作半导体材料和器件的组分与表面的分析,是一个很有力的工具,也是一门新技术.本文将叙述采用俄歇电子谱仪,对光电子器件常用的化合物半导体镓铝砷(GA;Al;As)、镓铝砷磷(Ga;Al;As... 详细信息

俄歇（Auger）电子谱仪是一种新型的综合性分析装置,利用它作半导体材料和器件的组分与表面的分析,是一个很有力的工具,也是一门新技术.本文将叙述采用俄歇电子谱仪,对光电子器件常用的化合物半导体镓铝砷(GA;Al;As)、镓铝砷磷(Ga;Al;As;P;)等多元化合物材料的组分,进行定性分析和定量测量,通过与标准样品作比较而推导出组分x、y值的计算公式,给出了实验方法与实验结果.一、概述俄歇电子谱仪是一种普遍适用于分析各种固体材料所含元素的新设备.它可以对半导体材料进行表面

关键词：俄歇谱标准样品定量测量标样技术标准俄歇电子谱仪俄歇电子能谱仪试验样品峰值强度

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采用隔离放大器的俄歇电子谱仪

真空与低温 1983年第4期 13-15+9页

作者：钦菊美沈国华

1.前言当前,作为表面研究手段的俄歇电子谱仪已经确定了牢固的地位。光电子谱法与质谱法的谱线可分别表示为能量分布E—N(E)关系和质量分布关系,通常俄歇电子谱是用能量分布的微分曲线E—dN(E)/dE来表示的。由于通常的俄歇电子峰是一个... 详细信息

1.前言当前,作为表面研究手段的俄歇电子谱仪已经确定了牢固的地位。光电子谱法与质谱法的谱线可分别表示为能量分布E—N(E)关系和质量分布关系,通常俄歇电子谱是用能量分布的微分曲线E—dN(E)/dE来表示的。由于通常的俄歇电子峰是一个在相当大的二次电子本底上叠加的很弱的峰,因此要用能量分布的方式把它检测出来是异常困难的。虽然微分法在俄歇谱仪中是不可缺少的技术,但对时间的能量分布要比微分分布更为有用。例如,在考虑定量分析的情况下,因为前者意义明确所以更为优越。此外,由于二次电子本底是反映

关键词：隔离放大器 EN 能量分布微分曲线缓冲放大器分布(力学) 二次电子倍增器俄歇电子能谱仪俄歇电子谱仪

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镀膜玻璃层结构及成分的俄歇电子能谱分析

现代科学仪器 2001年第6期18卷 60-62页

作者：尹诗衡曹珍年谭春华华南理工大学测试中心广州510640

利用俄歇电子能谱仪测试了一种镀膜玻璃的表面层成分 ,并利用深度剖析的方法测试分析了其镀膜层的结构 ,估算了镀膜层的厚度。

关键词：俄歇电子能谱分析俄歇电子能谱仪镀膜玻璃深度剖析膜厚

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Ti-Si-N复合膜的界面相研究

物理学报 2005年第8期54卷 3774-3779页

作者：孔明胡晓萍董云杉李戈扬顾明元上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室上海200030 上海大学材料科学与工程学院上海200072

为了揭示Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相的存在方式及其对薄膜力学性能的影响,采用x射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、俄歇电子能谱仪和显微硬度仪对比研究了磁控溅射Ti_Si_N复合膜和TiN/Si3N4多层膜的微结构和力学性能.实验结果表明,Ti_... 详细信息

为了揭示Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相的存在方式及其对薄膜力学性能的影响,采用x射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、俄歇电子能谱仪和显微硬度仪对比研究了磁控溅射Ti_Si_N复合膜和TiN/Si3N4多层膜的微结构和力学性能.实验结果表明,Ti_Si_N复合膜均形成了Si3N4界面相包裹TiN纳米晶粒的微结构.其中低Si含量的Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相的厚度小于1nm,且以晶体态存在,薄膜呈现高硬度.而高Si含量的Ti_Si_N复合膜中的Si3N4界面相以非晶态存在,薄膜的硬度也相应降低.显然,Ti_Si_N复合膜中Si3N4界面相以晶体态形式存在是薄膜获得高硬度的重要微结构特征,其强化机制可能与多层膜的超硬效应是相同的.

关键词： Ti-Si-N 复合膜界面相高分辨透射电子显微镜 Si3N4 俄歇电子能谱仪 x射线衍射仪力学性能显微硬度仪微结构特征存在方式磁控溅射对比研究纳米晶粒超硬效应强化机制多层膜 TiN 高硬度薄膜非晶态含量体态

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俄歇电子谱及莫应用

物理 1977年第6期 353-360页

作者：伍乃娟刘振祥陈克铭中国科学院物理研究所中国科学院半导体研究所

1925年俄歇(M·***)研究威尔逊云室中被x射线所电离的惰性气体的光电效应时,发现双径迹现象.这两条径迹从同一处出发.其中一条是被x射线照射后原子内壳层释放出一个光电子所引起的,它的长度随照射的x射线能量的增加而拉长.另一条径迹的... 详细信息

1925年俄歇(M·***)研究威尔逊云室中被x射线所电离的惰性气体的光电效应时,发现双径迹现象.这两条径迹从同一处出发.其中一条是被x射线照射后原子内壳层释放出一个光电子所引起的,它的长度随照射的x射线能量的增加而拉长.另一条径迹的长度却并不随着照射的X射线的能量变化而变化,仅同被照射的原子的种类有关.俄歇对后者作了正确的解释,认为它是由一个外壳层电子填补内壳层空穴释放出来的能量,激发外壳层另一个电子所引起的,后来称这种电子为俄歇电子.长期以来,这种物理现象未能找到应用.直到 1953年,兰德(***)[1]才首次提出俄歇电子能谱学可以作为表面分析手段,但离开实用还相当遥远.1967年哈里斯(***)[2]采用电于能量微分方法,使能量分布曲线上的俄歇峰同本底区分开来,才使俄歇电子能谱作为表面分忻工具进入了实用阶段.六十年代末到现在,一方面由于电子分析器有了相当大的改进,超高真空的条件已普遍获得.另一方面随着科研和生产的发展,表面研究的重要性突出了,因而俄歇电子谱仪急速发展起来.目前巳广泛应用于冶金、触媒、电子学、材料生长、半导体工艺和基本化学物理等方面的研究.一、二次电子...

关键词：样品架能级原子序数电子能量分布俄歇电子谱仪离化内壳层俄歇电子能谱仪俄歇跃迁 GaAs

Nd_(28)Fe_(66)B_6/Fe_(50)Co_(50)双层纳米复合膜的结构和磁性

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物理学报 2005年第10期54卷 4889-4893页

作者：敖琪张瓦利张熠吴建生上海交通大学高温材料与高温测试教育部重点实验室上海200030

利用磁控溅射法制备了Nd28Fe66B6/Fe50Co50双层纳米复合磁性薄膜,研究了其结构和磁性.经873K退火处理15min后,利用x射线衍射仪测定薄膜晶体结构,采用俄歇电子能谱仪估算薄膜厚度和超导量子干涉仪测量其磁性.磁性测量表明,1)该系列薄膜... 详细信息

利用磁控溅射法制备了Nd28Fe66B6/Fe50Co50双层纳米复合磁性薄膜,研究了其结构和磁性.经873K退火处理15min后,利用x射线衍射仪测定薄膜晶体结构,采用俄歇电子能谱仪估算薄膜厚度和超导量子干涉仪测量其磁性.磁性测量表明,1)该系列薄膜具有垂直于膜面的磁各向异性.从起始磁化曲线和小回线的形状特征可知,矫顽力机制主要是由畴壁钉扎控制.2)对于固定厚度(10nm)层的硬磁相Nd-Fe-B和不同厚度(dFeCo=1—100nm)层软磁相FeCo双层纳米复合膜,剩磁随软磁相FeCo厚度的增加快速增加,而矫顽力则减少.当dFeCo=5nm时,最大磁能积达到160×103A/m.磁滞回线的单一硬磁相特征说明,硬磁相Nd-Fe-B层和软磁相FeCo层之间的相互作用使两相很好地耦合在一起.剩磁和磁能积的提高是由于两相磁性交换耦合所致.

关键词： Nd-Fe-B/FeCo双层纳米复合膜交换耦合磁性增强纳米复合膜磁性薄膜晶体结构 Nd-Fe-B 超导量子干涉仪俄歇电子能谱仪矫顽力机制

T8钢/Al_2O_3陶瓷副极压抗磨减摩添加剂的协同效应研究

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机械工程学报 2004年第4期40卷 119-122页

作者：蒋书运东南大学机械工程系南京210096

利用Falex摩擦磨损机考察了T8钢/Al_2O_3。陶瓷摩擦副在油性剂T451与极压抗磨剂T306作用下的摩擦学性能:用扫描电子显微镜(SEM)观察试销表面磨损状态;采用俄歇电子能谱仪分析了摩擦表面元素化学成分。结果表明:T8钢/Al_2O_3陶瓷摩擦副在... 详细信息

利用Falex摩擦磨损机考察了T8钢/Al_2O_3。陶瓷摩擦副在油性剂T451与极压抗磨剂T306作用下的摩擦学性能:用扫描电子显微镜(SEM)观察试销表面磨损状态;采用俄歇电子能谱仪分析了摩擦表面元素化学成分。结果表明:T8钢/Al_2O_3陶瓷摩擦副在T451、T306复配作用下表现出良好的减摩抗磨协同作用;随着T451质量分数的增加,其减摩抗磨性能增强,而随着T306质量分数的增加,其减摩抗磨性能减弱。在已完成的试验方案中,最佳的复配比例为:2％T451+1％T306。AES分析表明T451与T306复配时产生协同作用的主要原因为油性剂T451的存在使T8钢试销摩擦表面形成厚的富磷层。在文中的试验条件下,T8钢/Al_2O_3摩擦副的磨损形式为磨料磨损和摩擦化学(腐蚀)磨损。

关键词： T8钢 A12O3陶瓷摩擦磨损性能极压抗磨剂减摩剂协同效应 SEM 俄歇电子能谱仪润滑油

磷的非平衡晶界偏聚恒温动力学实验及计算研究

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哈尔滨工程大学学报 2004年第2期25卷 141-146页

作者：李庆芬李莉金国刘二宝崔秀芳哈尔滨工程大学机电工程学院黑龙江哈尔滨150001

选用12Cr1MoV工业用钢,通过俄歇电子能谱分析方法(AES),对磷在1050℃固溶处理温度下,540℃恒温时效过程中的非平衡晶界偏聚浓度进行了测试,在国际上首次获得了磷在钢中的非平衡晶界偏聚动力学完整曲线,该曲线直接验证了由徐庭栋提出的... 详细信息

选用12Cr1MoV工业用钢,通过俄歇电子能谱分析方法(AES),对磷在1050℃固溶处理温度下,540℃恒温时效过程中的非平衡晶界偏聚浓度进行了测试,在国际上首次获得了磷在钢中的非平衡晶界偏聚动力学完整曲线,该曲线直接验证了由徐庭栋提出的非平衡晶界偏聚动力学理论模型.论文还进行了非平衡晶界偏聚动力学计算,求出了12Cr1MoV钢在540℃恒温过程中复合体的扩散系数Dc及磷原子的自扩散系数Di,并应用非平衡晶界偏聚动力学方程进行了动力学曲线模拟,拟合曲线与实验曲线符合完好.证实了非平衡晶界偏聚的空位-溶质原子复合体扩散机制.

关键词：晶界偏聚俄歇电子能谱仪临界时间复合体扩散系数

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筒镜分析器最佳工作参数的实验测试

仪器仪表学报 1985年第1期6卷 22-27页

作者：王钤耿德忠陈广禄复旦大学中国科学院沈阳科学仪器厂

利用筒镜分析器(CMA)固有的S形象差曲线求得最佳工作参数来设计CMA,可以显著地减小角度象差而大大提高俄歇电子能谱仪(AES)的性能。本文叙述用这一新方法设计的CMA的结构尺寸和测试结果,并与原按二级聚焦法设计的CMA的性能进行了比较。

关键词：筒镜分析器最佳工作参数象差电子能量分析器能量分辨率俄歇电子能谱仪透过率电子束直径象点电极位置