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MBE同质外延生长Sn掺杂β-ga2O3（010）薄膜的电子输运性质研究

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人工晶体学报 2025年

作者：张子琦杨珍妮况思良魏盛龙徐文静陈端阳齐红基张洪良厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室杭州光学精密机械研究所中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室

本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂（UID）和锡掺杂的β-ga2O3同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×1016至2.9×1019cm-3，载流子浓度为3.2×1016cm-3的非故意掺杂薄膜显示出优异的室温迁移率，为125 cm2... 详细信息

本文研究了利用分子束外延技术生长的非故意掺杂（UID）和锡掺杂的β-ga2O3同质外延薄膜的电子输运性质。薄膜载流子浓度范围为3.2×1016至2.9×1019cm-3，载流子浓度为3.2×1016cm-3的非故意掺杂薄膜显示出优异的室温迁移率，为125 cm2·V-1·s-1，在80 K时的峰值迁移率为875 cm2·V-1·s-1，达到了当前MBE生长的ga2O3薄膜的先进水平。利用温度相关霍尔测试表征同质外延薄膜的电子输运性质，计算得到锡掺杂剂的激活能为76.2 meV。通过散射模型的拟合计算，分析了这一系列同质外延薄膜的电子散射性质，在低温到高温过程中，来自本征缺陷的电离杂质散射及晶体中阴阳离子库仑力的极性光学声子（POP）散射限制了迁移率的增长。

关键词： β-ga O 外延薄膜掺杂激活能迁移率输运性质

β-ga2O3电子结构、光学性质及激子效应研究

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陕西理工大学学报（自然科学版） 2019年第4期35卷 79-86页

作者：杨创华陕西理工大学物理与电信工程学院

基于自洽的准粒子近似(GW近似)和求解Bethe-Salpete方程的多体微扰方法,准确计算了β-ga 2O 3的电子结构、光学性质以及激子效应。准确绘制出了β-ga 2O 3的第一布里渊区,确定了布里渊区高对称点及高对称点路径。基于GW方法修正计算了... 详细信息

基于自洽的准粒子近似(GW近似)和求解Bethe-Salpete方程的多体微扰方法,准确计算了β-ga 2O 3的电子结构、光学性质以及激子效应。准确绘制出了β-ga 2O 3的第一布里渊区,确定了布里渊区高对称点及高对称点路径。基于GW方法修正计算了能带结构,计算得到的能带带隙为4.67 eV,与实验的结果比较吻合。计算得到了Γ点能带的电子有效质量,它们几乎是各向同性的,其值在0.27m e和0.28m e之间。包含激子效应的光学性质计算结果表明β-ga 2O 3材料中的激子效应非常明显,主导了它的光学性质。还计算出了激子束缚能,及最大吸收峰位置与强度。

关键词： β-ga 2O 3 自洽的准粒子近似电子结构光学性质激子效应

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β—甘草甜素酸（β—ga）同前列腺素的络合物是一种新型子宫...

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沈阳医药 1992年第3期7卷 20-23页

作者：李淑清

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垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征

人工晶体学报 2025年

作者：黄东阳黄浩天潘明艳徐子骞贾宁齐红基杭州富加镓业科技有限公司中国科学院上海光学精密机械研究所

本文采用自主设计的垂直布里奇曼（VB）炉，通过动态模拟与实验深度耦合迭代优化的方法，建立了生长炉模型，通过优化生长炉的温场得到最佳温场，并根据模拟最佳温场对实际温场进行优化改造，成功生长出直径3英寸（1英寸=2.54 cm）氧化... 详细信息

本文采用自主设计的垂直布里奇曼（VB）炉，通过动态模拟与实验深度耦合迭代优化的方法，建立了生长炉模型，通过优化生长炉的温场得到最佳温场，并根据模拟最佳温场对实际温场进行优化改造，成功生长出直径3英寸（1英寸=2.54 cm）氧化镓(β-ga2O3)单晶。进一步加工得到最大尺寸为直径2.5英寸的（100）面β-ga2O3晶圆，并对β-ga2O3晶体的结晶质量和光学性能进行了表征测试。测试结果表明，β-ga2O3晶体具有较高质量，其紫外截止边为257.5 nm，对应光学带隙为4.78 eV，晶体的劳埃衍射斑点清晰、对称，摇摆曲线半峰全宽（FWHM）最小为39.6"。

关键词： β-ga O 垂直布里奇曼法晶体生长高质量结晶宽禁带半导体

尿中人源性和细菌性β-葡萄糖醛酸酶的同步测定法及初步应用

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临床检验杂志 1991年第2期9卷 63-65页

作者：宋立新王瑞秀何善述同济医科大学生化教研室

本文对人和细菌β-葡萄糖醛酸酶(β-ga)的最适pH 进行了研究,发现人β-ga 在pH7.0时的活性仅是它最适pH4.5时的16.4%,而细菌β-ga 在pH4.5时的活性仪是它最适pH7.0时的20.7%,据此设计了一个能同步测定尿中人源性和细菌性β-ga 活性的公... 详细信息

本文对人和细菌β-葡萄糖醛酸酶(β-ga)的最适pH 进行了研究,发现人β-ga 在pH7.0时的活性仅是它最适pH4.5时的16.4%,而细菌β-ga 在pH4.5时的活性仪是它最适pH7.0时的20.7%,据此设计了一个能同步测定尿中人源性和细菌性β-ga 活性的公式,可对尿液中两种酶分别定量,对临床判断泌尿系统的细菌和非细菌性感染有一定实用价值。

关键词：尿液 β-ga 人源性细菌性

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β相氧化镓p型导电研究进展

人工晶体学报 2024年

作者：查显弧万玉喜张道华深圳平湖实验室

β相氧化镓(β-ga2O3)具有超宽半导体带隙、高击穿电场和容易制备等优势，是功率器件的理想半导体材料。但由于β-ga2O3价带顶能级位置低、能带色散关系平坦，其p型掺杂目前仍具有挑战性，限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效... 详细信息

β相氧化镓(β-ga2O3)具有超宽半导体带隙、高击穿电场和容易制备等优势，是功率器件的理想半导体材料。但由于β-ga2O3价带顶能级位置低、能带色散关系平坦，其p型掺杂目前仍具有挑战性，限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-ga2O3p型掺杂的主要策略。对于β-ga2O3p-n同质结和异质结，提高晶体质量减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-ga2O3的p型导电问题，系统阐述了β-ga2O3电子结构，实验表征及理论计算掺杂能级方法，p型掺杂困难原因，以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-ga2O3p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案及不同方案的协同实现体相β-ga2O3的p型掺杂仍需要深入探索，p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。

关键词： β-ga O p型导电电子结构受主能级固溶 p-n结

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家兔实验性切创的酶组织化学观察

中国法医学杂志 1986年第1期 24-27页

作者：刘世沧廖志钢华西医科大学法医系法医病理学教研室

本文报告30只家兔实验性切创在伤后1至12小时创壁的酶组织化学反应。LDH,SDH,NADH,α-GPDH 四种酶反应阳性。创壁酶活性增高的原因部分是局部原来的纤维细胞物质代谢升高,部分是由于急性炎细胞在伤区积聚。作者认为伤后1小时创壁酶反应... 详细信息

本文报告30只家兔实验性切创在伤后1至12小时创壁的酶组织化学反应。LDH,SDH,NADH,α-GPDH 四种酶反应阳性。创壁酶活性增高的原因部分是局部原来的纤维细胞物质代谢升高,部分是由于急性炎细胞在伤区积聚。作者认为伤后1小时创壁酶反应阳性有助于确定生前伤,并推荐用 PTAH 染色确诊早期创面的微量纤维素性渗出。

关键词：损伤时间酶组织化学 ACP AKP ATP ANAE β-Gr β-ga 实验性切创