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Growth of high-quality thick GaN using a tungsten interlayer

Rare Metals 2006年第z2期25卷 11-14页

作者： NOUET Gérard RUTERANA Pierre Laboratoire Structures des Interfaces et Fonctionnalité des Couches Minces UMR CNRS 6176 ENSICAEN 6 Boulevard du Maréchal Juin 14050 Caen Cedex France

A high-quality GaN film was (W-GaN) grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) GaN templates with a tungsten (W) interlayer. A sample without interlayer was also grown at the same time for comparison. Significant reductions of dislocation density in W-GaN film is confirmed by the result of high-resolution X-ray diffraction and transmission electron microscope (TEM) observation. The improvement of optical properties of the W-GaN is confirmed by photoluminescence (PL) result. A shift of PL peak suggests that the strain is lower in the W-GaN than the film without W interlayer. This technique offers a potential path to obtain high-quality GaN film as free-standing substrate.

关键词： GaN tungsten interlayer HVPE HRXRD

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Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy

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Rare Metals 2006年第z2期25卷 15-19页

作者： NOUET Gérard2 RUTERANA Pierre Laboratoire Structures des Interfaces et Fonctionnalité des Couches Minces UMR CNRS 6176 ENSICAEN6 Boulevard du Maréchal Juin 14050 Caen Cedex France

Thick GaN layer deposited by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) GaN template with a thin low temperature (LT) AlN intermediate layer was investigated. High resolution X-ray resolution diffraction (HRXRD) shows that the crystalline quality of thick GaN layer was improved compared with the template. As confirmed by atomic force microscopy (AFM) observations, the surface morphology of AlN intermediate layer helps to improve the nucleation of GaN epilayer. Photoluminescence (PL) spectra measurement shows its high optical quality and low compressive stress, and micro Raman measurement confirms the latter result. Thus, the deposition of the LT-AlN interlayer has promoted the growth of an HVPE-GaN layer with an excellent crystalline quality.

关键词： GaN AlN intermediate layer HVPE HRXRD AFM photoluminescence

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