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Evidence of Positron Trapping into Defects in Zn-Doped GaAs

Wuhan University Journal of Natural Sciences 2003年第4A期8卷 1103-1106页

作者： Wang Zhu, Zheng Zi-yao, Su Ben-fa, Hu Wei-guo School of Physics and Technology, Wuhan University , Wuhan 430072, Hubei, China School of Physics and Technology Wuhan University Wuhan Hubei China

The defect properties in as-grown and deformed p-type GaAs with different concentration of dopants and different growth method have investigated by positron lifetime measurement. The result indicates that no positron trapping was observed in LEC-grown Zn-doped p-type GaAs. However, in HB- and FZ-grown Zn-doped GaAs, positron trapping into vacancy type defects was observed. In deformed samples, clusters were formed during deformation. Positron detected shallow positron traps and the dominant shallow positron traps were attributed to Zn acceptors in Zn-doped GaAs.

关键词： positron annihilation defect semiconductor deformation p-type GaAs

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