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Eu luminescence from BatiO_(3)/SiO_(2)multilayer xerogel structures

Journal of Advanced Dielectrics 2020年第3期10卷 60-63页

作者： N.Gaponenko D.Parafinyuk P.Kholov t.Raichenok S.Prislopski Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics P.Browki Street 6 220013 MinskBelarus National Research Nuclear University MEPhI(Moscow Engineering Physics Institute)31 Kashirskoe Shosse 115409 MoscowRussia B.I.Stepanov Institute of Physics National Academy of Sciences of Belarus 220072 Nezavisimosti Avenue 68MinskBelarus

Sol-gel technology was applied to fabricate Eu-doped BatiO_(3)/SiO_(2)multilayer structures by spinning on silicon and fused silica *** photoluminescence(PL)was investigated depending on the annealing temperature of these *** samples demonstrate the room temperature luminescence corresponding to^(5)D^(0)→^(7)F_(J)(J=1,2,3,4)transitions of trivalent europium with the most intensive band at 615 *** the structure on fused silica with Eu in the BatiO_(3)cavity,increase of the annealing temperature from 450℃to 700℃results in modification of the luminescence indicatrix and lowering of the luminescence intensity in the direction along the surface *** BatiO_(3)/SiO_(2)multilayer structure generated on silicon,scanning electron microscopy(SEM)analyses reveal disordering after annealing at 1000℃.this heat treatment provides also an increase of the Eu luminescence intensity.

关键词： Photonic crystal Bragg reflector sol-gel europium luminescence

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