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inAlGaN superluminescent diodes fabricated on patterned substrates: an alternative semiconductor broadband emitter

Photonics Research 2017年第2期5卷 30-34页

作者： ANNA KAFAR SZYMON STANCZYK MARCiN SARZYNSKi SZYMON GRZANKA JAKUB GOSS iRiNA MAKAROWA ANNA NOWAKOWSKA-SiWiNSKA TADEK SUSKi PiOTR PERLiN institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences TopGaN Ltd.

We demonstrate inGaN violet light-emitting superluminescent diodes with large spectral width suitable for applications in optical coherence *** was achieved using the concept of nonlinear indium content profile along the superluminescent diode waveguide.A specially designed 3D substrate surface shape leads to a step-like indium content profile,with the indium concentration in the inGaN/GaN quantum wells ranging approximately between 6% and 10%.Thanks to this approach,we were able to increase the width of the spectrum in processed devices from 2.6 nm(reference diode)to 15.5 nm.

关键词： inGaN inAlGaN superluminescent diodes fabricated on patterned substrates an alternative semiconductor broadband emitter

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