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渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

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物理学报 2006年第6期55卷 2982-2985页

作者：赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083

采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.

关键词：超低压选择区域生长渐变掩蔽图形

Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74μm

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Journal of Semiconductors 2005年第9期26卷 1688-1691页

作者：潘教青王圩朱洪亮赵谦王宝军周帆王鲁峰中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心北京100083

The compressively strained InGaAs/InGaAsP quantum well distributed feedback laser with ridge-wave- guide is fabricated at 1.74μm. It is grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition（MOCVD）. A strain buffer layer is used to avoid indium segregation. The threshold current of the device uncoated with length of 300μm is 11.5mA. The maximum output power is 14mW at 100mA. A side mode suppression ratio of 35.5dB is obtained.

关键词： DFB laser compressive strain quantum well

超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源

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物理学报 2006年第1期55卷 261-266页

作者：赵谦潘教青张靖周光涛伍剑周帆王宝军王鲁峰王圩中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室北京100876

采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feed backlaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率为4·5mW,在5V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10GHz、半高宽(full_width_at_half_maximum,FWHM)为13·7ps的超短光脉冲.

关键词：超低压选择区域生长集成光电子器件超短光脉冲

采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布

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物理学报 2007年第5期56卷 2751-2755页

作者：杨华朱洪亮潘教青冯文谢红云周帆安欣边静赵玲娟陈娓兮王圩中国科学院半导体研究所国家光电子集成重点实验室北京100083

设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦... 详细信息

设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦合效率.

关键词：单边大光腔电吸收(EA)调制器光场分布耦合效率

用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源

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物理学报 2006年第3期55卷 1259-1263页

作者：赵谦潘教青张靖李宝霞周帆王宝军王鲁峰边静赵玲娟王圩中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心北京100083

采用超低压(22×10~2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distribute feedbacklaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率接近7mW,边模抑制比(side-mode suppressionratio,SMSR)大于40dB,将该集成器件出射光耦合进普通单模光纤后进行测量,获得了16dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.将该集成器件完全封装后成功进行了10Gb/s非归零码(non-returnzero,NRZ)的传输实验:在误码率为10^(-10)的传输条件下于普通单模光纤中传输了53.3km,色散代价小于1.5dB,动态消光比大于8dB,且眼图清晰张开.

关键词：超低压选择区域生长集成光电子器件 10 Gb/s

Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate

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Journal of Semiconductors 2006年第1期27卷 1-4页

作者：杨华朱洪亮谢红云赵玲娟周帆王圩中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心北京100083

Three kinds of coplanar waveguides （CPWs） are designed and fabricated on different silicon substrates---common low-resistivity silicon substrate （LRS）, LRS with a 3μm-thick silicon oxide interlayer, and high-resistivity silicon （HRS） substrate. The results show that the microwave loss of a CPW on LRS is too high to be used, but it can be greatly reduced by adding a thick interlayer of silicon oxide between the CPW transmission lines and the LRS.A CPW directly on HRS shows a loss lower than 2dB/cm in the range of 0-26GHz and the process is simple,so HRS is a more suitable CPW substrate.

关键词： coplanar waveguides high-resistivity silicon microwave loss high frequency optoelectronic packaging