采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布
Improving the optical profile of electroabsorption modulator using single-sided large optical cavity structure作者机构:中国科学院半导体研究所国家光电子集成重点实验室北京100083
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2007年第56卷第5期
页 面:2751-2755页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学]
基 金:国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:G2000068301) 国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2002AA312150) 国家自然科学基金(批准号:90101023 60176023 60476009)资助的课题~~
主 题:单边大光腔 电吸收(EA)调制器 光场分布 耦合效率
摘 要:设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦合效率.