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三量子比特系统中单个谐振子诱导的量子关联（英文）

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原子与分子物理学报 2016年第4期33卷 681-688页

作者：王梦真李福林陈中王成志长沙理工大学物理与电子科学学院长沙410114

我们考虑初始无关联并且与由一个谐振子构成的环境之间互相耦合的三量子比特系统.研究了量子比特与环境的耦合强度以及量子比特的初态对量子关联的影响,我们发现环境可以诱导量子关联,提出并证明了四个命题阐述谐振子如何调控三个量子... 详细信息

我们考虑初始无关联并且与由一个谐振子构成的环境之间互相耦合的三量子比特系统.研究了量子比特与环境的耦合强度以及量子比特的初态对量子关联的影响,我们发现环境可以诱导量子关联,提出并证明了四个命题阐述谐振子如何调控三个量子比特中量子关联的分布,并且给出了产生量子关联的条件.特别地,对于弱耦合,我们不但能够获得很多的量子关联,而且还使量子比特系统和环境始终处于分离态.一般地,量子关联动力学是很复杂的,这是由于环境起着两个互相竞争的作用:一方面诱导出各个比特之间的量子关联;另一方面又使它们发生消相干,从而破坏量子关联.

关键词：量子关联量子失协自旋-泊松模型谐振子

SiC MOSFET功率模块的并联均流研究

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半导体技术 2022年第6期47卷 481-487页

作者：黄轶愚谭会生吴义伯戴小平湖南工业大学轨道交通学院湖南株洲412007 长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室长沙410015 武汉大学微电子学院武汉430072 湖南国芯半导体科技有限公司湖南株洲412001

采用多芯片并联的方法可提高SiC MOSFET功率模块的应用电流等级,但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致,这将影响功率模块的可靠性。建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型,分别改变功率回路和驱动回路的杂散... 详细信息

采用多芯片并联的方法可提高SiC MOSFET功率模块的应用电流等级,但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致,这将影响功率模块的可靠性。建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型,分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度,使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流,计算其电流不均衡度。研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响,结果表明,功率模块的瞬态均流能力受源极电感影响较大,稳态均流能力受杂散电阻影响较大。提出了一种基于芯片源极互连降低并联均流不均衡度的方法,仿真结果表明该方法可有效降低源极参数对多芯片并联均流能力的影响。

关键词：功率模块封装技术杂散电感并联均流源极互连

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高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO的设计

半导体技术 2016年第6期41卷 416-420页

作者：谢海情肖正唐俊龙周斌腾曾承伟陈希贤长沙理工大学物理与电子科学学院长沙410114

基于Nuvoton 0.5μm 5 V标准CMOS工艺,设计了一种高稳定性、高瞬态响应、无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。电路中引入了过冲、欠冲电压改善模块,用来削减过/欠充电压,互不干扰。过冲电压改善电路将LDO输出电压与参考电压进行比较,过... 详细信息

基于Nuvoton 0.5μm 5 V标准CMOS工艺,设计了一种高稳定性、高瞬态响应、无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。电路中引入了过冲、欠冲电压改善模块,用来削减过/欠充电压,互不干扰。过冲电压改善电路将LDO输出电压与参考电压进行比较,过冲状态下开启从LDO输出端到地的快速放电通路,欠冲电压改善电路通过电容耦合获得反映LDO输出电压瞬态变化的采样信号,经反向放大后加速功率管栅极电容放电,进而通过功率管对LDO输出电容充电。仿真结果表明,在TT工艺角下该低压差线性稳压器的空载相位裕度为64.57°,满载相位裕度为62.58°,过冲电压为40 m V,欠冲电压为97.6 m V,线性调整率为0.733‰;负载调整率19μV/m A;电源电压抑制比(PSRR)为-73 d B。

关键词：稳定性瞬态响应低压差线性稳压器无片外电容瞬态增强电路

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一种低温漂低电源电压调整率的基准电流源

微电子学 2016年第5期46卷 628-631页

作者：唐俊龙周斌腾谢海情肖正曾承伟陈希贤长沙理工大学物理与电子科学学院长沙410114

利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三... 详细信息

利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40℃～100℃的温度范围内,电流变化为2.4nA,温度系数为7.49×10^（-6）/℃;在3.0～5.5V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096nA/V;在5V工作电压下,输出基准电流为2.301μA,电路功耗为0.08mW,低频时电源电压抑制比为-57.47dB。

关键词：基准电流源低温漂低功耗低电源电压调整率

一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路

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微电子学 2016年第6期46卷 801-805页

作者：唐俊龙肖正谢海情周斌腾曾承伟陈希贤长沙理工大学物理与电子科学学院长沙410114

提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和... 详细信息

提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35μm 5V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64μm×136μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53V;电源电压在3.4~5.5V范围内,线性调整率为97.8μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2dB,在100 Hz处为-123.3dB,在1kHz处为103.3dB;环境温度在-45℃~125℃范围内,平均温度系数为8.7×10^(-6)/℃。

关键词：预抑制电压基准源电源电压抑制比温度稳定性

基于改进并行分布式算法的FIR低通滤波器设计

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电子技术（上海） 2016年第6期43卷 79-82页

作者：谢海情彭永达唐俊龙曾承伟邹金金王艳长沙理工大学物理与电子科学学院湖南长沙410114

通过分割查找表,并利用FIR线性滤波器的对称性改进并行分布式算法,以减小查找表的规模,采用Kaiser窗设计了一种18阶低通FIR数字滤波器。应用Verilog-HDL完成各个功能模块和整个滤波器系统的设计。采用Quartus II软件对顶层模块进行综合... 详细信息

通过分割查找表,并利用FIR线性滤波器的对称性改进并行分布式算法,以减小查找表的规模,采用Kaiser窗设计了一种18阶低通FIR数字滤波器。应用Verilog-HDL完成各个功能模块和整个滤波器系统的设计。采用Quartus II软件对顶层模块进行综合与仿真,结果显示所设计的FIR低通滤波器的最小阻带衰减AS=-30d B,带内波动<1d B,截止频率ωωc=0.4π,且过渡带△ω=0.2π。利用Matlab对仿真结果进行分析,验证所设计的FIR数字滤波器功能完全正确。

关键词： FIR低通滤波器分布式算法 Kaiser窗函数 FPGA

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椭偏法测量薄膜参数时消光位置的确定

中国科技信息 2015年第7期 29-31页

作者：杨昌虎长沙理工大学物理与电子科学学院

通过对椭偏法测量薄膜参数的理论和实验分析,对如何快速地确定消光位置进行了研究,得出在测量椭偏参数时有两组独立的特定值,并且两组消光位置的起偏器方位角相差90°。据此,总结出快速、准确找出消光位置的方法。利用该方法对五个不同... 详细信息

通过对椭偏法测量薄膜参数的理论和实验分析,对如何快速地确定消光位置进行了研究,得出在测量椭偏参数时有两组独立的特定值,并且两组消光位置的起偏器方位角相差90°。据此,总结出快速、准确找出消光位置的方法。利用该方法对五个不同薄膜样品的厚度和折射率进行了测量,得到的结果与理论分析有很好的一致性。

关键词：起偏器厚度线偏振光检偏器椭圆偏振光椭偏法消光大气光学波片

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探究教学在大学物理实验教学中的实践

高校实验室工作研究 2015年第2期 91-92页

作者：杨昌虎长沙理工大学物理与电子科学学院湖南长沙410114

为了探讨教师在大学物理实验教学中如何进行探究教学,从大学物理实验教学的实践出发,在教学方法、教学内容、教学手段及科研与教学的关系等方面,介绍了经验和体会。为教师在大学物理教学实践中进行探究教学提供借鉴。

关键词：探究教学大学物理实验实践

基于MIM结构的表面等离激元折射率传感器研究

维普期刊数据库评论

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高师理科学刊 2018年第2期38卷 34-38页

作者：向书怡金桂郭艳喜顾玉兰黄冠章湘南学院电子信息与电气工程学院湖南郴州423000 长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室湖南长沙410000

设计了矩形谐振腔与Metal-Insulator-Metal(简称MIM结构)二维直波导耦合的表面等离激元传感器,通过有限元方法分析了其特性.研究结果表明,随着谐振腔长度的增加,透射峰出现线性红移;谐振腔的非对称性增加使得透射峰宽度变窄,透射率变低... 详细信息

设计了矩形谐振腔与Metal-Insulator-Metal(简称MIM结构)二维直波导耦合的表面等离激元传感器,通过有限元方法分析了其特性.研究结果表明,随着谐振腔长度的增加,透射峰出现线性红移;谐振腔的非对称性增加使得透射峰宽度变窄,透射率变低;共振波长与介质敏感材料的折射率存在明显的线性关系,灵敏度可以达到560 nm/RIU的同时透射率高达90%.

关键词：表面等离激元传感器折射率