一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路

作     者：唐俊龙 肖正 谢海情 周斌腾 曾承伟 陈希贤 TANG Junlong XIAO Zheng XIE Haiqing ZHOU Binteng ZENG Chengwei CHEN Xixian

作者机构：长沙理工大学物理与电子科学学院长沙410114 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2016年第46卷第6期

页      面：801-805页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家科技支撑计划项目(2014BAH28F04) 国家自然科学基金资助项目(61404011) 湖南省自然科学基金资助项目(2015JJ3001) 湖南省重点学科建设资助项目 湖南省高校科技创新团队支持计划资助项目 长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金资助项目 

主　　题：预抑制 电压基准源 电源电压抑制比 温度稳定性 

摘      要：提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈值电压。获得的预抑制电压用来为全MOS电压基准源供电,极大地改善了基准电压的电源调整率、温度稳定性和电源电压抑制比。采用Nuvoton 0.35μm 5V标准CMOS工艺进行仿真,整个电路的版图尺寸为64μm×136μm。结果表明:电压基准源的输出基准电压为1.53V;电源电压在3.4~5.5V范围内,线性调整率为97.8μV/V;PSRR在10 Hz处为-143.2dB,在100 Hz处为-123.3dB,在1kHz处为103.3dB;环境温度在-45℃~125℃范围内,平均温度系数为8.7×10^(-6)/℃。