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Wafer-Scale Synthesis of WS_(2)Films with In Situ Controllable p-Type Doping by Atomic Layer Deposition

Research 2021年第1期2021卷 1424-1432页

作者： Hanjie Yang Yang Wang Xingli Zou rongxu bai Zecheng Wu Sheng Han Tao Chen Shen Hu Hao Zhu Lin Chen David W.Zhang Jack C.Lee Xionggang Lu Peng Zhou Qingqing Sun Edward T.Yu Deji Akinwande Li Ji State Key Laboratory of ASIC and System School of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433China State Key Laboratory of Advanced Special Steel School of Materials Science and EngineeringShanghai UniversityShanghai 200444China Microelectronics Research Center Department of Electrical and Computer EngineeringThe University of Texas at AustinAustin78758 TexasUSA

Wafer-scale synthesis of p-type TMD films is critical for its commercialization in next-generation electro/*** this work,wafer-scale intrinsic n-type WS_(2)films and in situ Nb-doped p-type WS_(2)films were synthesized through atomic layer deposition(ALD)on 8-inchα-Al_(2)O_(3)/Si wafers,2-inch sapphire,and 1 cm^(2)GaN substrate *** Nb doping concentration was precisely controlled by altering cycle number of Nb precursor and activated by ***_(2)n-FETs and Nb-doped p-FETs with different Nb concentrations have been fabricated using CMOS-compatible processes.X-ray photoelectron spectroscopy,Raman spectroscopy,and Hall measurements confirmed the effective substitutional doping with *** on/off ratio and electron mobility of WS_(2)n-FET are as high as 105 and 6.85 cm^(2)V^(-1)s^(-1),*** WS_(2)p-FET with 15-cycle Nb doping,the on/off ratio and hole mobility are 10 and 0.016 cm^(2)V^(-1)s^(-1),*** p-n structure based on n-and p-type WS_(2)films was proved with a 10^(4)rectifying *** realization of controllable in situ Nb-doped WS_(2)films paved a way for fabricating wafer-scale complementary WS_(2)FETs.

关键词： sapphire doping realization

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NH_(3)和N_(2)混合等离子体预处理对锗MOS器件性能的影响

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材料导报 2021年第14期35卷 14012-14016页

作者：乌李瑛柏荣旭瞿敏妮付学成田苗马玲王英程秀兰上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台上海200240 芬兰倍耐克有限公司上海代表处上海200135

对锗衬底进行NH 3和N 2混合等离子体(V(NH_(3))∶V(N_(2))=5∶1)原位预处理,其自然氧化层GeO_(x)反应生成GeO_(y)N_(z)。XPS结果显示,随着预处理时间的延长,GeO_(y)N_(z)厚度稍有增加。结构为500 nm Al/20 nm Ti/10 nm HfO_(2)/Ge的锗MOS电容样品,在1 V的偏压下,未经过原位等离子体预处理的样品的漏电流密度为10^(-4) A/cm^(2)量级,而120 s NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理后的样品的漏电流密度减小到10^(-5) A/cm 2量级;所有等离子体预处理样品的C-V曲线不存在明显的翘曲变形,表明样品的界面陷阱电荷密度较低;通过C-V曲线计算可得,NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理60 s后样品的等效电容约为17,小于理想HfO_(2)的介电常数值,说明预处理条件下仍有不可忽略的层间电容。与其他预处理方法相比,NH_(3)/N_(2)混合等离子体原位预处理锗衬底可以更加有效地提高锗衬底上原子层沉积HfO_(2)层间界面的质量,抑制Ge向HfO_(2)的扩散,对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。在提高锗MOS器件的性能方面,NH_(3)和N_(2)混合等离子体原位预处理的方法在工业生产中更具有潜在优势。

关键词：锗MOS 原子层沉积原位等离子体预处理二氧化铪薄膜高介电常数漏电流密度

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热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较（英文）

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半导体技术 2019年第10期44卷 795-802页

作者：乌李瑛柏荣旭瞿敏妮田苗沈赟靓王英程秀兰上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件校级平台上海200240 Beneq上海代表处上海200135

以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEA... 详细信息

以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。

关键词：二氧化铪(HfO2) 原子层沉积(ALD) 热原子层沉积(TALD) 等离子增强原子层沉积(PEALD) 介电常数

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重组亚胺还原酶工程菌快速高密度发酵研究

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食品与发酵工业 2024年第3期50卷 16-20页

作者：吴子蓥李荣旭白少钰胡浩轩黄佳俊卢宇靖佛山市汇腾生物技术有限公司广东佛山528225 广东工业大学生物医药学院广东广州510006

通过快速高密度发酵培养,以重组亚胺还原酶大肠杆菌工程菌的菌体生物量及酶活力作为评价标准,利用低成本的发酵培养基,在短时间内获得菌体的最大生物量和最佳酶活力。采用2 L发酵体系,对该工程菌的接种量和诱导条件进行优化。结果表明,... 详细信息

通过快速高密度发酵培养,以重组亚胺还原酶大肠杆菌工程菌的菌体生物量及酶活力作为评价标准,利用低成本的发酵培养基,在短时间内获得菌体的最大生物量和最佳酶活力。采用2 L发酵体系,对该工程菌的接种量和诱导条件进行优化。结果表明,该菌株的快速高密度发酵最佳接种量为10%,当生物量OD_(600)值达到12时,发酵体系降温至20℃,加入0.4 mmol/L异丙基-β-D-硫代半乳糖苷,为最佳诱导条件,并以此条件进行20 L快速高密度发酵,诱导12 h酶活力最高,为4.56 U/g。该研究为进一步放大发酵体系以实现亚胺还原酶工业化快速高产量制备的生产奠定基础。

关键词：亚胺还原酶大肠杆菌高密度发酵生物量酶活力

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