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基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型

引用

Journal of Semiconductors 2000年第7期21卷 711-716页

作者：宋任儒阮刚梁擎擎 reinhardstreiter ThomasOtto ThomasGessner 复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 Chemnitz技术大学微技术中心

提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .

关键词：速度饱和倒相器延迟 CMOS

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VLSI电路中互连线特性研究及其数值模拟

引用

微电子学 2000年第1期30卷 1-4,7页

作者：阮刚肖夏 reinhardstreiter 宋任儒 ThomasOtto ThomasGessner 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 Chemnitz技术大学微技术中心

用数值计算方法详细模拟了室温及低温(77K)下VLSI电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟,得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明,互连线宽W同互连线节距P之比为0.5～0.6是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用... 详细信息

用数值计算方法详细模拟了室温及低温(77K)下VLSI电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟,得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明,互连线宽W同互连线节距P之比为0.5～0.6是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用铜代替铝金属线及用低介电常数电介质(εlow-k=0.5εSiO2)代替SiO2后。

关键词：集成电路互连线数值模拟 VLSI

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