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Sixteenth Congress of the International Union of Crystallography

作者： D.Klimm B.Tippelt p.paufler Institut für Kristallographie Mineralogie und MaterialwissenschaftUniversitt LeipzigGermany

＜正＞By treatment of sphalerite type compounds with ultrasound we were able to reach plastic deformation by motion and multiplication of *** treatment of Gap and GaAs was performed by cementing the samples to quartz ...

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SLIp LINE RESOLUTION IN ATOMIC RANGE ON pLASTICALLY DEFORMED AⅢ-BⅤSEMICONDUCTOR SURFACE BY SCANNING FORCE MICROSCOpY

SLIP LINE RESOLUTION IN ATOMIC RANGE ON PLASTICALLY DEFORMED...

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Sixteenth Congress of the International Union of Crystallography

作者： K.Jurkschat H.Bluhm U.D.Schwarz G.Klβ p.paufler Inst.of Crystallography Univ.of LeipzigGermany Inst.of physics Univ.of BaselSwitzerland Inst.of Crystallography Univ.of DresdenGermany

＜正＞During deformation of semiconductor-slices at elevated temperatures （400-600℃） slip lines raise at the（001） and（110） surface as traces of different {111} slip planes that can be detected by scanning force microscopy（SFM） with high *** used a Gap:Te/（001）Gap homoepitaxial layer system（grown by VpE-technique） as a model substance because of its very smooth surface and the transparency of

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Modulus and Hardness Change of Silicon and Sapphire Substrates by TiC/VC Multilayer Coatings

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Materials Sciences and Applications 2012年第4期3卷 185-194页

作者： Andre Belger Marianne Reibold peter paufler On Leave from Institut für Strukturphysik Technische Universitat DresdenDresdenGermany Triebenberg Laboratory Institut fur StrukturphysikTechnische Universitat DresdenDresdenGermany Institut fur Strukturphysik Technische Universitat DresdenDresdenGermany

The nanohardness H of multilayer specimens TiC/VC@Si and TiC/VC@Sapphire prepared by pulsed-Laser-Deposition is investigated to check the existence of a superlattice effect as known from TiN/VN multilayers. In the present work the multilayer period thickness λ varies between 1.34 nm and 24.8 nm (total layer thickness t ≈ 200 nm). Unlike Young’s modulus E, H is enhanced, regardless of t, by covering Si as well as sapphire with a TiC/VC multilayer;the relative load carrying capacity being larger for Si. The maximum value of H obtained is 38 Gpa for TiC/VC@Sapphire. It is observed for a multilayer thickness of λ ≈ 10 nm. Hardness of TiC/VC@Sapphire obeys, after annealing, a Hall-petch relation H = 35.25 + 6.945 λ–0.5 (H in Gpa und λ≥ 10 nm). From orientation dependent X-ray absorption fine structure and X-ray reflection records, short-range order and layer geometry are derived. These analyses reveal a continuous approach of interatomic distances Ti-C and V-C for deceasing multilayer periods. High-resolution transmission electron microscopy shows that multilayers are nanostructured, i.e., not only TiC/VC phase boundaries but also subgrains represent obstacles against plastic deformation. Dislocations play a major role as sources of internal stress and vehicles of plasticity.

关键词： TiC/VC@Si or Sapphire Multilayers Superlattice Effect X-Ray Absorption Spectrometry Electron Microscopy

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高效激光直写光刻

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电子工业专用设备 1997年第3期26卷 51-55页

作者： Jpaufler HKuck RSeltmann FraunhoferInstituteofMicroelectronicCircuitsandSystems

本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光学调制器（ＳＬＭ），使用具有反射的、可变（粘）弹性的反射层的ＣＭＯＳ有源矩阵，研究成功并生产了... 详细信息

本文描述了新型激光快速直写亚微米光刻系统。由准分子激光采用飞点扫描曝光的方法在片子上作图，制作了一种可编程相位调制的空间光学调制器（ＳＬＭ），使用具有反射的、可变（粘）弹性的反射层的ＣＭＯＳ有源矩阵，研究成功并生产了５１２×４６４象素ＳＬＭ。业已表明，０６μｍ最小特征尺寸的曝光装置，完成了由ＧＤＳＩＩＣＡＤ设计数据给出的整个光刻层曝光的全部功能要求；试验样机给出了质量很好的０６μｍ光刻图形。具有提高每小时数片１５０ｍｍ片子产量的激光快速直写装置样机正在设计之中。

关键词：激光直写光刻光刻技术掩模

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Modulus and Hardness Change of Silicon and Sapphire Substrates by TiC/VC Multilayer Coatings

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Materials Sciences and Applications（材料科学与应用期刊） 2012年第4期

作者： André Belger Marianne Reibold peter paufler

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