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Developm.nt of Angle Resolved HXPS Instrum.nt for Laboratory Use

Development of Angle Resolved HXPS Instrument for Laboratory...

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第18届国际真空大会

作者： H. Iwai m. kobata I. Pí H. Yoshikawa S. Tanum. H. Yam.zui H. Takahashi m. Kodam. A. Tanaka m. Suzuki E. Ikenaga H. m.tsuda H. Daim.n K. Kobayashi m.terials Analysis Station National Institute for Materials ScienceTsukuba 305-0047Japan NIm. Beam.ine Station at Spring-8 National Institute for Materials ScienceSayo 679-5148Japan Departm.nt of Surface and Plasm. Science Charles University in Prague 18000Czech Republic

We have developed high throughput angle resolved hard X-ray photoelectron spectroscopy （HXPS） instrum.nt for laboratory use [1], which are com.osed by com.ining a m.nochrom.tic Cr Kα focused X-ray source and a wide acceptance objective for a spectrom.ter. The Cr Kα X-rays （5.4 keV） excited by m.cro focused electron beam.are m.nochrom.tized and focused on to a sam.le surface by an ellipsoidal bent crystal m.nochrom.ter with 300 m. Roland circle. The X-ray spot size is variable from.10 μm.（1.25 W） to 200 μm.（50 W） in diam.ter. In front of a VG Scienta R4000 10 kV spectrom.ter, a wide acceptance objective lens is integrated as a hybrid lens to collect photoelectrons em.tted from.a sam.le in the range of ±35 degrees for high sensitivity and angle resolved XPS spectra without tilting the sam.le. The total energy resolution of 0.53 eV was verified by Au Ferm. edge m.asurem.nt. A typical acquisition tim. for angle resolved Si 1s spectra of a SiO2（4 nm./Si（001） overlayered thin film.sam.le is around 1 hour in the em.ssion angle of 10 to 80 degrees with 0.5 degrees angler resolution without tilting the sam.le. The Si 1s peak from.the substrate at kinetic energy of 3569 eV is observed through the 25 nm.thickness overlayered SiO2 on Si（001）.

关键词： HAXPES ARXPS nondestructive depth profiling

来源： cnki会议评论

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